臺積電擬限制出口最先進(jìn)工藝技術(shù)

據中國臺灣《經(jīng)濟日報》報道，中國臺灣計劃加強對先進(jìn)制程技術(shù)出口以及對外半導體投資的管控，相關(guān)新規預計將對臺積電等企業(yè)產(chǎn)生重大影響。

此次修訂的規則基于修訂后的《產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新法》第 22 條，預計將于 2025 年底生效，不過(guò)經(jīng)濟部表示，該法的實(shí)施日期將在各子法規修訂后（六個(gè)月內）公布，這意味著(zhù)最早可能在 2025 年底開(kāi)始實(shí)施。

新的法律措施將強制執行「N - 1」技術(shù)限制，實(shí)質(zhì)上禁止臺積電出口其最新生產(chǎn)節點(diǎn)，并對違規行為處以罰款。行政院長(cháng)趙榮泰確認的「N - 1」政策將適用于臺積電在美國的計劃生產(chǎn)，該政策限制了最先進(jìn)工藝技術(shù)的出口，僅允許將比其早一代的技術(shù)部署到國外。

此前，中國臺灣法規并未明確要求對半導體制造工藝進(jìn)行此類(lèi)管控。此次修訂還引入了此前未曾出現的處罰措施：未經(jīng)事先批準在海外投資的公司可能面臨 5 萬(wàn)至 100 萬(wàn)新臺幣（約合 30,830 美元）的罰款；如果投資已獲批準，但公司隨后未能糾正已發(fā)現的違規行為（例如危害國家安全或損害經(jīng)濟發(fā)展），當局可處以 50 萬(wàn)至 1000 萬(wàn)新臺幣（約合 15,414 美元）的重復罰款。不過(guò)，鑒于臺積電計劃在其美國工廠(chǎng)投資 1650 億美元，30 萬(wàn)美元的罰款幾乎不會(huì )影響公司的盈利。

此外，經(jīng)中國臺灣「立法機構」三讀通過(guò)的修訂法賦予中國臺灣當局拒絕或取消海外投資的權力。如果這些投資被發(fā)現危害中國臺灣安全、損害中國臺灣經(jīng)濟發(fā)展、違反條約義務(wù)或導致未解決的重大勞資糾紛，根據新法律，這六個(gè)條件得以保留，但現在得到了更高級別的立法支持。修訂后的第 22 條還包括部分或全部拒絕投資或在批準時(shí)附加條件的可能性。如果公司獲得批準但后來(lái)觸發(fā)任何這些風(fēng)險，中央主管部門(mén)有權要求采取糾正措施，如果問(wèn)題嚴重，則完全撤銷(xiāo)該投資。新法律將現有的投資限制從子法規上升為正式立法，并增加了不遵守規定的法律后果。

臺積電最先進(jìn)的制程技術(shù)存在相關(guān)情況。目前，臺積電擁有一個(gè)尖端節點(diǎn)：N3P 制造技術(shù)。但到今年年底，它將開(kāi)始采用 N2 制程生產(chǎn)芯片，而 N2 制程將成為其旗艦技術(shù)。然而，從 2026 年底開(kāi)始，臺積電預計將擁有兩個(gè)旗艦節點(diǎn)：面向不需要高級供電的客戶(hù)端應用的 N2P，以及面向高功耗 HPC 應用、采用 Super Power Rail 背面供電技術(shù)的 A16。

目前尚不清楚哪種制程技術(shù)會(huì )被中國臺灣視為「旗艦」技術(shù)，從而受到出口限制；或者，當臺積電推出 N2P 和 A16 的后續產(chǎn)品——A14 和 A16P 節點(diǎn)時(shí)，政府是否會(huì )在一年內禁止這兩個(gè)節點(diǎn)的出口。

該法規的推出正值地緣政治風(fēng)險不斷上升之際，此前臺積電宣布計劃將其在美國產(chǎn)能的投資從四年內的 650 億美元增加到 1650 億美元（具體時(shí)間未披露）。

早在去年，中國臺灣省經(jīng)濟部長(cháng)郭智輝就曾在臺北舉行的立法機構經(jīng)濟委員會(huì )會(huì )議上公開(kāi)表示，中國臺灣的科技保護規則使得臺積電目前無(wú)法在海外生產(chǎn) 2nm 芯片，因此該公司必須將其最前沿的技術(shù)留在中國臺灣。

臺積電目前正在積極推進(jìn) N2（2nm）制程的制造，納米片器件性能接近目標，256Mb SRAM 的平均良率>90%，目前已經(jīng)收到了多個(gè) TO，有望于今年下半年量產(chǎn)。此外，臺積電還在研發(fā) N2P 和 N2X 制程。

與 N3E 相比，N2P 在相同功耗下，性能可提升 18%，在相同性能下，功耗可降低 36%，密度將提高 1.2 倍。臺積電預計，N2P 有望在 2026 年下半年投入生產(chǎn)。而 N2X 則將在 2027 年量產(chǎn)。

近日，臺積電還披露了其 A14（1.4 納米級）制造技術(shù)，并承諾該技術(shù)將在性能、功耗和晶體管密度方面，相較于其 N2（2 納米）工藝帶來(lái)顯著(zhù)提升。

據悉，這一新節點(diǎn)將采用其第二代環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管，并借助 NanoFlex Pro 技術(shù)提供更高的靈活性。臺積電預計 A14 將于 2028 年進(jìn)入大規模生產(chǎn)階段，但屆時(shí)不具備背面供電功能。帶有背面供電功能的 A14 版本計劃于 2029 年推出。

臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展與全球銷(xiāo)售高級副總裁兼副首席運營(yíng)官張曉強（Kevin Zhang）表示：「A14 是我們的全節點(diǎn)下一代先進(jìn)硅技術(shù)。如果從速度方面來(lái)看，（與 N2 相比）性能提升高達 15%，功耗降低 30%，邏輯密度是整體芯片密度的 1.23 倍，對于混合設計而言至少是 1.2 倍。所以，這是一項非常非常重要的技術(shù)?！?/span>