安森美半導體推出創(chuàng )新的超高密度離線(xiàn)電源方案

推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日推出業(yè)界首款專(zhuān)用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線(xiàn)電源方案集的新成員。

在傳統的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實(shí)現類(lèi)似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開(kāi)關(guān)取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著(zhù)提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開(kāi)關(guān)類(lèi)型，無(wú)論是超級結硅MOSFET還是碳化硅 (SiC) 或氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶開(kāi)關(guān)。

新的 NCP1680 CrM 圖騰柱 PFC 控制器采用新穎的電流限制架構和線(xiàn)路相位檢測，同時(shí)結合經(jīng)驗證的控制算法，提供高性?xún)r(jià)比的圖騰柱 PFC方案，而不影響性能。該 IC 的核心是內部補償數字環(huán)路控制。該創(chuàng )新器件采用含谷底開(kāi)關(guān)的恒定導通時(shí)間 CrM 架構。由于內置非連續導通模式 (DCM)，在頻率返走工作期間谷底同步導通，因此可滿(mǎn)足現代能效標準，包括那些要求在輕載下提供高能效的標準。

該高度集成的器件可使電源設計在通用電源 (90 至 265 Vac) 下以高達350 W的建議功率水平工作。在 230 Vac 電源輸入下，基于 NCP1680 的 PFC 電路能夠在 300 W實(shí)現近 99% 的能效。在外部只需幾個(gè)簡(jiǎn)單的器件即可實(shí)現全功能圖騰柱 PFC，從而節省空間和器件成本。 進(jìn)一步減少器件數，實(shí)現逐周期電流限制，無(wú)需霍爾效應傳感器。

NCP1680采用小型SOIC-16封裝，也可作為評估平臺的一部分，支持快速開(kāi)發(fā)和調試先進(jìn)的圖騰柱PFC設計。

根據圖騰柱開(kāi)關(guān)技術(shù)中，當中包括了高速半橋和低速半橋兩路，其中在高速半橋上，NCP1680 可與 NCP51820 半橋 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 門(mén)極驅動(dòng)器或 NCP51561 隔離型 SiC MOSFET 門(mén)極驅動(dòng)器一起使用。 NCP51561 是隔離型雙通道門(mén)極驅動(dòng)器，具有 4.5 A 源電流和 9 A 灌電流峰值能力。新器件適用于硅功率 MOSFET 和基于 SiC 的 MOSFET 器件的快速開(kāi)關(guān)，提供短且匹配的傳播延遲。兩個(gè)獨立的 5 kVRMS (UL1577 級) 電隔離門(mén)極驅動(dòng)器通道可用作兩個(gè)下橋、兩個(gè)上橋開(kāi)關(guān)或一個(gè)半橋驅動(dòng)器，具有可編程的死區時(shí)間。一個(gè)使能引腳將同時(shí)關(guān)斷兩個(gè)輸出，且 NCP51561 提供其他重要的保護功能，如用于兩個(gè)門(mén)極驅動(dòng)器的獨立欠壓鎖定 (UVLO) 和使能功能。

安森美半導體提供陣容廣泛的 SiC MOSFET，它們比硅 MOSFET 提供更高能效。低導通電阻 (RDS(on)) 和小巧的芯片尺寸確保低電容和門(mén)極電荷 (Qg)，以在更小的系統尺寸中提供最高的能效，從而提高功率密度。 安森美半導體已發(fā)布采用 TO-247-4L 和 D2PAK-7L 封裝的 650 V SiC MOSFET，并將繼續猛增該產(chǎn)品系列。 此外，安森美半導體提供完整的硅基 650 V SUPERFET^? III MOSFET 產(chǎn)品組合。