2023年，SiC襯底出貨量將勁增22%

研究機構 TECHCET 日前預測，盡管全球經(jīng)濟普遍放緩，但 2023 年 SiC 襯底市場(chǎng)將持續強勁增長(cháng)。

根據 TECHCET 數據顯示，2022 年，SiC N 型襯底市場(chǎng)比 2021 年增長(cháng)了約 15%，出貨量達到總計 88.4 萬(wàn)片（等效 6 英寸），預計該市場(chǎng)將在 2023 年進(jìn)一步增長(cháng)，達到 107.2 萬(wàn)片晶圓（等效 6 英寸），比 2022 年進(jìn)一步增長(cháng)約 22%，2022-2027 年的整體復合年增長(cháng)率估計約 17%。

對 SiC 晶圓的高需求是由于硅基功率器件接近其物理極限，特別是對于高速或大功率應用。寬帶隙半導體代表了當前替代品中最有前途的，而 SiC 在材料特性和供應鏈成熟度方面都處于最前沿。此外，電動(dòng)汽車(chē)、充電基礎設施、綠色能源生產(chǎn)和更高效的功率器件的需求總體上推動(dòng)了對 SiC 的更高需求。

雖然 SiC 越來(lái)越受歡迎，但該材料的化學(xué)特性使其難以將晶錠加工成實(shí)際晶圓。這導致 SiC 晶圓市場(chǎng)供不應求。為了在過(guò)去幾年增加晶錠供應，大量公司進(jìn)入或宣布了 SiC 晶錠增長(cháng)能力的重大擴張，但很少有公司真正進(jìn)入芯片服務(wù)市場(chǎng)。

Wolfspeed、安森美和意法半導體等垂直整合的 SiC 器件公司正在彌補這一差距，這些公司能夠在內部平衡自己的生產(chǎn)能力。其他公司正試圖通過(guò)提供流程服務(wù)來(lái)彌補這一差距，例如 X-trinsic 和 Halo Industries。

面對如此快速成長(cháng)的需求，積極擴產(chǎn)成為當年頭部廠(chǎng)商的關(guān)鍵詞之一。

目前在 SiC 襯底方面，Wolfspeed 以 60% 的市場(chǎng)份額占據絕對主導地位，但隨著(zhù)后來(lái)者積極參與競爭，這種格局或許存在變化空間。諸如 ST 對 8 英寸晶圓的積極推進(jìn)，其在 2022 年底還宣布與 SiC 晶圓頭部公司 Soitec 合作引進(jìn)晶圓制造技術(shù)；Ⅱ-Ⅵ（已更名 Coherent）、羅姆等也在積極擴充產(chǎn)能。器件領(lǐng)域，英飛凌、安森美等頭部廠(chǎng)商也在年初即提出大幅度擴產(chǎn)計劃。

安森美高層曾公開(kāi)表示，預計 5-10 年 SiC 市場(chǎng)依然將比較緊缺，這也是公司持續擴充產(chǎn)能的動(dòng)力所在。Wolfspeed 也認為，需求顯然超過(guò)了供應，當前硅基半導體行業(yè)處在周期性衰退，SiC 則有長(cháng)期發(fā)展前景。

不只是廠(chǎng)商自身的產(chǎn)能擴張，放眼這幾年間，SiC 產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節也在積極向外擴充能力。安森美是其中對 SiC 尤為重視的廠(chǎng)商之一。2021 年末，其收購 SiC 生產(chǎn)商 GTAT 后，已經(jīng)實(shí)現從 SiC 襯底到封裝的全產(chǎn)業(yè)鏈能力覆蓋。

國產(chǎn) SiC 公司迎來(lái)業(yè)績(jì)大爆發(fā)

根據證券時(shí)報數據顯示，作為 A 股 IGBT 龍頭，斯達半導連續兩年保持翻倍增長(cháng)，去年公司實(shí)現凈利潤約 8 億元，今年一季度凈利潤實(shí)現約 2 億元，同比增長(cháng)約 36%，并且公司持續布局 SiC 賽道：2020 年公司投資約 2 億元建設全 SiC 功率模組產(chǎn)業(yè)化項目，投資建設年產(chǎn) 8 萬(wàn)顆車(chē)規級全 SiC 功率模組生產(chǎn)線(xiàn)和研發(fā)測試中心；2022 年公司完成定增募資 35 億元，用于投資 IGBT 和 SiC 芯片項目等。最新進(jìn)展顯示，公司車(chē)規級 SiC 模塊開(kāi)始在海外市場(chǎng)小批量供貨，另外，使用公司自主芯片的車(chē)規級 SiC MOSFET 模塊預計 2023 年開(kāi)始在主電機控制器客戶(hù)批量供貨。

宏微科技業(yè)績(jì)也迎來(lái)大爆發(fā)，今年一季度凈利潤同比增長(cháng) 1.53 倍。據介紹，公司訂單飽滿(mǎn)，SiC 二極管研發(fā)成功并實(shí)現小批量供貨。公司高管在接受機構調研中介紹，2022~2023 年公司推出了第一代平面 SiC MOS，預計 2024~2025 年開(kāi)發(fā)出溝槽產(chǎn)品；應用場(chǎng)景來(lái)看，SiC MOS 產(chǎn)品主要應用于電動(dòng)汽車(chē)，SiC 二極管產(chǎn)品應用于光伏領(lǐng)域。

4 月 20 日，揚杰科技公告計劃投資 10 億元在江蘇揚州建設 6 英寸 SiC 晶圓產(chǎn)線(xiàn)，規劃產(chǎn)能 5000 片/月，后續擬進(jìn)一步布局 6~8 英寸 SiC 芯片生產(chǎn)線(xiàn)建設。目前揚杰科技已經(jīng)向市場(chǎng)推出 SiC 模塊及 650V SiC SBD、1200V 系列 SiC SBD 全系列產(chǎn)品，SiC MOSFET 已取得關(guān)鍵性進(jìn)展。揚杰科技還通過(guò)投資控股湖南楚微半導體，進(jìn)一步完善了公司在晶圓制造上的核心能力，形成了比較完備的晶圓產(chǎn)品制造能力。根據規劃，楚微半導體二期建設規劃為新增 3 萬(wàn)片/月的 8 英寸硅基芯片生產(chǎn)線(xiàn)項目和 5000 片/月的 6 英寸 SiC 基芯片生產(chǎn)線(xiàn)項目。

此外，東微半導去年凈利潤接近翻倍達到 2.84 億元，今年一季度凈利潤同比增長(cháng)近五成。其中，公司在 SiC 器件首次實(shí)現營(yíng)業(yè)收入；燕東微披 6 英寸 SiC SBD（肖特基二極管）產(chǎn)品處于小批量量產(chǎn)，1200V SiC MOSFET 首款樣品在性能評測中。