英偉達 RTX 50 系列顯卡被曝推遲，需重新流片以提升良率

IT之家 9 月 3 日消息，中國臺灣《工商時(shí)報》今天報道稱(chēng)，臺積電 CoW-SoW 預計 2027 年量產(chǎn)。為提升良率，英偉達需要重新設計 GPU 頂部金屬層和凸點(diǎn)。

不只是 AI 芯片需要 RTO（重新流片）修改設計，@手機晶片達人 表示英偉達正準備發(fā)布的 RTX 50 系列消費級顯卡 GPU 也需要 RTO，故上市時(shí)間有所推遲。

英偉達 Blackwell 被黃仁勛稱(chēng)為「非常非常大的 GPU」，當然它確實(shí)也是目前業(yè)界面積最大的 GPU，由兩顆 Blackwell 芯片拼接而成，采用臺積電 4nm 制程，擁有 2080 億個(gè)晶體管。也正因此，這類(lèi)芯片難免會(huì )遇到封裝方式過(guò)于復雜的問(wèn)題。

臺積電的 CoWoS-L 封裝技術(shù)需使用 LSI（本地互連）橋接 RDL（硅中介層）連接芯粒，傳輸速度可達 10TB/s 左右，不過(guò)由于封裝步驟中橋接精度要求極高，稍有缺陷便有可能導致這顆價(jià)值 4 萬(wàn)美元（IT之家備注：當前約 28.4 萬(wàn)元人民幣）的芯片報廢，從而影響良率及成本。

法人透露，由于 GPU 芯粒、LSI 橋接、RDL 中介層和主基板之間的熱膨脹系數（CTE）相異，導致芯片翹曲、系統故障，故英偉達需重新設計 GPU 頂部金屬層和凸點(diǎn)，以提高封裝良率。

當然，這類(lèi)問(wèn)題不只是英偉達存在，只是英偉達出貨量較高，所以更敏感。供應鏈透露，這類(lèi)問(wèn)題只會(huì )越來(lái)越多，而這種為了消除缺陷或為提高良率而變更芯片設計的方式在業(yè)內相當常見(jiàn)。AMD CEO 蘇姿豐也曾透露，隨著(zhù)芯片尺寸不斷擴大，制造復雜度將不可避免地增加，次世代芯片需要在效能和功耗方面取得突破，才能滿(mǎn)足 AI 數據中心對算力的巨大需求。

為應對此類(lèi)大芯片趨勢、及 AI 負載需要更多 HBM，臺積電計劃結合 InFO-SoW 和 SoIC 為 CoW-SoW，將存儲芯片或邏輯芯片堆疊于晶圓上，并預計于 2027 年實(shí)現量產(chǎn)。