兆易創(chuàng )新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash

業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng )新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統SPI NAND Flash響應速度慢、易受壞塊干擾的行業(yè)痛點(diǎn)。作為一種巧妙融合了NOR Flash高速讀取優(yōu)勢與NAND Flash大容量、低成本優(yōu)勢的新型解決方案，GD5F1GM9系列的面世將為SPI NAND Flash帶來(lái)新的發(fā)展機遇，成為安防、工業(yè)、IoT等快速啟動(dòng)應用場(chǎng)景的理想之選。

GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24nm工藝節點(diǎn)，支持內置8bit ECC、3V和1.8V兩種工作電壓，以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多種高速讀取模式，為用戶(hù)提供多種組合設計方案。與傳統SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在ECC設計上摒棄了原有的串行計算方式，實(shí)現復雜ECC算法的并行計算，這極大地縮短了內置ECC的計算時(shí)間。該系列3V產(chǎn)品最高時(shí)鐘頻率為166MHz，在Continuous Read模式下可達83MB/s連續讀取速率；1.8V產(chǎn)品最高時(shí)鐘頻率為133MHz，在Continuous Read模式下可達66MB/s連續讀取速率。這意味著(zhù)在同頻率下，GD5F1GM9系列的讀取速度可達到傳統SPI NAND產(chǎn)品的2~3倍，該設計優(yōu)勢可有效提高器件的數據訪(fǎng)問(wèn)效率，顯著(zhù)縮短系統啟動(dòng)時(shí)間，進(jìn)一步降低系統功耗。

為了解決傳統NAND Flash的壞塊難題，GD5F1GM9系列引入了先進(jìn)的壞塊管理（BBM）功能。該功能允許用戶(hù)通過(guò)改變物理塊地址和邏輯塊地址的映射關(guān)系，從而有效應對出廠(chǎng)壞塊和使用過(guò)程中新增壞塊的挑戰。一方面，傳統NAND Flash在出廠(chǎng)時(shí)可能存在隨機分布的壞塊，若這些壞塊出現在前部代碼區，將導致NAND Flash無(wú)法正常使用。而GD5F1GM9系列通過(guò)壞塊管理（BBM）功能，可確保前256個(gè)Block均為出廠(chǎng)好塊，進(jìn)而保障代碼區的穩定性。另一方面，在使用過(guò)程中，NAND Flash可能出現新增壞塊，傳統解決方案需要預留大量冗余Block用于不同分區的壞塊替換，造成嚴重的資源浪費。GD5F1GM9系列的壞塊管理（BBM）功能允許用戶(hù)重新映射邏輯地址和物理地址，使損壞的壞塊地址重新可用，并且僅需預留最小限度的冗余Block，該功能不僅顯著(zhù)提高了資源利用率，還有效簡(jiǎn)化了系統設計。

“目前，SPI NAND Flash的讀取速度普遍較慢，已成為制約終端產(chǎn)品性能提升的重要瓶頸”，兆易創(chuàng )新副總裁、存儲事業(yè)部總經(jīng)理蘇如偉表示，“GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash的推出，為市場(chǎng)中樹(shù)立了新的性能標桿，該系列不僅有效彌補了傳統SPI NAND Flash在讀取速度上的不足，并為壞塊管理提供了新的解決方案，可成為NOR Flash用戶(hù)在擴容需求下的理想替代選擇。未來(lái)，兆易創(chuàng )新還將持續打磨底層技術(shù)，為客戶(hù)提供更高效、更可靠的存儲方案?！?/p>

目前，兆易創(chuàng )新GD5F1GM9系列可提供1Gb容量、3V/1.8V兩種電壓選擇，并支持WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24（5x5 ball array）5x5ball封裝選項。如需了解詳細信息及產(chǎn)品定價(jià)，請聯(lián)系當地銷(xiāo)售代表。