韓國半導體業(yè)發(fā)家史：政府推動(dòng) 三星“死磕”

　　2017年半導體產(chǎn)業(yè)締造了一項新紀錄。

　　國際研究機構Gartner研究總監George Brocklehurst表示，這項記錄便是三星將英特爾擠下全球半導體營(yíng)收龍頭的寶座。英特爾自1992年以來(lái)連續25年“全球第一大廠(chǎng)”的名頭就此讓位。Gartner最新的統計結果顯示，2017年全球半導體營(yíng)收總計4204億美元，較2016年的3459億美元增長(cháng)21.6%。

　　此外，根據IC Isights等機構的統計數據，從營(yíng)收來(lái)看，全球前三大半導體公司中韓國占據兩席，三星、SK海力士分別位居一、三名。三星、SK海力士在2017年營(yíng)收大增，主要和芯片短缺造成的價(jià)格走高有關(guān)。

　　自20世紀80年代三星建立半導體研究與開(kāi)發(fā)實(shí)驗室起至今，韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可謂“勵志”。

　　不到40年的時(shí)光中，韓國的半導體產(chǎn)業(yè)在起步比美國、日本晚上十幾年的情況下，從一片荒蕪逐漸生長(cháng)為半導體產(chǎn)業(yè)之林的巨擘，離不開(kāi)密集的技術(shù)援助、政府的強力保護以及企業(yè)的“死磕”。

　　沉淀：“政府+大財團”的模式

　　韓國的半導體產(chǎn)業(yè)以技術(shù)引入起步，經(jīng)過(guò)20年左右的沉淀，在芯片設計與加工技術(shù)等領(lǐng)域完成了自身技術(shù)積累。

　　1959年，LG公司的前身“金星社”研制、生產(chǎn)出韓國的第一臺真空管收音機，這也被認為是韓國半導體產(chǎn)業(yè)的起源。但當時(shí)的韓國并沒(méi)有自主生產(chǎn)能力，只能對進(jìn)口元器件進(jìn)行組裝。

　　20世紀60年代中期開(kāi)始仙童半導體(Fairchild)和摩托羅拉(Motorola)等美國公司越來(lái)越多地投資于東南亞等低價(jià)勞動(dòng)力國家，以降低其生產(chǎn)成本，韓國從這一趨勢中獲益，但僅停留在經(jīng)濟層面。

　　OECD(經(jīng)合組織)在一份報告中指出，對于這些美國投資者的子公司而言，韓國只是“飛地”，對于韓國的技術(shù)進(jìn)步未起到任何作用，“他們只是專(zhuān)門(mén)從事簡(jiǎn)單的晶體管和ICs的組裝，用于出口，所需的材料和生產(chǎn)設備都是進(jìn)口的”。

　　到了20世紀70年代，三洋(Sanyo)和東芝(Toshiba)等日本公司半導體公司也開(kāi)始在韓國投資。但直到20世紀80年代初，韓國的半導體工業(yè)仍然非常局限，只是一個(gè)簡(jiǎn)單的、勞力密集的組裝節點(diǎn)。

　　隨著(zhù)20世紀70年代外部世界市場(chǎng)環(huán)境變化以及韓國工資水平的提高，韓國輕工業(yè)產(chǎn)品出口比率大幅下降，外債也上升到危險的水平，韓國經(jīng)濟受到威脅。

　　為此，韓國政府在1973年宣布了“重工業(yè)促進(jìn)計劃”(HCI促進(jìn)計劃)，旨在通過(guò)重工業(yè)和化學(xué)工業(yè)發(fā)展來(lái)建立一個(gè)自給自足的經(jīng)濟。1975年，韓國政府公布了扶持半導體產(chǎn)業(yè)的六年計劃，強調實(shí)現電子配件及半導體生產(chǎn)的本土化。

　　韓國政府還組織“官民一體”的DRAM共同開(kāi)發(fā)項目，即通過(guò)政府的投資來(lái)發(fā)展DRAM產(chǎn)業(yè)。

　　在半導體產(chǎn)業(yè)化的過(guò)程中，韓國政府推進(jìn)“政府+大財團”的經(jīng)濟發(fā)展模式，并推動(dòng)“資金+技術(shù)+人才”的高效融合。在此過(guò)程中，韓國政府還將大型的航空、鋼鐵等巨頭企業(yè)私有化，分配給大財團，并向大財團提供被稱(chēng)為“特惠”的措施。

　　《經(jīng)濟學(xué)人》在1995年的文章中評論稱(chēng)，20世紀80年代韓國工業(yè)的發(fā)展得益于HCI促進(jìn)計劃，由于如此龐大的資源集中于少數財團，他們可以迅速進(jìn)入資本密集型的DRAMs生產(chǎn)，并最終克服生產(chǎn)初期巨大的財務(wù)損失。

　　超越：三星的崛起

　　1983年是韓國半導體產(chǎn)業(yè)的歷史轉折點(diǎn)。

　　韓國財團的進(jìn)入讓半導體行業(yè)進(jìn)入大規模集成(VLSI)生產(chǎn)時(shí)代，這些包括三星、金星社以及現代公司(后改名為海力士半導體，并被SK集團收購)等企業(yè)。這實(shí)現了韓國工業(yè)的質(zhì)變——從簡(jiǎn)單的裝配生產(chǎn)到精密的晶片加工生產(chǎn)。

　　20世紀80年代，三星和現代的財團都在尋找未來(lái)的商業(yè)領(lǐng)域，最終他們的目標是，從工業(yè)基地轉型為更具高科技導向的產(chǎn)業(yè)。當三星決定通過(guò)其電子業(yè)務(wù)進(jìn)入大規模集成芯片生產(chǎn)時(shí)，現代決定將芯片生產(chǎn)作為實(shí)現其向電子產(chǎn)業(yè)多樣化的一個(gè)途徑。而隨后金星社的加入，讓韓國最大的三家財團均參與進(jìn)VLSI生產(chǎn)。

　　三星發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)是一部濃縮的韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展史。

　　前三星集團首席執行官李秉哲(Lee Byung Chul)在1983年2月決定對內存芯片生產(chǎn)進(jìn)行大規模投資。這被認為是一個(gè)非常大膽的決定。因為當時(shí)韓國仍是一個(gè)簡(jiǎn)單的裝配生產(chǎn)基地，1983年，整個(gè)半導體生產(chǎn)中晶圓加工的份額也僅為4.3%。

　　根據三星的官方策略解釋?zhuān)请娮庸井敃r(shí)遭遇了日本進(jìn)口芯片的頻繁交付問(wèn)題。以上的所有因素促使李秉哲?chē)L試進(jìn)入VLSI芯片業(yè)務(wù)。

　　三星制定了一個(gè)詳細的計劃，根據這個(gè)計劃，三星全部半導體產(chǎn)品中大約50%應該是DRAM。通過(guò)對精心挑選的DRAM領(lǐng)域關(guān)注，實(shí)現規模經(jīng)濟和成本的競爭力。

　　其后，SST國際公司在硅谷成立，成為三星的技術(shù)前哨。SST國際公司(與Tristar半導體公司同年更名)為三星的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)做出了重大貢獻，SST國際公司成功開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品會(huì )轉讓給韓國的母公司SST，用于批量生產(chǎn)，這對三星的技術(shù)開(kāi)發(fā)起到了至關(guān)重要的作用。

　　1983年，三星在京畿道器興地區建成首個(gè)芯片廠(chǎng)，并開(kāi)始了接下來(lái)的一系列動(dòng)作。三星電子首先向當時(shí)遇到資金問(wèn)題的美光(47.58, 0.96, 2.06%)(Micron)公司購買(mǎi)64K DRAM技術(shù)，加工工藝則從日本夏普公司獲得，此外，三星還取得了夏普“互補金屬氧化物半導體工藝”的許可協(xié)議。

　　在此過(guò)程中，三星等韓國公司已逐漸熟悉漸進(jìn)式工藝創(chuàng )新，加上這些公司逆向工程方面的長(cháng)期經(jīng)驗，韓國的半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入了發(fā)展的快車(chē)道。

　　在選擇DRAM作為主要產(chǎn)品后不久，三星于1983年11月成功研發(fā)了64K DRAM。從技術(shù)上講，韓國半導體行業(yè)實(shí)現了從相對簡(jiǎn)單的LSI技術(shù)到尖端的VLSI技術(shù)的重大飛躍。由此，1983年標志著(zhù)韓國VLSI芯片時(shí)代的開(kāi)始。不可否認的是，在最初階段，外國技術(shù)許可在三星產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。

　　隨后，三星電子1984年成立了一家現代化的芯片工廠(chǎng)，用于批量生產(chǎn)64K DRAM。1984年秋季首次將其出口到美國。1985年成功開(kāi)發(fā)了1M DRAM，并取得了英特爾“微處理器技術(shù)”的許可協(xié)議。

　　此后三星在DRAM上不斷投入，韓國政府也全力配合。由韓國電子通信研究所[KIST，由韓國科學(xué)和技術(shù)部(MOST)管理]牽頭，聯(lián)合三星、LG、現代與韓國六所大學(xué)，“官產(chǎn)學(xué)”一起對4M DRAM進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)。該項目持續三年，研發(fā)費用達1.1億美元，韓國政府便承擔了57%。隨后韓國政府還推動(dòng)了16M / 64M DRAM的合作開(kāi)發(fā)項目。

　　1983年至1987年間實(shí)施的“半導體工業(yè)振興計劃”中，韓國政府共投入了3.46億美元的貸款，并激發(fā)了20億美元的私人投資，這大力促進(jìn)了韓國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

　　在1987年，世界半導體市場(chǎng)還出現另一個(gè)機會(huì )，這源自美國和日本之間的半導體貿易沖突以及隨后的政治調控。1985年以后，日本DRAM生產(chǎn)商市場(chǎng)份額的增加，被認為是犧牲了美國生產(chǎn)商的利益，美日之間的貿易沖突日益加劇。

　　日本首先宣布對外國半導體生產(chǎn)商實(shí)施半導體貿易協(xié)定(STA)，美國政府則于1987年3月宣布了對含日本芯片的日本產(chǎn)品征收反傾銷(xiāo)稅等報復措施。

　　最終，日本承諾通過(guò)減少DRAM產(chǎn)量來(lái)提高芯片價(jià)格。但當時(shí)美國計算機行業(yè)需求增長(cháng)，導致全球市場(chǎng)上256K DRAM的嚴重短缺。這為韓國256K DRAM生產(chǎn)商提供了重要的“機會(huì )之窗”。

　　此后韓國一直在趕超。1988年三星完成4M DRAM芯片設計時(shí)，研發(fā)速度比日本晚6個(gè)月，隨后三星又趁著(zhù)日本經(jīng)濟泡沫破裂，東芝、NEC等巨頭大幅降低半導體投資時(shí)機，加大投資，引進(jìn)日本技術(shù)人員。并于1992年開(kāi)發(fā)出世界第一個(gè)64M DRAM，超過(guò)日本NEC，成為世界第一大DRAM制造商。

　　賭徒：逆周期投資

　　超越日本成為世界第一大DRAM制造商只是三星帶領(lǐng)韓國半導體產(chǎn)業(yè)邁向世界第一梯隊的第一步。

　　1995年之后，三星多次發(fā)起“反周期定律”價(jià)格戰，使得DRAM領(lǐng)域多數廠(chǎng)商走向破產(chǎn)，并逐漸形成DRAM領(lǐng)域只有幾家壟斷市場(chǎng)的現狀。

　　集邦咨詢(xún)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院研究經(jīng)理林建宏對21世紀經(jīng)濟報道記者表示，半導體產(chǎn)業(yè)每年需投入大量資本支出，用于設備與技術(shù)的開(kāi)發(fā)。三星是綜合公司型態(tài)，即使存儲器市場(chǎng)低迷，仍可透過(guò)其他事業(yè)部門(mén)注入資金。這讓三星逐步成為半導體產(chǎn)業(yè)巨擘。

　　比如，三星于1984年推出64K DRAM時(shí)，全球半導體業(yè)步入一個(gè)低潮，內存價(jià)格從每片4美元暴跌至每片30美分，而三星當時(shí)的生產(chǎn)成本是每片1.3美元，這意味著(zhù)每賣(mài)出一片內存三星便虧1美元。

　　在低潮期，英特爾退出DRAM行業(yè)，NEC等日企大幅削減資本開(kāi)支，而三星卻像“賭徒”一般瘋狂加碼，逆周期投資，繼續擴大產(chǎn)能，并開(kāi)發(fā)更大容量的DRAM。

　　到1986年底，三星半導體累積虧損3億美元，股權資本完全虧空。但轉機卻瞬間來(lái)到，1987年，日美半導體協(xié)議的簽署使得DRAM內存價(jià)格回升，三星也為全球半導體市場(chǎng)的需求補缺，開(kāi)始盈利，從逆勢中挺了過(guò)去。

　　在1996年至1999年，三星再次祭出“反周期定律”，而彼時(shí)日立、NEC、三菱的內存部門(mén)不堪重負，被母公司剝離，加上東芝宣布自2002年7月起不再生產(chǎn)通用DRAM，日本DRAM僅剩下?tīng)柋剡_一家。

　　再如，2007年初，因全球DRAM需求過(guò)剩，疊加2008年金融危機，DRAM顆粒價(jià)格從2.25美元暴跌至0.31美元。三星卻將2007年公司總利潤118%用于DRAM擴產(chǎn)，使得DRAM價(jià)格接連跌破現金成本和材料成本。

　　在這樣的攻勢下，德國廠(chǎng)商奇夢(mèng)達于2009年初宣布破產(chǎn)，日本廠(chǎng)商爾必達于2012年初宣布破產(chǎn)，三星市占率進(jìn)一步提升，全球DRAM領(lǐng)域巨頭只剩下三星、海力士和美光。

　　這場(chǎng)價(jià)格戰的影響仍在持續，DRAM從2016年下半年到2018年一季度，一直處于穩定缺貨漲價(jià)期中，在此過(guò)程中，三星芯片業(yè)務(wù)銷(xiāo)售額達690億美元，成為全球最大的芯片制造商。

　　中國半導體投資聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)王艷輝在5月3日接受21世紀經(jīng)濟報道記者采訪(fǎng)時(shí)表示，在品牌發(fā)展不順的時(shí)候，三星等韓國的企業(yè)并未想到要轉去做代工，而是繼續投入，這是韓國能夠出現三星、海力士等全球領(lǐng)先芯片品牌的原因。

　　如何保持第一梯隊優(yōu)勢

　　王艷輝指出，韓國的半導體產(chǎn)業(yè)是從產(chǎn)業(yè)轉移開(kāi)端，在政府主導下，發(fā)展出自有品牌。

　　在韓國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的過(guò)程中，韓國政府對于產(chǎn)業(yè)的支持力度非常強，研發(fā)時(shí)大力投入，產(chǎn)出后進(jìn)行保護。

　　從1990年開(kāi)始，韓國半導體產(chǎn)業(yè)投資興起。從研發(fā)投入來(lái)看，1980年時(shí)半導體領(lǐng)域研發(fā)投入約為850萬(wàn)美元，到1994年時(shí)為9億美元。專(zhuān)利技術(shù)也從1989年底的708項上升至1994年的3336項。

　　1994年，韓國推出了《半導體芯片保護法》。此后，韓國政府還指定芯片產(chǎn)業(yè)及技術(shù)為影響國家競爭力的核心技術(shù)，致力于高度保障技術(shù)及產(chǎn)權。

　　龐大的半導體產(chǎn)業(yè)也發(fā)展出以三星和SK海力士為龍頭，IC制造企業(yè)、半導體設備企業(yè)和半導體材料企業(yè)層層分工，通過(guò)外包、代工的方式構建出的龐大半導體產(chǎn)業(yè)鏈，形成了龍仁、化成、利川等等半導體產(chǎn)業(yè)城市群，支撐著(zhù)韓國的半導體產(chǎn)業(yè)鏈。

　　在韓國的半導體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入全球半導體產(chǎn)業(yè)的第一梯隊后，韓國仍希望保持其自身的優(yōu)勢，不僅通過(guò)“BK21”及“BK21+”等計劃對大學(xué)、專(zhuān)業(yè)或研究所進(jìn)行精準、專(zhuān)項支援。還在2016年時(shí)推出半導體希望基金，投資于半導體相關(guān)企業(yè)，旨在聚焦新技術(shù)的開(kāi)發(fā)，尤其是儲存新技術(shù)方面。

　　這一系列的政策也基本延續“政府+大財團”的產(chǎn)業(yè)政策，鼓勵企業(yè)及大學(xué)間的結合，為芯片產(chǎn)業(yè)培養人才，以維持韓國在半導體產(chǎn)業(yè)上的優(yōu)勢。