qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區

存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠(chǎng)商只花了6年

• 近日，有消息稱(chēng)，國內存儲芯片大廠(chǎng)長(cháng)江存儲已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會(huì )實(shí)現232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著(zhù)國內存儲芯片廠(chǎng)商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規模應用也要到2023年去了?？梢?jiàn)，國產(chǎn)存儲芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

• 中國芯片傳來(lái)捷報，長(cháng)江存儲取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預計年底實(shí)現大規模量產(chǎn)交付。長(cháng)江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著(zhù)高速穩定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(cháng)江存儲直接越級跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
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國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長(cháng)江存儲192層閃存送樣，預計年底量產(chǎn)

• 頭一段時(shí)間，有媒體報道稱(chēng)，長(cháng)江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預計年底實(shí)現量產(chǎn)。長(cháng)江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠(chǎng)的差距，長(cháng)江存儲跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內首款128層QLC規格的3D N
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美光針對數據中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD

• 內存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款專(zhuān)為數據中心工作負載設計的基于 176 層 NAND 技術(shù)的SATA 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進(jìn)的數據中心 SATA SSD產(chǎn)品，采用久經(jīng)考驗的第 11 代 SATA 架構，支持廣范的應用場(chǎng)景，提供相比傳統機械硬盤(pán) (HDD) 顯著(zhù)提升的性能，并延長(cháng)了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數據中心存儲產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
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SK海力士首次公開(kāi)與Solidigm的“合作產(chǎn)品”

• “獨立子公司成立僅三個(gè)月，兩家公司在事業(yè)上的合作全面開(kāi)始”SK海力士和Solidigm首次公開(kāi)了結合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續優(yōu)化兩家公司的運營(yíng)，以創(chuàng )造協(xié)同效應和合作伙伴關(guān)系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開(kāi)了兩家公司共同開(kāi)發(fā)的新企業(yè)級SSD（eSSD）產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
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針對勒索軟件與網(wǎng)絡(luò )攻擊 IBM打造新一代儲存產(chǎn)品

• IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品，瞄準日益嚴峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò )攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網(wǎng)絡(luò )攻擊并從中恢復；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境，旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡(luò )復原力和應用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產(chǎn)品，瞄準勒索軟件及其他網(wǎng)絡(luò )攻擊根據IBM網(wǎng)絡(luò )彈性機構的研究，46%的受訪(fǎng)者表示在過(guò)去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著(zhù)網(wǎng)絡(luò )攻
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SK海力士與英特爾已完成收購交易的第一階段：NAND閃存市場(chǎng)會(huì )有什么變化？

• 據韓國媒體消息，中國監管機構審查了SK海力士壟斷的可能，并就該家韓國芯片制造商從英特爾手中收購NAND閃存業(yè)務(wù)進(jìn)行評估，并決定批準該收購，這為SK海力士掃清了最后一個(gè)障礙。
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TrendForce：三星NAND Flash生產(chǎn)不受西安封城影響

• 中國西安正受疫情影響而封城，目前尚無(wú)法預期解封時(shí)間，根據TrendForce調查，由于三星（Samsung）在當地設有兩座大型工廠(chǎng)，均用以制造3D NAND高層數產(chǎn)品，投片量占該公司NAND Flash產(chǎn)能達42.3%，占全球亦達15.3%，現下封城措施并未影響該工廠(chǎng)的正常營(yíng)運。然而，當地封城措施嚴格管控人流及物流，盡管2021年底至2022年一月中以前的出貨多已經(jīng)安排妥適，但無(wú)法排除接下來(lái)因物流延遲出貨的可能，這將可能對采購端的物料安排造成影響。此外，該公司的原物料進(jìn)貨也有可能受到物流受阻而延遲，但三星
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筆記本電腦與手機火熱 2021年第一季NAND Flash總營(yíng)收季增5.1%

• 根據TrendForce表示，2021年第一季NAND Flash產(chǎn)業(yè)總營(yíng)收達148.2億美元，季增5.1%，其中位出貨量成長(cháng)11%，大致抵消平均銷(xiāo)售單價(jià)下跌5%帶來(lái)的影響。在議價(jià)時(shí)，需求端雖受惠于筆電、智能型手機需求強勁，但數據中心市場(chǎng)需求仍屬疲弱，市場(chǎng)尚未脫離供過(guò)于求的狀態(tài)，各類(lèi)產(chǎn)品合約價(jià)仍呈現明顯下跌。然而，OEM/ODM采購開(kāi)始留意到NAND Flash控制器缺貨沖擊中低容量產(chǎn)品供給，自今年一月下旬便開(kāi)始增加訂單，一方面避免陷入缺貨風(fēng)險，也希望在料況無(wú)虞的情況下，策略性擴大市占，使得第一季NAND
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美光專(zhuān)家對176層NAND的解答

• 2020 年11 月，美光科技宣布出貨全球首款176 層NAND，實(shí)現閃存性能和密度的重大突破（如圖1）。為此，《電子產(chǎn)品世界》采訪(fǎng)了該公司工藝集成技術(shù)開(kāi)發(fā)高級總監Kunal Parekh 和NAND 組件產(chǎn)品線(xiàn)高級經(jīng)理KevinKilbuck。問(wèn)：176 層產(chǎn)品目前用于哪些應用？Kevin Kilbuck：我們Crucial英睿達品牌的某些消費類(lèi)固態(tài)硬盤(pán)采用了176 層NAND，已經(jīng)開(kāi)始出貨。問(wèn)： 新的176 層NAND 如何解決產(chǎn)量挑戰？如何解決層間干擾？Kunal Parekh： 通過(guò)嚴格的試驗和測
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2021年DRAM與NAND增長(cháng)快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)

• 近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機會(huì )，該公司舉辦了線(xiàn)上媒體溝通會(huì )，執行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場(chǎng)預測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長(cháng)19%展望2021年，全球GDP增長(cháng)約5%。而根據不同分析師的預測，半導體產(chǎn)業(yè)預計增長(cháng)可達12%，整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達5020億美元。其中，內存與存儲預計增長(cháng)可達19%，增度遠超整
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美光科技：DRAM芯片供應緊張將持續數年，NAND產(chǎn)能今年保持穩定

• 存儲芯片大廠(chǎng)美光（Micron）執行副總裁兼事業(yè)長(cháng)Sumit Sadana近日接受采訪(fǎng)表示，2020年汽車(chē)電子和智能型手機需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現明顯復蘇，并帶動(dòng)存儲器需求增長(cháng)。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動(dòng)態(tài)隨機存儲器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數據的存儲。在DRAM領(lǐng)域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場(chǎng)份額。NAND Flash市場(chǎng)則由三星、凱俠、西部數據、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱(chēng)，預期今
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Intel全球首發(fā)144層QLC SSD！最大30.72TB、壽命媲美TLC

• 今天舉辦的2020內存存儲日活動(dòng)上，Intel一口氣發(fā)布了六款全新的內存、存儲新產(chǎn)品，首先來(lái)看面向數據中心市場(chǎng)的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316，同時(shí)全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存，都支持PCIe 4.0。Intel雖然已經(jīng)將NAND閃存業(yè)務(wù)和工廠(chǎng)賣(mài)給SK海力士，但是交易并未完成，Intel既有路線(xiàn)圖也會(huì )繼續執行，同時(shí)交易也不涉及傲騰技術(shù)和產(chǎn)品，Intel會(huì )持續推進(jìn)。2016年，Intel推出了第一代32層堆疊TLC閃存，次年翻番到64層并進(jìn)化為T(mén)LC顆粒，存儲密度提高了13
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TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

•  ·    SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2·    配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存·    新一代產(chǎn)品包括5個(gè)系列共計6個(gè)尺寸TDK株式會(huì )社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品擁有5個(gè)系列，并針對工業(yè)、醫療、智能電網(wǎng)、交通和安全等應用進(jìn)行了優(yōu)化。5個(gè)系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開(kāi)始批量生產(chǎn)，并已在某些英睿達的消費級 SSD 產(chǎn)品中出貨。

• 11 月 10 日消息 全球頂級半導體峰會(huì )之一的 Flash Memory 峰會(huì )將于 2020 年 11 月 10 日在美國加州圣克拉拉會(huì )議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術(shù)，該技術(shù)具有 176 層存儲單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來(lái)所研發(fā)的第二代產(chǎn)品，上一代 3D NAND 則是 128 層設計，算是美光的過(guò)渡節點(diǎn)。而目前在三星的存儲技術(shù)大幅度領(lǐng)先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒(méi)有特
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