全球第一家!臺積電官宣2nm工藝:2024年投產(chǎn)
這幾年,雖然摩爾定律基本失效或者說(shuō)越來(lái)越遲緩,但是在半導體工藝上,幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進(jìn)入10nm工藝時(shí)代并將在后年轉入7nm,臺積電、三星則紛紛完成了7nm工藝的布局并奔向5nm、3nm。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/201906/401571.htm現在,臺積電又官方宣布,正式啟動(dòng)2nm工藝的研發(fā),工廠(chǎng)設置在位于臺灣新竹的南方科技園,預計2024年投入生產(chǎn),時(shí)間節奏上還是相當的快。
按照臺積電給出的指標,2nm工藝是一個(gè)重要節點(diǎn),Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x,同時(shí)Gate Pitch(晶體管柵極間距)縮小到30nm,Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm,相比于3nm都小了23%。
臺積電沒(méi)有透露2nm工藝所需要的技術(shù)和材料,看晶體管結構示意圖和目前并沒(méi)有明顯變化,能在硅半導體工藝上繼續壓榨到如此地步真是堪稱(chēng)奇跡,接下來(lái)就看能不能做到1nm了。
當然,在那之前,臺積電還要接連經(jīng)歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個(gè)工藝節點(diǎn)。
其中,7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術(shù),目前已經(jīng)投入量產(chǎn);6nm只是7nm的一個(gè)升級版,明年第一季度試產(chǎn);5nm全面導入極紫外光刻,已經(jīng)開(kāi)始風(fēng)險性試產(chǎn),明年底之前量產(chǎn),蘋(píng)果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望采納);3nm有望在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)。
三星也早就規劃到了3nm,預期2021年量產(chǎn)。
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