三星宣布3nm芯片成功流片，規?；慨a(chǎn)時(shí)間節點(diǎn)臨近

　　6月29日消息，據外媒報道，三星宣布，3nm制程技術(shù)已經(jīng)正式流片。據介紹，三星的3nm制程采用的是GAA架構，性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構。

　　報道稱(chēng)，三星在3nm制程的流片進(jìn)度是與新思科技合作完成的，目的在于加速為GAA架構的生產(chǎn)流程提供高度優(yōu)化的參考方法。因為三星的3nm制程采用不同于臺積電或英特爾所采用的FinFET的架構，而是采用GAA的結構。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。