英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開(kāi)發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數據傳輸專(zhuān)利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。

該合作計劃于2027年完成原型開(kāi)發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標是在2030年前實(shí)現商業(yè)化。

Saimemory將主要專(zhuān)注于芯片的設計工作以及專(zhuān)利管理，而芯片的制造環(huán)節則將交由外部代工廠(chǎng)負責這種分工模式有助于充分發(fā)揮各方的優(yōu)勢，提高研發(fā)效率。如果這項技術(shù)成功，軟銀希望優(yōu)先獲得供應權，為其投資的AI業(yè)務(wù)（如ARM架構芯片）構建供應鏈協(xié)同優(yōu)勢。

在A(yíng)I算力需求爆發(fā)的當下，HBM因適配AI處理器的數據吞吐需求而成為市場(chǎng)焦點(diǎn)，但復雜制程導致的高成本、高功耗及發(fā)熱問(wèn)題卻日益凸顯。因此，軟銀與英特爾計劃通過(guò)采用不同于現有HBM的布線(xiàn)方式：通過(guò)垂直堆疊多顆DRAM芯片，并改進(jìn)芯片間的互連技術(shù)（如采用英特爾的嵌入式多芯片互連橋接技術(shù) EMIB），在提升存儲容量的同時(shí)降低數據傳輸功耗。實(shí)現至少大一倍的存儲容量，同時(shí)將耗電量減少40%，并大幅降低成本。

Saimemory并非第一家探索3D堆疊式DRAM的企業(yè)，三星早在去年就宣布了開(kāi)發(fā)3D DRAM和堆疊式DRAM的計劃。不過(guò)，這些項目的重點(diǎn)在于提升單芯片容量，目標是實(shí)現每個(gè)內存模塊高達512GB的容量。相比之下，Saimemory的核心目標是降低功耗 —— 這是當前數據中心最為迫切的需求，尤其是在A(yíng)I計算功耗逐年飆升的背景下。

當前，全球僅有三星、SK海力士和美光三家公司能夠量產(chǎn)最新一代HBM芯片。隨著(zhù)AI芯片需求的激增，HBM供不應求的情況日益嚴重，Saimemory希望借助這一替代方案搶占日本數據中心市場(chǎng)，甚至進(jìn)一步擴展其影響力。這也標志著(zhù)日本時(shí)隔二十多年后，首次試圖重返主流存儲芯片供應商行列。

在1980年代，日本企業(yè)曾占據全球約70%的存儲芯片市場(chǎng)份額，是當時(shí)的行業(yè)霸主。然而，隨著(zhù)韓國和臺灣地區廠(chǎng)商的崛起，1990年代后衰退，市占率暴跌，日本多數存儲芯片企業(yè)逐漸退出了市場(chǎng)，僅存材料和設備等領(lǐng)域優(yōu)勢。

日本存儲器復興野心

AI服務(wù)器需求推動(dòng)HBM價(jià)格在2024年上漲超50%，2025年仍供不應求。軟銀和英特爾并不打算在HBM領(lǐng)域直接競爭，而是計劃開(kāi)發(fā)一種能夠顯著(zhù)降低功耗的“堆疊式DRAM芯片”，這實(shí)際上是在尋求重塑市場(chǎng)，而非進(jìn)入現有市場(chǎng)。Saimemory的替代方案若能在2030年前量產(chǎn)，有望切入日本本土數據中心市場(chǎng)，并憑借低功耗優(yōu)勢吸引對電費敏感的互聯(lián)網(wǎng)企業(yè)。

Saimemory將自己定義為一家無(wú)晶圓廠(chǎng)芯片設計和知識產(chǎn)權管理公司，這與三星和SK海力士形成了鮮明對比，后者則采用綜合設計和制造存儲芯片的方式。據東京電視臺報道，Saimemory將于7月開(kāi)始運營(yíng)，軟銀擔任公司首席財務(wù)官，英特爾擔任首席技術(shù)官，東京大學(xué)擔任首席科學(xué)官，一位前東芝高管將擔任首席執行官。

自1980年代失去70%以上的DRAM市場(chǎng)份額后，日本最后一家DRAM制造商爾必達（Elpida）于2012年破產(chǎn)，并被美國美光公司收購，東芝分拆出來(lái)的鎧俠（Kioxia）目前只生產(chǎn)NAND閃存。韓國是存儲芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)導者，三星和SK海力士占據了全球DRAM市場(chǎng)73%的份額，以及NAND閃存市場(chǎng)的51%，控制著(zhù)全球約90%的HBM市場(chǎng)。

日本政府正與軟銀攜手合作，重建該國的半導體產(chǎn)業(yè)。去年4月，軟銀開(kāi)始在北海道建設日本最大的數據中心，投資額達650億日元，其中約45%由政府補貼。該設施位于Rapidus附近，引發(fā)了人們對其將從這家新代工廠(chǎng)采購芯片的猜測。據《朝日新聞》報道，日本迄今已承諾向Rapidus投資1.82萬(wàn)億日元，并為此修改了《信息處理促進(jìn)法》等法律。

而對于英特爾而言，此次合作亦是其「IDM 2.0」戰略的延伸，通過(guò)開(kāi)放技術(shù)合作擴大生態(tài)影響力，而非僅依賴(lài)自有制造能力。然而，技術(shù)落地仍面臨多重挑戰：3D堆疊DRAM的良率控制、量產(chǎn)成本能否真正低于HBM、與現有AI處理器的兼容性適配等均需時(shí)間驗證。