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納米 文章 進(jìn)入納米技術(shù)社區
佳能押注納米壓印技術(shù) 價(jià)格比阿斯麥EUV光刻機“少一位數”
- 11月6日消息，日本佳能一直在投資納米壓?。∟ano-imprint Lithography，NIL）這種新的芯片制造技術(shù)，并計劃將新型芯片制造設備的價(jià)格定在阿斯麥最好光刻機的很小一部分，從而在光刻機領(lǐng)域取得進(jìn)展。納米壓印技術(shù)是極紫外光刻（EUV）技術(shù)的低成本替代品。佳能首席執行官御手洗富士夫(Fujio Mitarai)表示，該公司最新的納米壓印技術(shù)將為小型芯片制造商生產(chǎn)先進(jìn)芯片開(kāi)辟出一條道路?！斑@款產(chǎn)品的價(jià)格將比阿斯麥的EUV少一位數，”現年88歲的御手洗富士夫表示。這是他第三次擔任佳能總裁，上一次退
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新思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程
- 摘要：●? ?全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造，提供開(kāi)放、高效的射頻設計解決方案?！? ?業(yè)界領(lǐng)先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統的性能和功耗效率?！? ?集成的設計流程提升了開(kāi)發(fā)者的生產(chǎn)率，提高了仿真精度，并加快產(chǎn)品的上市時(shí)間。近日宣布，攜手是德科技（Keysight）、Ansys共同推出面向臺積公司業(yè)界領(lǐng)先N4PRF工藝（4納米射頻FinFET工藝）的全新參考流程。該參考流程基于新思科技的定制設計系列產(chǎn)品，為追求更高預測精度
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納米數越小，芯片就一定越好？專(zhuān)家：就是營(yíng)銷(xiāo)炒作
- 8月2日消息，英特爾、三星和臺積電都在吹噓他們能在一個(gè)小小的芯片上塞進(jìn)多少晶體管，但就事實(shí)而言，這種宣傳中的納米級尺寸幾乎沒(méi)有任何意義。業(yè)內專(zhuān)家稱(chēng)這種說(shuō)法都是無(wú)稽之談，事實(shí)上的芯片“節點(diǎn)”尺寸遠大于廠(chǎng)商們宣傳的數值。制造用于智能手機、電視和其他電子產(chǎn)品的芯片廠(chǎng)商們總喜歡吹噓自家產(chǎn)品的強大算力。他們還夸口說(shuō)，完成所有復雜工作的芯片體積正在不斷縮小。對于芯片制造商來(lái)說(shuō)，芯片晶體管的日趨小型化標志著(zhù)處理速度不斷提高或能源消耗不斷降低，有助于贏(yíng)得利潤豐厚的合同。但是，關(guān)于芯片小型化的競爭導致市場(chǎng)一片混亂。多少納米
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著(zhù)“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠(chǎng)商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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中科院研發(fā)低維半導體技術(shù)：納米畫(huà)筆“畫(huà)出”各種芯片
- 中科院今天宣布,國內學(xué)者研發(fā)出了一種簡(jiǎn)單的制備低維半導體器件的方法——用“納米畫(huà)筆”勾勒未來(lái)光電子器件,它可以“畫(huà)出”各種需要的芯片。隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展,人們對半導體技術(shù)的要求越來(lái)越高,但是半導體制造難度卻是越來(lái)越大,10nm以下的工藝極其燒錢(qián),這就需要其他技術(shù)。中科院表示,可預期的未來(lái),需要在更小的面積集成更多的電子元件。針對這種需求,厚度僅有0.3至幾納米(頭發(fā)絲直徑幾萬(wàn)分之一)的低維材料應運而生。這類(lèi)材料可以比作超薄的紙張,只是比紙薄很多,可以用于制備納米級別厚度的電子器件。從材料到器件,現有的制備工藝
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從性能提升到生態(tài)擴展，看Qualcomm勾勒5G未來(lái)
- 如何不斷提升5G性能，持續擴展5G生態(tài)，成為2020年行業(yè)重點(diǎn)考慮的5G發(fā)展議題。近日，Qualcomm舉辦了一場(chǎng)線(xiàn)上新聞發(fā)布會(huì )，聚焦5G發(fā)布了多款全新產(chǎn)品，Qualcomm首席執行官史蒂夫·莫倫科夫（Steve Mollenkopf）和總裁安蒙（Cristiano Amon）攜手來(lái)自三星、愛(ài)立信、Facebook、微軟公司、樂(lè )天公司的合作伙伴，共同分享和探討了5G網(wǎng)絡(luò )和終端發(fā)展新態(tài)勢，并展望未來(lái)5G演進(jìn)方向以及在更多行業(yè)開(kāi)創(chuàng )的新機遇。Qualcomm首席執行官史蒂夫·莫倫科夫發(fā)表演講雖有挑戰 5G發(fā)展勢
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美光推出面向移動(dòng)應用、堪稱(chēng)業(yè)內容量最高的單片式內存
- 新聞?wù)? 16Gb LPDDR4X改進(jìn)了能耗、速度和業(yè)內最高容量的單片式裸晶，它的推出進(jìn)一步鞏固了美光在低功耗 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。? 基于 UFS 的多芯片封裝可在同等尺寸條件下降低功耗并增加容量，從而使手機設計更加輕巧美光科技股份有限公司（納斯達克股票代碼：MU）今天宣布推出業(yè)內容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數據率 4X (LPDDR4X) DRAM。美光16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機中提供高達 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM)，顯示了美光為當前和下一代
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隆重推出英特爾Agilex FPGA，迎接以數據為中心的計算新時(shí)代
- 作者/Dan McNamara 英特爾公司高級副總裁兼可編程解決方案事業(yè)部總經(jīng)理 基于 10 納米技術(shù)構建的全新英特爾? FPGA 提供了比前代FPGA 更高的性能，并且降低了能耗從邊緣到網(wǎng)絡(luò )再到云，以數據為中心的計算新時(shí)代已經(jīng)到來(lái)。海量數據對處理數據的硬件、軟件和解決方案的靈活性和敏捷性提出了迫切的需求，無(wú)論數據在何處創(chuàng )建、傳輸與存儲?！ 祿募ぴ龊屠脭祿母偁幷跒榭蛻?hù)創(chuàng )造新的機會(huì )，幫助他們在各個(gè)細分市場(chǎng)進(jìn)行創(chuàng )新。其中，現場(chǎng)可編程邏輯門(mén)陣列 (FPGA) 一直備受矚目?！ ∫虼?，在英特爾
- 關(guān)鍵字： 201905 英特爾 10 納米 ? FPGA
如何替代用于潔凈化學(xué)品交付的玻璃容器
- 隨著(zhù)半導體行業(yè)塌縮到更小的節點(diǎn)和/或采用 3D NAND等復雜的體系結構，以繼續追趕或取代摩爾定律，業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)往往是制程優(yōu)化和化學(xué)配方改良。業(yè)界似乎很少考慮輔助技術(shù)，而此類(lèi)技術(shù)對于滿(mǎn)足當今細微特征和復雜結構的需求而言同樣重要。在半導體制造制程中，以前化學(xué)品的交付并未被視為關(guān)鍵領(lǐng)域之一，但現在正變得越來(lái)越重要?！ ∫约觼霾Ａ繛槔?，它用于包裝、存儲、運輸和交付潔凈的制程用化學(xué)品，如光刻膠、蝕刻劑、前驅體、電介質(zhì)等。多年來(lái)，這些容器對于當時(shí)的任務(wù)而言是適合的而且經(jīng)濟上很劃算。然而， 隨著(zhù)今天的
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我國納米專(zhuān)利申請量世界第一 專(zhuān)家：催化研究最具前景
- 中國投入進(jìn)行納米科研已有數十年時(shí)間，已經(jīng)成為當今世界納米科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步重要的貢獻者，部分基礎研究居國際領(lǐng)先水平，中國納米科技應用研究與成果轉化的成效也已初具規模。這一判斷來(lái)自由施普林格?自然集團、國家納米科學(xué)中心和中國科學(xué)院文獻情報中心29日在第七屆中國國際納米科學(xué)技術(shù)會(huì )議上聯(lián)合發(fā)布的《國之大器 始于毫末—中國納米科學(xué)與技術(shù)發(fā)展狀況概覽》(中英文)白皮書(shū)。 8月29日，第七屆中國國際納米科學(xué)技術(shù)會(huì )議在北京召開(kāi)，大會(huì )吸引來(lái)自全球30多個(gè)國家和地區的2000多名代表出席。在大會(huì )開(kāi)幕式上，
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中國科大設計合成出新型多形體硫化物半導體納米異質(zhì)結
- 近日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)教授俞書(shū)宏課題組與李震宇課題組合作，在多形體硫化物半導體的設計合成及光電轉換應用方面取得了新進(jìn)展。研究成果以封面論文發(fā)表在9月26日出版的《美國化學(xué)會(huì )志》(J. Am. Chem. Soc. 2016,138(39), 12913-12919)上，并被JACS Spotlights選為研究亮點(diǎn)。 新穎的納米晶材料的合成及其形成機理是目前膠體濕化學(xué)方法合成納米晶研究的重點(diǎn)。硫化銅(Cu2-xS)是一類(lèi)傳統的半導體材料，隨著(zhù)x值的變化呈現出不同的晶體結構，當x值增加時(shí)，其禁帶寬
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納米光刻：激光泡沫筆光刻技術(shù)仿造膠體納米顆粒
- 膠體顆粒，比如量子點(diǎn)和金屬納米顆粒，它們正成為微電子、可再生能源以及醫學(xué)領(lǐng)域傳感/施藥等應用的重要設備。不幸的是，使用光子、聚焦離子束或電子束的標準光刻方法不能在固體基板上圖案化這些顆粒。光學(xué)鑷子提供強大的性能以全面操作這些顆粒，然而，使顆粒固定到基板上仍充滿(mǎn)挑戰性。此外，光學(xué)鑷子的高功率運行狀態(tài)(高達100 mW/μm2)限制了其應用范圍。 得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校的研究人員研發(fā)出一種獨特的方法，采用功率非常低的激光器在電漿基板和含有膠體納米顆粒的液體溶液之間的界面位置生成微泡。這種&ld
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Semblant新設硅谷和中國辦事處支持日益增長(cháng)的移動(dòng)設備納米保護涂層需求
- 作為電子設備納米保護涂層和液害防護行業(yè)的市場(chǎng)領(lǐng)導者，Semblant今天宣布，為增強其全球業(yè)務(wù)，該公司將添設兩個(gè)新辦事處，即位于美國硅谷的全球總部和位于中國珠海的客戶(hù)涂層中心。這兩個(gè)辦事處都將通過(guò)提供大量產(chǎn)品合格審查和銷(xiāo)售活動(dòng)，為客戶(hù)提供支持?！ 拔覀兎浅８吲d宣布設立兩個(gè)最新的辦事處”，Semblant首席執行官Simon McElrea說(shuō)：“納米保護涂層的市場(chǎng)正在快速增長(cháng)，我們的硅谷和中國辦事處將完美地定位于管理市場(chǎng)的業(yè)務(wù)和運營(yíng)需要。防水/防腐已經(jīng)成為消費用電子設備設計師的一個(gè)主要關(guān)切。Sembl
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納米介紹
納米是長(cháng)度單位，原稱(chēng)毫微米，就是10^-9米（10億分之一米），即10^-6毫米（100萬(wàn)分之一毫米）。納米科學(xué)與技術(shù)，有時(shí)簡(jiǎn)稱(chēng)為納米技術(shù)，是研究結構尺寸在1至100納米范圍內材料的性質(zhì)和應用。納米效應就是指納米材料具有傳統材料所不具備的奇異或反常的物理、化學(xué)特性，如原本導電的銅到某一納米級界限就不導電，原來(lái)絕緣的二氧化硅、晶體等，在某一納米級界限時(shí)開(kāi)始導電。這是由于納米材料具有顆粒尺寸小、比表面 [ 查看詳細 ]
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