臺積電CoW-SoW 預計2027年量產(chǎn)
隨著(zhù)IC設計業(yè)者透過(guò)增加芯片尺寸提高處理能力,考驗芯片制造實(shí)力。英偉達達AI芯片Blackwell,被CEO黃仁勛譽(yù)為「非常非常大的GPU」,而確實(shí)也是目前業(yè)界面積最大的GPU,由兩顆Blackwell芯片拼接而成,并采用臺積電4納米制程,擁有2,080億個(gè)晶體管,然而難免遇到封裝方式過(guò)于復雜之問(wèn)題。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202409/462585.htmCoWoS-L封裝技術(shù),使用LSI(本地硅互連)橋接RDL(硅中介層)連接晶粒,傳輸速度可達10/TBs左右;不過(guò)封裝步驟由于橋接放置精度要求極高,稍有缺陷都可能導致價(jià)值4萬(wàn)美元的芯片報廢,從而影響良率及獲利。
相關(guān)人士透露,由于GPU晶粒、LSI橋接、RDL中介層和主基板之間的熱膨脹系數(CTE)相異,導致芯片翹曲、系統故障。為提升良率,輝達重新設計GPU芯片頂部金屬層和凸點(diǎn)。不只是AI芯片RTO(重新流片)修改設計,據供應鏈透露,準備發(fā)布之50系列的顯卡也需要RTO,上市時(shí)間較原本遞延。
芯片設計問(wèn)題將不會(huì )只是英偉達所獨有。供應鏈透露,這類(lèi)問(wèn)題只會(huì )越來(lái)越多,不過(guò)為了消除缺陷或為提高良率而變更芯片設計于業(yè)內相當常見(jiàn)。AMD執行長(cháng)蘇姿豐曾透露,隨著(zhù)芯片尺寸不斷擴大,制造復雜度將不可避免地增加。次世代芯片需要在效能和功耗方面取得突破,才能滿(mǎn)足AI數據中心對算力的巨大需求。
以開(kāi)發(fā)全球最大AI芯片的Cerebras指出,多芯片組合技術(shù)難度將呈現指數級成長(cháng),強調「一整片晶圓就是一個(gè)處理器」,Cerebras的Wafer-Scale Engine(WSE)系列即采用AI領(lǐng)域知名的「晶圓級處理器」。依照臺積電一直在發(fā)展晶圓級系統整合技術(shù) InFO-SoW(System-on-Wafer),Dojo超級計算機訓練區塊(Training Tile)就是基于臺積電InFO-SoW并已量產(chǎn)的首款解決方案。
因應大芯片趨勢、及AI負載需要更多HBM,臺積電計劃結合InFO-SoW和SoIC為CoW-SoW,將內存或邏輯芯片堆棧于晶圓上,并預計在2027年量產(chǎn)??深A見(jiàn)的未來(lái),將看到更多在整片晶圓上迭迭樂(lè )的巨無(wú)霸AI芯片出現。
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