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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區
100W MOSFET功率放大器電路
- 我們設計了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅動(dòng)約 8 歐姆的負載。 所設計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驅動(dòng)級是帶有電流鏡負載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類(lèi)工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱穩定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無(wú)噪聲放大信號
- 關(guān)鍵字： 功率放大器 MOSFET
自動(dòng)執行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
- _____減少碳排放的迫切需求推動(dòng)了對電氣技術(shù)的投資，特別是數據中心和電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域。根據彭博社最新的電動(dòng)汽車(chē)展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實(shí)現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續性的未來(lái)方面的重要意義。越來(lái)越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開(kāi)關(guān)模式電源和電機驅動(dòng)器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來(lái)的，包括比硅器件更快
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)？阿斯麥臉色不再重要！
- 在科技領(lǐng)域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著(zhù)移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的迅速發(fā)展，芯片技術(shù)也不斷突破創(chuàng )新。而在這股技術(shù)浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著(zhù)阿斯麥這位傳統芯片巨頭的重磅投資，人們開(kāi)始紛紛關(guān)注，碳化硅芯片是否即將主宰市場(chǎng)？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關(guān)注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結構決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
- 關(guān)鍵字： 碳化硅芯片 SiC 阿斯麥
東芝開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統和儲能系統等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。類(lèi)似上述的工業(yè)應用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預計未來(lái)幾年內DC?1500V將得到廣泛應用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
- 關(guān)鍵字： 東芝 2200V 雙碳化硅 SiC MOSFET模塊
大功率、高性能汽車(chē)類(lèi) SiC 牽引逆變器參考設計
- TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開(kāi)發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統參考設計，該參考設計為 OEM 和設計工程師創(chuàng )建高性能、高效率的牽引逆變器系統并更快地將其推向市場(chǎng)提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統技術(shù)（包括用于驅動(dòng) Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實(shí)時(shí)可變柵極驅動(dòng)強度的高性能隔離式柵極驅動(dòng)器）如何通過(guò)降低電壓過(guò)沖來(lái)提高系統效率。隔離式柵極驅動(dòng)器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
- 關(guān)鍵字： SiC 牽引逆變器
適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
- 隨著(zhù)設備變得越來(lái)越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個(gè)優(yōu)先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現這一目標的一種方法是使用高性能電源開(kāi)關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計劃來(lái)提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設計需要在設計過(guò)程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅動(dòng)器可以減少 30% 的能量損耗，同時(shí)限度地延長(cháng)系統正常運行時(shí)間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅
- 關(guān)鍵字： SiC
高性能 SiC MOSFET 技術(shù)裝置設計理念
- 合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務(wù)概況的需求，而無(wú)需對處理和布局進(jìn)行重大改變。然而，關(guān)鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數相結合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數，還可以添加更多參數。圖 1：必須與 SiC MOSF
- 關(guān)鍵字： MOSFET
全球SiC爭霸賽，誰(shuí)在豪擲千金？
- “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領(lǐng)先技術(shù)的國家，將能夠改變游戲規則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響?！?Alan Mantooth 接受媒體采訪(fǎng)時(shí)坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領(lǐng)導的工程研究人員從美國國家科學(xué)基金（NSF）獲得了1787萬(wàn)美元的資助，用于在阿肯色大學(xué)開(kāi)始建設一個(gè)國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學(xué)生提供SiC相關(guān)技術(shù)的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領(lǐng)域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，能夠讓美國大學(xué)，企業(yè)以及政府研究人員進(jìn)行長(cháng)期
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 功率損耗 碳中和
意法半導體是怎樣煉成巨頭的？擅長(cháng)聯(lián)合，布局多重應用，投資未來(lái)
- 歐洲是世界半導體的重要一極，ST（意法半導體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱(chēng)為歐洲半導體的三駕馬車(chē)，也是全球知名的半導體巨頭。ST的特點(diǎn)是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門(mén)1、自帶一定的應用市場(chǎng)，ST要靠自己找市場(chǎng)、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問(wèn)題。據市場(chǎng)研究機構Garnter數據，ST 2022年營(yíng)收158.4億美元，年增長(cháng)率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導體公司。大浪淘沙、洗牌無(wú)數的半導體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導體巨頭的？又是如何布局未來(lái)的？表1 202
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MCU SiC
英飛凌高壓超結MOSFET系列產(chǎn)品新增工業(yè)級和車(chē)規級器件
- 【2023年7月27日，德國慕尼黑訊】在靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用中，電源設計側重于最大程度地降低導通損耗、優(yōu)化熱性能、實(shí)現緊湊輕便的系統設計，同時(shí)以低成本實(shí)現高質(zhì)量。為滿(mǎn)足新一代解決方案的需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴大其CoolMOS? S7 系列高壓超結（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、太陽(yáng)能系統、電池保護、固態(tài)繼電器（SSR）、電機啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）、照明控制、高壓電子保險絲/電子斷路器
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 高壓超結 MOSFET
如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)？這款I(lǐng)C方案推薦給您
- 在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現高頻（數百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET
ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務(wù)器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動(dòng)用驅動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來(lái)，為了實(shí)現可持續發(fā)展的社會(huì )，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
- 關(guān)鍵字： ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
汽車(chē)芯片，有兩大好賽道
- 汽車(chē)的智能化和電動(dòng)化趨勢，勢必帶動(dòng)車(chē)用半導體的價(jià)值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來(lái)了發(fā)展良機。先看功率半導體，車(chē)規功率半導體是新能源汽車(chē)的重要組件，無(wú)論整車(chē)企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車(chē)電池動(dòng)力模塊都需要功率半導體，混合動(dòng)力汽車(chē)的功率器件占比增至 40%，純電動(dòng)汽車(chē)的功率器件占比增至 55%。再看車(chē)規模擬芯片，模擬芯片在汽車(chē)各個(gè)部分均有應用，包括車(chē)身、儀表、底盤(pán)、動(dòng)力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車(chē)在充電樁、電池管理、車(chē)載充電、動(dòng)力系統
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 SiC GaN 模擬芯片
英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動(dòng)汽車(chē)芯片供貨協(xié)議
- 英飛凌在近日表示，與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊，而逆變器用于電動(dòng)汽車(chē)的主驅動(dòng)。根據協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠(chǎng)生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據供應鏈消息顯示，目前IGBT缺貨基本在39周以上，供需缺口已經(jīng)拉長(cháng)到50%以上，市場(chǎng)部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌，其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài)，整體積壓訂單金額超過(guò)
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 賽米控 電動(dòng)汽車(chē)芯片 SiC IGBT
羅姆買(mǎi)新廠(chǎng) 搶SiC產(chǎn)能
- 全球車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)，目前主要由IDM大廠(chǎng)獨霸，根據統計，全球SiC產(chǎn)能由Wolfspeed、羅姆、貳陸三家公司寡占。其中，羅姆計劃在2025年，將SiC功率半導體的營(yíng)收擴大至1,000億日圓以上，成為全球市占龍頭。為了達成目標，該公司積極擴充SiC功率半導體的產(chǎn)能，并宣布買(mǎi)下日本一家太陽(yáng)能系統廠(chǎng)的舊工廠(chǎng)，未來(lái)將引進(jìn)SiC功率半導體8吋晶圓產(chǎn)線(xiàn)到工廠(chǎng)內，預計在2024年底啟動(dòng)，將使羅姆的SiC功率半導體產(chǎn)能，到2030年增加為2021年的35倍。根據日本朝日新聞、日經(jīng)新聞等報導，羅姆將從日本的石油公
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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