臺積電承認40納米工藝遭遇障礙

　　在公布最新季度財報的同時(shí)，臺積電也第一次公開(kāi)承認，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。

　　臺積電在去年底基本準時(shí)地上馬了40nm生產(chǎn)線(xiàn)，并在今年第一季度貢獻了大約1%的收入，高于預期水準，預計今年第二季度會(huì )達到2%左右。

　　臺積電CEO蔡力行在回答分析師的提問(wèn)時(shí)說(shuō)：“良品率是有些問(wèn)題。對制造商而言40nm是一項非常困難的技術(shù)。(不過(guò))我們已經(jīng)找到了問(wèn)題的根源，并且已經(jīng)或正在解決。”

　　結合此前消息，臺積電40nm工藝可能無(wú)法很好地控制漏電率，難以制造高性能GPU芯片，不過(guò)蔡力行并未詳加說(shuō)明，只是聲稱(chēng)臺積電已經(jīng)完成了基于28nm工藝的可用SRAM單元，預計2010年第一季度開(kāi)始啟用這種新工藝，屆時(shí)會(huì )帶來(lái)高K介質(zhì)和金屬柵極技術(shù)。

　　蔡力行還在會(huì )議期間對今年的多個(gè)行業(yè)進(jìn)行了展望：IC產(chǎn)業(yè)跌20%、代工產(chǎn)業(yè)跌25-30%、PC出貨量跌8%、手機出貨量跌12%、消費電子產(chǎn)品出貨量跌7%。

　　今年第一季度臺積電收入395.00億新臺幣(￥81.26億元)，環(huán)比減少38.8%、同比減少54.8%，凈利15.59億新臺幣(￥3.21億元)，環(huán)比減少87.5%、同比減少94.5%。臺積電將此糟糕業(yè)績(jì)歸咎于全球經(jīng)濟低迷導致客戶(hù)調整庫存，半導體行業(yè)需求全面銳減。

　　就生產(chǎn)工藝而言，0.13微米依然撐起了臺積電總收入的65%，其次是90nm 25%、65nm 23%、4540nm1%。

　　競爭對手聯(lián)電一季度虧損81.6億新臺幣，相比上季度的235.1億新臺幣大為減少，并預計今年第二季度即可重新盈利，同時(shí)生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工率已從30%升至75%。