東芝在SiC專(zhuān)利申請中挑戰泰科天潤

中國功率芯片開(kāi)發(fā)商泰克天潤（Global Power Technology） 在碳化硅 （SiC） 功率技術(shù)專(zhuān)利申請排名中面臨東芝的挑戰。

法國分析機構 KnowMade 的最新數據顯示，2025 年第一季度全球申請了 840 多個(gè)新專(zhuān)利族。本季度的專(zhuān)利申請活動(dòng)以東芝在 SiC 功率器件專(zhuān)利領(lǐng)域的加速發(fā)展為標志，以匹配 Global Power Technology的專(zhuān)利數量。

這家中國公司在過(guò)去四個(gè)季度一直是排名靠前的專(zhuān)利申請人，幾乎完全專(zhuān)注于 SiC MOSFET 結構的設計。

第一季度授予了 420 多個(gè)專(zhuān)利族，其中有五家日本公司——電裝/豐田、富士電機、住友電工、三菱電機和東芝——以及 GPT。所有這些都為電動(dòng)汽車(chē)應用提供設備，凸顯了技術(shù)的潛在轉變。同樣，日產(chǎn)-雷諾聯(lián)盟申請了一項專(zhuān)利，旨在提高溝槽式 SiC MOSFET 的柵極可靠性，在柵極溝槽下方具有電場(chǎng)弛豫區域。

與此同時(shí)，本季度有 120 多項專(zhuān)利到期或被放棄，其中近 20% 來(lái)自目前面臨破產(chǎn)的 Wolfspeed。

Microchip Technology 已恢復其在 SiC 功率器件專(zhuān)利領(lǐng)域的專(zhuān)利申請活動(dòng)，披露了三項與具有硅通道的混合 SiC MOSFET 相關(guān)的發(fā)明，以提供更高的載流子遷移率和開(kāi)關(guān)損耗、功率密度、

本季度還見(jiàn)證了約 40 項專(zhuān)利轉讓?zhuān)?1 月份被安森美 （onsemi） 收購后，Qorvo 將幾項專(zhuān)利重新轉讓給了聯(lián)合碳化硅公司 （United Silicon Carbide）。本季度還有 15 家新公司，其中大部分來(lái)自中國。

SICC 仍然是 SiC 襯底專(zhuān)利領(lǐng)域最多產(chǎn)的專(zhuān)利申請人之一，并且仍然是為數不多的為中國境外創(chuàng )新尋求專(zhuān)利保護的中國公司之一。其最近的 PCT 應用旨在通過(guò)減少殘余內應力和在大直徑 200mm 晶圓上實(shí)現更均勻的應力分布來(lái)提高晶體質(zhì)量。

與此同時(shí)，普渡大學(xué)推出了一種基于 SiC MOS 的功率器件，具有超短通道長(cháng)度，可實(shí)現超低的比導通電阻。

我們的 2025 年第一季度報告深入探討下一代 SiC 器件，重點(diǎn)介紹了針對 SiC 超結結構（Rohm、Toshiba）、SiC JFET （Onsemi） 和 SiC IGBT（Hitachi、GlobalFoundries、Rohm、Toshiba）發(fā)布新專(zhuān)利申請的公司。

在新公布的專(zhuān)利申請中，日立考慮將半絕緣 SiC 襯底用于 10kV 以上的中壓 （MV） 應用，以降低相應 SiC 器件的制造成本，無(wú)論是 PiN 二極管還是 IGBT。

奧爾堡大學(xué)的一項新專(zhuān)利出版物也考慮了將設備集成到中壓 15kV 功率模塊中，旨在減少高壓和接地焊盤(pán)之間溝槽中的最大電場(chǎng)。

封裝也是一個(gè)關(guān)鍵的創(chuàng )新領(lǐng)域，安森美已經(jīng)申請了倒裝芯片和預成型夾片功率模塊的專(zhuān)利，日立的高溫下具有高鍵合可靠性的芯片貼裝專(zhuān)利，以及賽米控丹佛斯的低電感布局的三電平功率模塊的專(zhuān)利。