2011年半導體產(chǎn)業(yè)資本支出創(chuàng )411億美元最高紀錄

　　根據國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)的報告顯示，全球半導體產(chǎn)業(yè)的資本支出將在2011年增加到411億美元的最高紀錄；SEMI并預期整體半導體產(chǎn)能也將放緩。

　　SEMI預計2011年將有223座廠(chǎng)房新增設備投資，其中有77項是專(zhuān)門(mén)針對LED設備投資的計劃。明年，預計還將有190座廠(chǎng)房將展開(kāi)或繼續裝機，其中有72項是LED設備相關(guān)投資計劃。

　　2011年設備支出最高的地區是美國，約占100億美元;其次是臺灣，約有90億美元的投資。美洲地區在2002年時(shí)也曾位居設備投資支出之冠。

　　盡管英特爾(Intel)公司的設備投資支出最高，但美國成為設備支出之冠的另一項關(guān)鍵因素在于三星公司(Samsung)于美國德州打造一座造價(jià)25～30億美元的“S2產(chǎn)線(xiàn)”。根據SEMI的全球晶圓廠(chǎng)預測(World Fab Forecast)報告，韓國將在2012年時(shí)超越美國，以超過(guò)100億美元晶圓廠(chǎng)設備支出的投資位居榜首，其次是臺灣約92億美元的設備支出。

　　“近幾個(gè)月來(lái)的經(jīng)濟發(fā)展，使得消費者信心指數與支出下降，連帶半導體產(chǎn)業(yè)也受這一低迷景氣拖累。”SEMI產(chǎn)業(yè)研究與統計部門(mén)的晶圓廠(chǎng)信息資深分析師Christian Gregor Dieseldorff在一份報告中表示。

　　展望未來(lái)，業(yè)界可能無(wú)法抵擋快速增加的需求，例如在NAND閃存市場(chǎng)。SEMI表示，讓一座晶圓廠(chǎng)從破土動(dòng)工到實(shí)現量產(chǎn)約需要一年半的時(shí)間，那么，為了要在2012年或2013年看到產(chǎn)能的增加，建造新廠(chǎng)的計劃必須從現在開(kāi)始!