大陸今年晶圓廠(chǎng)建廠(chǎng)支出占全球7成

　　SEMI 17日提出最新報告，強調臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在臺積電領(lǐng)軍下，整體產(chǎn)能全球市場(chǎng)份額將逾20%，明年正式超越日本，成為全球最大制造重心。

　　SEMI指出大陸積極建置晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能，去年前段晶圓代工設備投資占全球比重已拉升到 19%，晶圓廠(chǎng)建廠(chǎng)支出金額達 20 億美元，預期今年相關(guān)投資金額將倍增至 40 億美元，占今年全球晶圓廠(chǎng)蓋廠(chǎng)金額 7 成。

　　根據統計，中大陸2012 年開(kāi)始，晶圓設備支出金額與建廠(chǎng)投資金額快速成長(cháng)，占全球設備投資金額比重，自 5 至 7% 一路往上攀升，至去年底止大陸晶圓設備投資金額已占全球比重達 19%。

　　SEMI 表示，今年全球晶圓廠(chǎng)建廠(chǎng)支出金額估較去年下滑 17-18%，但大陸逆勢成長(cháng)，展現雄心壯志擴充當地晶圓廠(chǎng)規模，換算今年全球晶圓建廠(chǎng)支出金額中，大陸占比高達 7 成，預期當地建廠(chǎng)支出金額將持續成長(cháng)至明年。

　　大陸展現雄心，逾20座晶圓廠(chǎng)宣布興建，估計2019年全球產(chǎn)能市占率將推升至18~19%，進(jìn)逼臺灣，值得關(guān)注。

　　SEMI預估今年全球半導體產(chǎn)業(yè)在3D NAND Flash和晶圓代工廠(chǎng)持續沖擊產(chǎn)能下，將擺脫去年疲弱，恢復強勁成長(cháng)，預估年產(chǎn)值將超過(guò)3,600億元，年增5~7%。

　　SEMI仍看好臺灣持續在全球半導體扮演重要地位，尤其臺積電今年資本支出持續維持在100億美元高檔，在中科沖刺10nm及7nm產(chǎn)能;聯(lián)電也擴增28nm產(chǎn)能，預料將使臺灣在全球產(chǎn)能占有率明年超過(guò)20%，正式超越日本，成為全球半導體制造重心。

　　不過(guò)大陸也急起直追。SEMI調查，大陸包括中外資在內，去年宣布逾20個(gè)晶圓廠(chǎng)投資計劃，預料在2018年到2019年密集投產(chǎn)，使大陸晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能全球市占率，達到18%~19%，緊隨臺灣和日本之后，名列全球第三位。

　　大陸啟動(dòng)驚人的晶圓廠(chǎng)投資，成為全球半導體設備支出成長(cháng)最快速的地區，預估2018年全年資本支出將超過(guò)100億美元，金額超過(guò)臺積電，主力集中于存儲器包括3D NAND Flash及晶圓代工，主要投資廠(chǎng)商包括紫光旗下的長(cháng)江存儲，和中芯國際、華力微電子，揚子江儲存和兆易創(chuàng )新等，預估2019年光是陸企半導體廠(chǎng)的資本支出，會(huì )超越外資企業(yè)在大陸投資，追趕臺灣和日本，成為全球半導體制造龍頭的企圖旺盛。

　　SEMI臺灣資深產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理曾瑞榆表示，大陸大舉投入半導體制造，今明兩年逾20個(gè)晶圓廠(chǎng)將投入興建，雖然還未能詳細評估各家企業(yè)的具體投資計劃，不過(guò)從目前臺面上的投資行動(dòng)來(lái)看，主要鎖定臺積電、中芯國際、聯(lián)芯、長(cháng)江存儲和華力微電子等晶圓廠(chǎng)。

　　SEMI引用顧能預估數字，看好今年半導體產(chǎn)業(yè)將成長(cháng)5~7%，有機會(huì )達到3641億美元的高標，恢復強勁成長(cháng)動(dòng)能，主要受惠于存儲器單價(jià)上揚以及整體IC出貨量增加。

　　SEMI指出，細分各產(chǎn)品類(lèi)別的成長(cháng)動(dòng)能，其中存儲器成長(cháng)力道居冠，預估將達到17.8%的成長(cháng)率，其次為NOS達10%、光學(xué)5.8%、ASIC 5.3%、GP Logic 4.1%、模擬3.7%等。