英飛凌重返SiC JFET，實(shí)現更智能、更快速的固態(tài)配電

Infineon Technologies 開(kāi)發(fā)了用于固態(tài)保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產(chǎn)品。

JFET 通過(guò)反向偏置 PN 結上的電場(chǎng)來(lái)控制電導率，而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場(chǎng)。

G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ （750 V BDss） 和 2.3 mΩ （1200 V BDss） 的超低 R DS（ON），可顯著(zhù)降低導通損耗。大體通道優(yōu)化的 SiC JFET 在短路和雪崩故障條件下提供高穩健性。

在熱應力、過(guò)載和故障條件下可預測的開(kāi)關(guān)行為可在連續運行中提供最大的長(cháng)期可靠性。

CoolSiC JFET 最大限度地減少了導通損耗，提高了固體關(guān)斷能力，并提供了高穩健性。強大的短路能力、線(xiàn)性模式下的熱穩定性和精確的過(guò)壓控制可實(shí)現可靠和高效的系統性能。

這可用于廣泛的工業(yè)和汽車(chē)應用，包括固態(tài)斷路器 （SSCB）、AI 數據中心熱插拔、電子保險絲、電機軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器和汽車(chē)電池斷路開(kāi)關(guān)。

“憑借 CoolSiC JFET，我們滿(mǎn)足了對更智能、更快速、更強大的配電系統日益增長(cháng)的需求，”英飛凌科技綠色工業(yè)電源部門(mén)總裁 Peter Waver 博士說(shuō)?！斑@種應用驅動(dòng)的功率半導體技術(shù)經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)設計，旨在為我們的客戶(hù)提供解決這個(gè)快速發(fā)展的領(lǐng)域中復雜挑戰所需的工具。我們很自豪地推出實(shí)現一流 R DS（ON） 的器件，為 SiC 性能樹(shù)立了新標準，并再次肯定了英飛凌在寬帶隙技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。

這些器件使用 Q-DPAK 頂部冷卻封裝，可輕松并聯(lián)和擴展電流處理，從而實(shí)現具有靈活布局和集成選項的緊湊型高功率系統。英飛凌 .XT 互連技術(shù)采用擴散焊接技術(shù)，可應對惡劣應用環(huán)境的熱和機械挑戰。這顯著(zhù)提高了工業(yè)電力系統典型的脈沖和循環(huán)負載下的瞬態(tài)熱阻和穩健性。

CoolSiC JFET 系列的工程樣品將于 2025 年晚些時(shí)候提供，并于 2026 年開(kāi)始量產(chǎn)。產(chǎn)品組合將進(jìn)一步擴展，提供各種封裝和模塊。