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用SiC撬動(dòng)新能源、汽車(chē)電子新興市場(chǎng)
- 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優(yōu)點(diǎn)，SiC功率器件被廣泛應用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)中的逆變器、轉換器、PFC電路等領(lǐng)域、傳統工業(yè)(尤其是軍工)中的功率轉換領(lǐng)域以及太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源中的整流、逆變等領(lǐng)域，很多半導體廠(chǎng)商都看好SiC技術(shù)的未來(lái)，并積極投身其中，在08年收購生產(chǎn)SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后，羅姆半導體(ROHM)已經(jīng)在SiC領(lǐng)域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產(chǎn)體系，并率先市場(chǎng)SiC器件的量產(chǎn)，羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領(lǐng)域?如何發(fā)揮其
- 關(guān)鍵字： 羅姆 太陽(yáng)能 SiC
瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件
- 全球領(lǐng)先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會(huì )社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調)、PC服務(wù)器和太陽(yáng)能發(fā)電系統等電力電子產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩電子 功率器件 SiC
羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出SiC溝槽MOS模塊
- 日本知名半導體制造商羅姆株式會(huì )社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(chē)(電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē))及工業(yè)設備，與擁有電力系統和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時(shí)實(shí)現了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC MOS
英飛凌推出第二代ThinQ! 碳化硅肖特基二極管
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封裝的第二代SiC(碳化硅)肖特基二極管。新的TO220 FullPak產(chǎn)品系列不僅延續了第二代ThinQ! SiC肖特基二極管的優(yōu)異電氣性能，而且采用全隔離封裝，無(wú)需使用隔離套管和隔離膜，使安裝更加簡(jiǎn)易、可靠。 獨具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的內部結到散熱器的熱阻與標準非隔離TO-220器件類(lèi)似。這要歸功于英飛凌已獲得專(zhuān)利的擴散焊接工藝，該技術(shù)大大降低了內部芯片到管腳的熱阻，有效地彌補了FullPAK內部隔離層的散
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 肖特基二極管 SiC
即將普及的碳化硅器件
- 隨綠色經(jīng)濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開(kāi)電能。為解決“地球變暖”問(wèn)題，電能消耗約占人類(lèi)總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。 據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動(dòng)。在提高電力利用效率中起關(guān)鍵作用的是功率器件，也稱(chēng)電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。 在這種情況下，性能遠優(yōu)于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環(huán)境
- 關(guān)鍵字： 豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
SiC二極管逆變器投入應用，讓燃料電池車(chē)更輕
- 日產(chǎn)汽車(chē)開(kāi)發(fā)出了采用SiC二極管的汽車(chē)逆變器。日產(chǎn)已經(jīng)把該逆變器配備在該公司的燃料電池車(chē)“X-TRAIL FCV”上，并開(kāi)始行駛實(shí)驗。通過(guò)把二極管材料由原來(lái)的Si變更為SiC，今后有望實(shí)現逆變器的小型輕量化、提高可靠性。對于電動(dòng)汽車(chē)而言，逆變器的大小一直是布局的制約因素之一。 SiC元件作為具有優(yōu)異特性的新一代功率半導體備受矚目。SiC的絕緣破壞電場(chǎng)比Si大1位數左右，理論上SiC導通電阻可比Si減小2位數以上。原因是導通電阻與絕緣破壞電場(chǎng)3次方成反比。導通電阻小，因此可
- 關(guān)鍵字： 二極管 SiC 汽車(chē) 逆變器 日產(chǎn)
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