東芝32納米即將量產(chǎn) 群聯(lián)備戰將全線(xiàn)支持
面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)的壓力,東芝(Toshiba)下半年積極轉進(jìn)32納米的NAND Flash制程技術(shù),東芝原本預計32納米制程產(chǎn)量,在年底可達產(chǎn)能30%,但以目前進(jìn)度來(lái)看,勢必會(huì )延后量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn),其控制芯片供應商群聯(lián)則表示,支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線(xiàn)都已經(jīng)準備妥當,包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然,隨時(shí)可進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外,群聯(lián)8月?tīng)I收將持續成長(cháng),估計月增率可達10%以上,8月毛利率可微幅高于7月,整體第3季獲利持續上揚。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/97427.htm東芝43納米制程量產(chǎn)成熟,下半年積極轉進(jìn)32納米制程,降低生產(chǎn)成本,同時(shí)間三星電子(Samsung Electronics)也積極轉進(jìn)35納米制程,以力抗英特爾/美光陣營(yíng)早已量產(chǎn)的34納米制程技術(shù),顯示英特爾/美光、三星和東芝3陣營(yíng)較勁的意味越來(lái)越濃厚。
東芝轉進(jìn)32納米制程將從MLC芯片切入生產(chǎn),原本東芝預期,32納米制程將在7月可進(jìn)入量產(chǎn)階段,年底前有機會(huì )達30%的投產(chǎn)幅度,2010年第1季更將挑戰50%,但以目前進(jìn)度來(lái)看,東芝的32納米制程量產(chǎn)速度恐會(huì )持續延后,惟盡快導入32納米的目標不變。
隨著(zhù)東芝積極轉進(jìn)新一代的32納米制程技術(shù),合作伙伴群聯(lián)也進(jìn)入備戰狀態(tài)。群聯(lián)表示,目前支持32納米制程的控制芯片隨時(shí)可以進(jìn)入量產(chǎn),包括用在隨身碟和快閃記憶卡的控制芯片都已備妥,相較于上一代43納米制程的控制芯片,在設計架構上不需要做太大的更動(dòng),因此可設計在同1顆IC上。
近期NAND Flash市場(chǎng)較為沈寂,群聯(lián)表示,整體市況還不錯,快閃記憶卡的終端需求比隨身碟強勁,預計8月?tīng)I收可望較7月成長(cháng),毛利率也同步上揚,支持東芝3-bit-per-cell技術(shù)的控制芯片也準備好了,隨時(shí)可大量出貨。
近期整個(gè)NAND Flash市場(chǎng)的成卡供應量不多,主要是三星和東芝的成卡供應量銳減,NAND Flash芯片都以供應大客戶(hù)蘋(píng)果(Apple)為主,導致記憶卡市場(chǎng)呈現小幅缺貨的狀態(tài),而成卡價(jià)格日前也開(kāi)始跟上NAND Flash芯片的走勢,開(kāi)始往上調,因此下游廠(chǎng)的毛利率可持續走揚,而成卡缺貨的狀態(tài)可能要持續好一陣子。
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