臺灣晶圓廠(chǎng)選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

　　ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠(chǎng)為其28 納米節點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。

　　除此之外，此家晶圓廠(chǎng)也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開(kāi)發(fā)活動(dòng)。 ASM 在2009年第2季將針對進(jìn)階節點(diǎn)開(kāi)發(fā)計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠(chǎng)在過(guò)去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設備來(lái)開(kāi)發(fā)其以鉿基材料為基礎的high-k 閘極制程。

　　納米節點(diǎn)上實(shí)現成功的high-K制程證明了ASM在制程當中整合新材料的優(yōu)異能力。”ASM晶體管產(chǎn)品業(yè)務(wù)事業(yè)部經(jīng)理Glen Wilk表示。“我們的high-K制程證明了在28納米節點(diǎn)上的生產(chǎn)能力，我們也期望進(jìn)一步的開(kāi)發(fā)成果能夠將這些利益延伸到未來(lái)的節點(diǎn)上。

　　ASM的Pulsar是第一款用于high-k 閘極量產(chǎn)的工具，其由45納米節點(diǎn)開(kāi)始采用，現在已經(jīng)延伸至28納米節點(diǎn)。ASM的high-k 閘極介電薄膜含氧化鉿，并采用氧化鋁和氧化鑭高介電質(zhì)覆蓋層做為金屬電極功函數調整之用。