沖刺 1nm 制程，日本 Rapidus、東京大學(xué)與法國研究機構合作開(kāi)發(fā)尖端半導體

IT之家 11 月 17 日消息，據《日本經(jīng)濟新聞》當地時(shí)間今日凌晨報道，日本芯片制造商 Rapidus、東京大學(xué)將與法國半導體研究機構 Leti 合作，共同開(kāi)發(fā)電路線(xiàn)寬為 1nm 級的新一代半導體設計的基礎技術(shù)。

報道稱(chēng)，雙方將從明年開(kāi)始展開(kāi)人員交流、技術(shù)共享，法國研究機構 Leti 將貢獻其在芯片元件方面的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，以構建供應 1nm 產(chǎn)品的基礎設施。

雙方的目標是確立設計開(kāi)發(fā)線(xiàn)寬為 1.4nm-1nm 的半導體所需要的基礎技術(shù)。制造 1nm 產(chǎn)品需要不同于傳統的晶體管結構，Leti 在該領(lǐng)域的成膜等關(guān)鍵技術(shù)上具備較為雄厚的實(shí)力。

與 2nm 相比，1nm 技術(shù)可將計算性能和效率提升 10-20%。Rapidus 已經(jīng)與 IBM 和比利時(shí)研發(fā)集團 Imec 合作，以實(shí)現 2027 年量產(chǎn) 2nm 芯片的目標，預計 1nm 半導體最快在 2030 年代進(jìn)入主流。同時(shí)，IBM 也考慮在 1nm 領(lǐng)域與 Rapidus 進(jìn)行合作。

另?yè)蘒T之家此前報道，荷蘭大型半導體制造設備廠(chǎng)商 ASML 將在 2024 年下半年之前在日本北海道新建技術(shù)支持基地。Rapidus 公司正在力爭量產(chǎn)最先進(jìn)半導體，ASML 將為 Rapidus 提供工廠(chǎng)建設和維護檢查等協(xié)助，到 2028 年前后將日本國內人員增加 40%。