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未來(lái)十年GaN和SiC功率半導體市場(chǎng)將以18%的速度穩增
- 在未來(lái)十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機的需求驅動(dòng)，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩步增長(cháng)。 據有關(guān)報告稱(chēng)，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷(xiāo)售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來(lái)十年這一市場(chǎng)的銷(xiāo)售額將實(shí)現兩位數的年增長(cháng)率。 SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)、結晶性場(chǎng)效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進(jìn)入市場(chǎng)。G
- 關(guān)鍵字： GaN 半導體 SiC
Microsemi公司推出工業(yè)級碳化硅功率模塊系列產(chǎn)品
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)日前宣布，推出新一代工業(yè)溫度碳化硅(SiC)標準功率模塊。新產(chǎn)品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開(kāi)關(guān)電源、馬達驅動(dòng)器、不間斷電源、太陽(yáng)能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應用。該功率模塊系列還擴展了溫度范圍，以滿(mǎn)足下一代功率轉換系統對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。 SiC技術(shù)比硅材料提供更高的擊穿電場(chǎng)強度和更好的熱傳導性
- 關(guān)鍵字： Microsemi SiC
第三代半導體材料雙雄并立 難分高下
- 進(jìn)入21世紀以來(lái)，隨著(zhù)摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱(chēng)為第三代半導體材料的雙雄。 SiC早在1842年就被發(fā)現了，但直到1955年，才有生長(cháng)高品質(zhì)碳化硅的方法出現;到了1987年，商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場(chǎng);進(jìn)入21世紀后，SiC的商業(yè)應用才算全面鋪開(kāi)。相對于Si，SiC的優(yōu)點(diǎn)很多：有10倍的電場(chǎng)強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC 半導體
開(kāi)關(guān)電源轉換器高性能碳化硅（SiC）功率半導體器件
- 進(jìn)入21世紀，開(kāi)關(guān)電源技術(shù)將會(huì )有更大的發(fā)展，這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業(yè)和學(xué)術(shù)各界努...
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源 轉換器 碳化硅（SiC）
超過(guò)20kV：半導體元件的世界最高耐壓
- 日本京都大學(xué)工學(xué)研究系電子工學(xué)專(zhuān)業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組，試制出了耐壓高達21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十數kV的半導體功率元件，但超過(guò)20kV的尚為首次，“是半導體元件中的世界最高值”(木本)。 該二極管的設想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如，日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV，因此要求耐壓達到20kV。據稱(chēng)目前是使用3～4個(gè)數kV的GTO來(lái)確保耐壓的。如果使用耐壓超過(guò)20kV的SiC制PiN二極管，一個(gè)即可滿(mǎn)足要求。由此，轉換器及冷卻器等便可實(shí)現
- 關(guān)鍵字： SIC 二極管 半導體
世界首家“全SiC”功率模塊開(kāi)始量產(chǎn)
- 日本知名半導體制造商羅姆株式會(huì )社(總部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開(kāi)始投入量產(chǎn)。該產(chǎn)品的內置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)構成。
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