EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
high-k
high-k 文章 進(jìn)入high-k技術(shù)社區
臺積電CEO秘訪(fǎng)ASML，High-NA EUV光刻機競賽提前打響？
- 5月26日，臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動(dòng)，臺積電CEO魏哲家罕見(jiàn)的沒(méi)有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪(fǎng)問(wèn)位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專(zhuān)業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過(guò)社交媒體透露了魏哲家秘密出訪(fǎng)的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設備將如何實(shí)現未來(lái)
- 關(guān)鍵字： 臺積電 ASML High-NA EUV 光刻機
High-NA EUV光刻機入場(chǎng)，究竟有多強？
- 光刻機一直是半導體領(lǐng)域的一個(gè)熱門(mén)話(huà)題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實(shí)基礎；再到后來(lái)的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長(cháng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開(kāi)發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
- 關(guān)鍵字： High-NA EUV
ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術(shù)
- 3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù)，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實(shí)現 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著(zhù)其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì )導致影響晶圓吞吐量的光損失。
- 關(guān)鍵字： ASM NXE:3800E EUV 光刻機 High-NA
英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機？
- HIGH NA 無(wú)疑是打贏(yíng)下一場(chǎng)比賽的重要籌碼。
- 關(guān)鍵字： 英特爾 ASML HIGH NA光刻機
英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來(lái)兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節點(diǎn)。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì )采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時(shí)觀(guān)望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
- 關(guān)鍵字： 英特爾 High-NA EUV 臺積電
基于ELM改進(jìn)K-SVD算法的多特征融合物體成像識別
- 通過(guò)極限學(xué)習機ELM算法改進(jìn)K-SVD字典學(xué)習算法，并成功應用于多特征融合物體成像識別領(lǐng)域。研究結果表明：通過(guò)ELM算法，字典精確度和優(yōu)勢在處理后的提升效果均十分顯著(zhù)。不論是從計算效率還是計算準確率來(lái)看，改進(jìn)的K-SVD算法表現出較佳優(yōu)勢。K-SVD算法性能可通過(guò)ELM顯著(zhù)提升，算法識別準確率在多特征加入后也相應快速增長(cháng)。將較低分辨率的樣本從圖像中篩選出來(lái)，有利于減少傅里葉疊層成像數量。
- 關(guān)鍵字： 202308 K-SVD算法 算法改進(jìn) 圖像識別
SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統微縮(scaling)技術(shù)系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過(guò)采用該新技術(shù)，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實(shí)現了晶體管性能的顯著(zhù)提高。本文針對HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core Tr
- 關(guān)鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate
C&K 在其超強耐用輕觸開(kāi)關(guān)系列中增加了一款長(cháng)行程開(kāi)關(guān)
- 馬薩諸塞州沃爾瑟姆 — 2022年 10 月 31 日 — 隸屬 Littelfuse 旗下的 C&K 擴大了其微型 KSC 超強耐用 (TE) 輕觸開(kāi)關(guān)系列, 在 3.5mm 的版本上增加了一款可以提供更長(cháng)行程的 5.2mm 高的開(kāi)關(guān)。KSC4 TE 開(kāi)關(guān)系列的使用壽命高達 1,000 萬(wàn)次, 簡(jiǎn)化了設計周期, 并在尺寸和力值方面優(yōu)于競爭產(chǎn)品。KSC4 TE 開(kāi)關(guān)的尺寸為 6mm x 6mm, 高度為 5.2mm, 提供三種操作力, 分別為 1.6、2.8 和 4N。其緊湊的尺寸和設計的靈活性給
- 關(guān)鍵字： C&K 輕觸開(kāi)關(guān) 長(cháng)行程開(kāi)關(guān)
Littelfuse完成對C&K Switches的并購
- 致力于打造可持續發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全之世界的工業(yè)技術(shù)制造公司Littelfuse, Inc.宣布完成對C&K Switches (“C&K”)的并購。C&K 是高性能機電開(kāi)關(guān)和互連解決方案的領(lǐng)先設計和制造商，在工業(yè)、交通運輸、航空航天和數據通信等多個(gè)終端市場(chǎng)擁有廣泛而活躍的全球業(yè)務(wù)。 Littelfuse電子業(yè)務(wù)部高級副總裁兼總經(jīng)理 Deepak Nayar表示：“兩家企業(yè)的合并顯著(zhù)擴展了雙方的技術(shù)范圍和生產(chǎn)能力，使得我們能夠為廣泛垂直終端市場(chǎng)的眾多客戶(hù)提供全
- 關(guān)鍵字： Littelfuse C&K Switches 并購
基于深度學(xué)習的交通場(chǎng)景中行人檢測方法*
- 針對交通圖像中行人分布的特點(diǎn)，提出一種交通場(chǎng)景下的行人檢測方法。使用Faster R-CNN目標檢測網(wǎng)絡(luò )，首先在檢測網(wǎng)絡(luò )的卷積層前加入預處理，突出行人特征，減少訓練耗時(shí)與系統開(kāi)銷(xiāo)。其次，由于交通場(chǎng)景圖像中行人只占圖像極小的部分，所以使用K-means聚類(lèi)分析方法對行人的寬高比進(jìn)行聚類(lèi)分析，得到合適的寬高比。實(shí)驗表明，改進(jìn)后的方法在檢測精度上有所提升，說(shuō)明了該方法的有效性。
- 關(guān)鍵字： 行人檢測 交通場(chǎng)景 底層特征提取 K-means聚類(lèi) 202103
基于圖像的目標區域分割算法研究
- 通常在進(jìn)行圖像處理時(shí)，并不需要對整幅圖像進(jìn)行處理，往往我們感興趣的部分只有圖像中的某個(gè)區域?？焖?、有效地將目標區域分割出來(lái)，不僅能降低運行時(shí)間，而且能為后續處理工作打下基礎。因此，本文將對目標區域分割算法進(jìn)行研究，分別采用大津法(OTSU)、K-means聚類(lèi)法、分水嶺算法進(jìn)行研究，通過(guò)實(shí)驗對比發(fā)現，背景較單一時(shí)，大津法相對來(lái)說(shuō)效果較好。
- 關(guān)鍵字： 目標分割 大津法 K-means聚類(lèi)法 分水嶺算法 201902
C&K推出可應用于汽車(chē)、工業(yè)和醫療領(lǐng)域的緊湊型雙回路開(kāi)關(guān)
- 全球最值得信賴(lài)的高端機電開(kāi)關(guān)品牌之一 ─ C&K宣布推出一款采用雙回路技術(shù)的輕觸開(kāi)關(guān), 作為其KSC系列輕觸開(kāi)關(guān)的重要新增?！ ∵@款新的KSC-DCT輕觸開(kāi)關(guān)支持SPDT NC-NO雙回路功能, 可通過(guò)單路輸入實(shí)現雙路輸出。封裝在一個(gè)6.2 mm x 6.2 mm x 2.9 mm的小型PCB安裝封裝中, 封裝中包含的硅膠70SH起動(dòng)器將高度擴展到板面5.2 mm, 便于操作和通過(guò)預/后行程更容易集成?！ ≡撔麻_(kāi)關(guān)的額定工作壽命為300,000次, 操作力要求為4.75N, 并提供0.85
- 關(guān)鍵字： C&K，KSC-DCT
C&K為工業(yè)和工程/越野車(chē)輛應用推出額外的密封按動(dòng)開(kāi)關(guān)系列
- 全球最值得信賴(lài)的高品質(zhì)機電開(kāi)關(guān)品牌之一C&K，今天宣布推出新的PNP3系列密封按動(dòng)開(kāi)關(guān)，并提供額外的無(wú)蓋選擇。新開(kāi)關(guān)適用于嚴苛應用，例如控制手柄、工程/ 越野車(chē)面板、工業(yè)儀器、電梯和輸送機控制?！ ￠_(kāi)關(guān)采用黑色PBT/PC熱塑外殼制造，內置硅橡膠密封件，防護等級為IP68，非常適用于惡劣環(huán)境和強力沖洗應用，或任何可能暴露在灰塵、水或其他有害成分的地方。PNP系列開(kāi)關(guān)經(jīng)過(guò)振動(dòng)(10至500Hz)測試和沖擊(最高50g)測試，額定壽命高達1,000,000次?！ ∑湮?dòng)特性提供正向觸覺(jué)反饋，而操作
- 關(guān)鍵字： C&K PNP3
C&K推出新款全密封結構撥碼開(kāi)關(guān)
- 全球最值得信賴(lài)的高品質(zhì)機電開(kāi)關(guān)品牌之一——C&K，今天宣布推出新款BDB DIP(雙列直插或撥碼)開(kāi)關(guān)。這一傳統的全剖面撥碼開(kāi)關(guān)，可為所有需要可靠撥碼開(kāi)關(guān)和凸柄(以方便操作)的應用，提供新一代有價(jià)格競爭力的解決方案?！ τ诓捎脝蔚秵螖S(SPST)電路的開(kāi)關(guān)，BDB撥碼元件可以小型的PCB安裝封裝提供2至12個(gè)(11個(gè)除外)開(kāi)關(guān)位置。每個(gè)開(kāi)關(guān)的額定通斷周期為每開(kāi)關(guān)位置10,000次，且其觸點(diǎn)容量為100mA/50VDC，接觸電阻小于50mΩ?！ DB的額定工作溫度范圍為-40℃至+85℃，采
- 關(guān)鍵字： C&K 撥碼開(kāi)關(guān)
high-k介紹
High-K究竟是什么神奇的技術(shù)？這要從處理器的制造原料說(shuō)起。
由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能減少厚度以持續改善晶體管效能，因此過(guò)去40余年來(lái)，處理器廠(chǎng)商均采用二氧化硅做為制作閘極電介質(zhì)的材料。
當英特爾導入65納米制造工藝時(shí)，雖已全力將二氧化硅閘極電介質(zhì)厚度降低至1.2納米，相當于5層原子，但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時(shí)，耗電和 [ 查看詳細 ]
high-k相關(guān)帖子
high-k資料下載
相關(guān)主題
熱門(mén)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473