ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現超低導通電阻的新一代雙極MOSFET

全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET^*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch^*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設備和基站（冷卻風(fēng)扇）的電機驅動(dòng)。

近年來(lái)，為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動(dòng)的器件，需要具備考慮到電壓穩定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進(jìn)一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)工作的要求。

在這種背景下，ROHM繼2020年年底發(fā)布的新一代Pch MOSFET^*2之后，此次又開(kāi)發(fā)出在Nch中融入新微細工藝的第6代40V和60V耐壓的MOSFET。通過(guò)這種組合，使ROHM在支持24V輸入的±40V和±60V耐壓級別擁有了業(yè)界先進(jìn)的Nch+Pch雙極MOSFET產(chǎn)品。此外，為了滿(mǎn)足更廣泛的需求，ROHM還開(kāi)發(fā)出+40V和+60V耐壓的“QH8Kxx / SH8Kxx系列（Nch+Nch）”，產(chǎn)品陣容已達12款。

本系列產(chǎn)品采用ROHM新工藝，實(shí)現了業(yè)界超低的導通電阻，±40V耐壓產(chǎn)品的導通電阻比普通產(chǎn)品低61%（雙極MOSFET的Pch部分比較），有助于進(jìn)一步降低各種設備的功耗。此外，通過(guò)將兩枚器件集成到一個(gè)封裝中，有助于通過(guò)減少安裝面積從而實(shí)現設備的小型化，還有助于減少器件選型（Nch和Pch的組合）的時(shí)間。

本系列產(chǎn)品已于2021年3月開(kāi)始暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規模投入量產(chǎn)（樣品價(jià)格 250日元/個(gè)，不含稅）。另外，新產(chǎn)品也已開(kāi)始電商銷(xiāo)售，可通過(guò)電商平臺Ameya360購買(mǎi)。

今后，ROHM還會(huì )面向要求更高耐壓的工業(yè)設備開(kāi)發(fā)100V和150V耐壓產(chǎn)品，以擴大本系列產(chǎn)品的陣容，通過(guò)降低各種應用的功耗和實(shí)現其小型化來(lái)助力解決環(huán)境保護等社會(huì )問(wèn)題。

＜新產(chǎn)品特點(diǎn)＞

1．實(shí)現業(yè)界超低導通電阻

在ROHM此次開(kāi)發(fā)的業(yè)界先進(jìn)的雙極MOSFET 中，采用了新工藝的、±40V耐壓的產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比，Pch部分的導通電阻降低多達61％，Nch部分的導通電阻也降低達39％，有助于降低各種設備的功耗。

2. 具備只有雙極MOSFET才有的特點(diǎn)，有助于實(shí)現設備的小型化和縮短設計周期

通過(guò)在一個(gè)封裝中內置兩枚器件，有助于設備的小型化和減少器件選型的時(shí)間。在小型化方面，如果將以往的Nch+Pch雙極MOSFET（SOP8）替換成新產(chǎn)品（TSMT8），安裝面積可減少75%。

＜與預驅動(dòng)器IC組合，可提供更出色的電機驅動(dòng)解決方案＞

通過(guò)將本產(chǎn)品與已具有豐碩實(shí)際應用業(yè)績(jì)的ROHM單相和三相無(wú)刷電機用預驅動(dòng)器IC相結合，可以進(jìn)一步考慮電機的小型化、低功耗和靜音驅動(dòng)。通過(guò)為外圍電路設計提供雙極MOSFET系列和預驅動(dòng)器IC相結合的綜合支持，為客戶(hù)提供滿(mǎn)足其需求且更出色的電機驅動(dòng)解決方案。

組合示例

■   QH8MC5（±60V耐壓Nch+Pch雙極MOSFET）和BD63001AMUV（三相無(wú)刷電機預驅動(dòng)器IC）

■   SH8KB6（+40V耐壓Nch+Nch雙極MOSFET）和BM62300MUV（三相無(wú)刷電機預驅動(dòng)器IC）

■   SH8KB6（+40V耐壓Nch+Nch雙極MOSFET）和BD63002AMUV（三相無(wú)刷電機預驅動(dòng)器IC）等

＜產(chǎn)品陣容＞

Nch+Pch雙極MOSFET

Nch+Nch雙極MOSFET

＜應用示例＞

■   FA設備、機器人等工業(yè)設備和基站用的風(fēng)扇電機

■   大型消費電子設備用的風(fēng)扇電機

＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞

*1) MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的縮寫(xiě)）

金屬－氧化物－半導體場(chǎng)效應晶體管，是FET中最常用的結構。 用作開(kāi)關(guān)元件。

*2) Pch MOSFET 和Nch MOSFET

Pch MOSFET：通過(guò)向柵極施加相對于源極為負的電壓而導通的MOSFET。

可用比低于輸入電壓低的電壓驅動(dòng)，因此電路結構較為簡(jiǎn)單。

Nch MOSFET：通過(guò)向柵極施加相對于源極為正的電壓而導通的MOSFET。

相比Pch MOSFET，漏源間的導通電阻更小，因此可減少常規損耗。

*3) 導通電阻

使MOSFET啟動(dòng)（ON）時(shí)漏極與源極之間的電阻值。該值越小，則運行時(shí)的損耗（電力損耗）越少。