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ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術(shù)吸引觀(guān)眾駐足
- 全球知名半導體制造商ROHM現身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會(huì )上展出了ROHM所擅長(cháng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類(lèi)繁多的汽車(chē)電子產(chǎn)品、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡(luò )技術(shù)和小型元器件等品類(lèi)眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強勢多元化的產(chǎn)品、多種熱門(mén)應用解決方案，吸引了眾多業(yè)內外人士駐足及交流?！ ?nbsp;
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“助攻”電源設計：900V SiC MOSFET導通電阻創(chuàng )新低！
- 全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場(chǎng)效應晶體管技術(shù)，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應用進(jìn)行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠實(shí)現下一代更小尺寸、更高效率的電力轉換系統，并大幅降低了系統成本。C3M0065090J突破了電力設備技術(shù)，是開(kāi)關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽(yáng)能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應用等的電源管理解決方案。 世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統功率范圍，
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Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導體大廠(chǎng)加速投入GaN、SiC開(kāi)發(fā)
- DIGITIMES Research觀(guān)察，傳統以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術(shù)表現，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預計未來(lái)功率半導體市場(chǎng)將三分天下。 更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動(dòng)車(chē)、油電混合車(chē)、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動(dòng)通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
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ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會(huì )電子展
- 2016年11月16日-21日，全球知名半導體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會(huì )電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會(huì )上展出了ROHM所擅長(cháng)的模擬電源、業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類(lèi)繁多的汽車(chē)電子、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡(luò )技術(shù)和小型元器件等品類(lèi)眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。ROHM所帶來(lái)的高新領(lǐng)先技術(shù)、強勢多元化的產(chǎn)品、以及多種解決方案，受到來(lái)場(chǎng)參觀(guān)者的廣泛好評?！ OHM模擬電源“領(lǐng)銜”業(yè)內標準 近年來(lái)，全世
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試看新能源汽車(chē)的“加油站”如何撬動(dòng)千億級市場(chǎng)？
- 2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個(gè)新能源汽車(chē)圈，沒(méi)錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動(dòng)汽車(chē)充電基礎設施建設規劃》。該草案的完成對于汽車(chē)充電設施制造商帶來(lái)說(shuō)堪稱(chēng)一場(chǎng)“及時(shí)雨”。草案提到2020年國內充換電站數量要達到1.2萬(wàn)個(gè)，充電樁達到450萬(wàn)個(gè)，這意味著(zhù)一個(gè)千億級市場(chǎng)將在國內的充電行業(yè)產(chǎn)生。 充電樁通常被譽(yù)為新能源汽車(chē)的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據不同的電壓等級為各種型號的電動(dòng)汽車(chē)充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
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性?xún)r(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
- Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著(zhù)其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET
氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來(lái)選擇
- 當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時(shí)，都會(huì )不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進(jìn)的寬禁帶技術(shù)。市場(chǎng)研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個(gè)更大的帶隙，可以進(jìn)一步提高功率器件性能。 n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長(cháng)至1.1億美元 由碳化硅電力設備市場(chǎng)驅動(dòng)，n型碳化硅基
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業(yè)界首款全SiC功率模塊問(wèn)世：開(kāi)關(guān)效率提升10倍
- 集LED照明解決方案、化合物半導體材料、功率器件和射頻于一體的全球著(zhù)名制造商和行業(yè)領(lǐng)先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半橋功率模塊 CAS300M17BM2。業(yè)界首款全碳化硅1.7kV功率模塊的誕生更加確立了CREE公司在碳化硅功率模塊技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。該模塊不但能在高頻下工作還具有極低的功耗，非常適用于高功率電機驅動(dòng)開(kāi)關(guān)和并網(wǎng)逆變器等應用。目前世強已獲授權代理SiC系列產(chǎn)品。 圖：CAS300M17BM2模塊外觀(guān)圖 世強代理的CAS300M17BM2 碳化硅功率模塊采用行業(yè)標準
- 關(guān)鍵字： CREE SiC
性?xún)r(jià)比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點(diǎn)點(diǎn)
- Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著(zhù)其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場(chǎng)合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場(chǎng)擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時(shí)又具有通態(tài)電阻低和開(kāi)關(guān)損耗小等特點(diǎn)，是高頻高壓場(chǎng)合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。 SiC與Si性能對比 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導通電阻65 mΩ
- SiC市場(chǎng)領(lǐng)導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴展了產(chǎn)品組合，能夠應對市場(chǎng)更新的設計挑戰，可用于更高直流母線(xiàn)電壓。且領(lǐng)先于900V超結Si基MOSFET技術(shù)，擴大了終端系統的功率范圍，在更高溫度時(shí)仍能提供低導通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統的尺寸，很好地解決了散熱及顯著(zhù)降額的問(wèn)題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉換設計者提供了更多的創(chuàng )新空間，方便
- 關(guān)鍵字： Cree SiC
SiC功率模塊關(guān)鍵在價(jià)格，核心在技術(shù)
- 日前，碳化硅(SiC)技術(shù)全球領(lǐng)導者半導體廠(chǎng)商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感應加熱效率達到99%的Vds最大值為1.2KV、典型值為5.0 m?半橋雙功率模塊CAS300M12BM2。該款產(chǎn)品目標用途包括感應加熱設備、電機驅動(dòng)器、太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器、UPS和開(kāi)關(guān)電源以及牽引設備等。 世強代理的CAS300M12BM2外殼采用行業(yè)標準的62mm x 106mm x 30mm，封裝則采用Half-Bridge Module，具有超低損耗、高頻率特性以及易于并聯(lián)等特點(diǎn)。漏極電流方面，連續通電時(shí)
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EV/HEV市場(chǎng)可期 SiC/GaN功率器件步入快車(chē)道
- 根據Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實(shí)現更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅動(dòng)電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進(jìn)這一轉型的巨大驅動(dòng)力量之一來(lái)自電動(dòng)車(chē)(EV)與混合動(dòng)力車(chē)(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續大力推動(dòng)Si
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矢野經(jīng)濟研究所：SiC功率半導體將在2016年形成市場(chǎng)
- 矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球功率半導體市場(chǎng)的調查結果。 ? 全球功率半導體市場(chǎng)規模的推移變化和預測(出處：矢野經(jīng)濟研究所) (點(diǎn)擊放大) 2013年全球功率半導體市場(chǎng)規模(按供貨金額計算)比上年增長(cháng)5.9%，為143.13億美元。雖然2012年為負增長(cháng)，但2013年中國市場(chǎng)的需求恢復、汽車(chē)領(lǐng)域的穩步增長(cháng)以及新能源領(lǐng)域設備投資的擴大等起到了推動(dòng)作用。 預計2014年仍將繼續增長(cháng)，2015年以后白色家電、汽車(chē)及工業(yè)設備領(lǐng)域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究
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ROHM發(fā)布2015年度第一季度(4~6月)財務(wù)報告
- ROHM Co., Ltd.(總部：日本 京都，社長(cháng) 澤村諭，下稱(chēng)"ROHM")發(fā)布了2015年度第一季度(4~6月)的業(yè)績(jì)。 第一季度銷(xiāo)售額為949億2千萬(wàn)日元(去年同比增長(cháng)7.4%)，營(yíng)業(yè)利潤為115億6千7百萬(wàn)日元(去年同比增長(cháng)24.7%)。 縱觀(guān)電子行業(yè)，在IT相關(guān)市場(chǎng)方面，雖然智能手機和可穿戴設備等市場(chǎng)的行情仍然在持續走高，然而一直以來(lái)都保持持續增長(cháng)的平板電腦的普及率的上升勢頭大幅下降，個(gè)人電腦市場(chǎng)呈現低迷態(tài)勢。在A(yíng)V相關(guān)市場(chǎng)方面，雖然4K電視(※1)等高附加
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專(zhuān)利設計發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術(shù)新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽(yáng)能發(fā)電用功率調節器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。 羅姆半導體功率元件制造部部長(cháng)伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結構專(zhuān)利，目前已開(kāi)始量產(chǎn)。 羅姆半導體應用設計支援部課長(cháng)蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
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