Nexperia新8英寸晶圓線(xiàn)啟動(dòng)，生產(chǎn)領(lǐng)先Qrr品質(zhì)因數80 V/100 V MOSFET

Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資全球制造工廠(chǎng)以提高產(chǎn)能，包括曼徹斯特和菲律賓的MOSFET生產(chǎn)設備，這對買(mǎi)方來(lái)講一個(gè)好消息。新型MOSFET的性能也令設計人員感到興奮。這些MOSFET非常適合各種開(kāi)關(guān)應用，也可以替代其他供應商的產(chǎn)品?！?/p>本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202106/426550.htm

NextPower 80 V和100 V芯片MOSFET可以顯著(zhù)降低RDS(on)，前一代100 V器件為7 m?，而新器件只有4.3 m?，效率大大提高。對于100 V器件，NextPower技術(shù)還提供44 nC的極低Qrr，有效降低了尖峰值和EMI干擾?？傮w而言，100 V器件的Qrr品質(zhì)因數平均比競爭對手同類(lèi)產(chǎn)品低61%。

新的80 V和100 V MOSFET采用具有高熱性能和電氣性能的Nexperia LFPAK56E銅夾片技術(shù)封裝。器件廣泛適用于開(kāi)關(guān)應用，包括AC/DC、DC/DC和電機控制等。