東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的^[1]第3代SiC MOSFET技術(shù)，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開(kāi)關(guān)電源、光伏發(fā)電機功率調節器等工業(yè)設備。四款器件于今日開(kāi)始支持批量出貨。

四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體積減小90%以上，并提高了設備的功率密度。表貼封裝還允許使用比通孔型封裝更小的寄生阻抗^[2]元件，從而降低開(kāi)關(guān)損耗。DFN8×8是一種4引腳^[3]封裝，支持對其柵極驅動(dòng)的信號源端子進(jìn)行開(kāi)爾文連接。這減少了封裝內部源極線(xiàn)電感的影響，實(shí)現高速開(kāi)關(guān)性能；以TW054V65C為例，與東芝現有產(chǎn)品相比^[5]，其開(kāi)通損耗降低了約55%，關(guān)斷損耗降低約25%^[4]，有助于降低設備中的功率損耗。

未來(lái)東芝將繼續擴大其SiC功率器件產(chǎn)品線(xiàn)，為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。

測量條件：V_DD＝400V、V_GS＝18V/0V、I_D＝20A、T_a＝25°C、L＝100μH，R_g（外部柵極電阻）＝4.7Ω

續流二極管采用各產(chǎn)品源極和漏極之間的二極管。（截至2025年5月，東芝對比結果）

圖1 TO-247與DFN8×8封裝的導通損耗（Eon）和關(guān)斷損耗（Eoff）比較

■   應用：

-   服務(wù)器、數據中心、通信設備等的開(kāi)關(guān)電源

-   電動(dòng)汽車(chē)充電站

-   光伏逆變器

-   不間斷電源

■   特性：

-   DFN8×8表面貼裝封裝，實(shí)現設備小型化和自動(dòng)化組裝，低開(kāi)關(guān)損耗

-   東芝第3代SiC MOSFET

-   通過(guò)優(yōu)化漂移電阻和溝道電阻比，實(shí)現漏源導通電阻的良好溫度依賴(lài)性

-   低漏源導通電阻×柵漏電荷

-   低二極管正向電壓：V_DSF＝–1.35V（典型值）（V_GS＝–5V）

■   主要規格：

（除非另有說(shuō)明，T_a＝25°C）

注：

[1] 截至2025年5月。

[2] 電阻、電感等。

[3] 一種信號源引腳靠近FET芯片連接的產(chǎn)品。

[4] 截至2025年5月，東芝測量值。請參考圖1。

[5] 采用TO-247封裝且無(wú)開(kāi)爾文連接的、具有同等電壓和導通電阻的650V東芝第3代SiC MOSFET。