三星系統IC業(yè)務(wù)2014年訂立技術(shù)領(lǐng)先目標

　　三星電子(SamsungElectronics)系統IC部門(mén)以系統單晶片(SystemonChip;SoC)、大型積體電路(LargeScaleIntegration;LSI)、晶圓代工為主要事業(yè)，在SoC方面，三星主要供應行動(dòng)應用處理器(ApplicationProcessor;AP)，除搭載于三星品牌行動(dòng)裝置外，亦對外販售給大陸等地區行動(dòng)裝置業(yè)者。

　　2013年三星采用英國安謀(ARM)公司的大小核(bigLITTLE)配置，發(fā)表以4大Cortex-A15搭配4小Cortex-A7的8核行動(dòng)AP，2014年三星行動(dòng)AP事業(yè)不僅計劃導入20奈米制程，亦將發(fā)展ARM架構與其自有架構的64位元核心，并供應結合行動(dòng)AP與網(wǎng)通晶片的SoC。

　　三星的LSI事業(yè)主要供應CMOS影像感測IC(CMOSImageSensor;CIS)、顯示器驅動(dòng)IC(DisplayDriverIC;DDI)及智慧卡IC等產(chǎn)品，為提升CIS解析度，持續縮小畫(huà)素間距，以增加畫(huà)素數量，2014年三星更計劃運用可消除入射光損耗的背面照度(Back-SideIllumination;BSI)技術(shù)，并搭配可降低BSI相鄰畫(huà)素間干擾的ISOCELL技術(shù)，將其行動(dòng)裝置用CIS最高解析度自現行1,300萬(wàn)畫(huà)素提升至1,600萬(wàn)畫(huà)素。

　　晶圓代工事業(yè)則以先進(jìn)制程、產(chǎn)能及矽智財(IntellectualProperty;IP)為主要訴求，2014年不僅將持續開(kāi)發(fā)3D封裝Widcon技術(shù)、14奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinField-EffectTransistor;FinFET)及其以下先進(jìn)制程，更將發(fā)展有利增加晶圓代工廠(chǎng)彈性的Foundry2.0營(yíng)運模式。

　　DIGITIMESResearch研究發(fā)現，2013年三星系統IC事業(yè)部新增電源管理IC(PowerManagementIC;PMIC)與網(wǎng)通晶片等產(chǎn)品線(xiàn)，顯示漸朝齊備行動(dòng)裝置相關(guān)晶片產(chǎn)品線(xiàn)發(fā)展，以因應該市場(chǎng)對行動(dòng)通訊應用需求增加，此亦凸顯三星積極強化其內制行動(dòng)裝置相關(guān)晶片能力的企圖心。