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qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區
支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng )新
- 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動(dòng)應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進(jìn)行復雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(cháng)。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線(xiàn)太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺，包括一個(gè)或多
- 關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC
分區存儲助力QLC應用到嵌入式存儲設備
- 目前應用在移動(dòng)終端的嵌入式存儲設備（這里主要指UFS/eMMC等，以下統稱(chēng)“嵌入式存儲設備”）中主流介質(zhì)還是TLC。但更高存儲密度的QLC也已經(jīng)產(chǎn)品化，比如一些數據中心（讀密集型應用）已經(jīng)在部署QLC存儲設備。QLC可以給存儲設備帶來(lái)更低的成本，作為消費級產(chǎn)品的嵌入式存儲設備，未來(lái)引入QLC也是勢在必行。但和當前主流TLC相比，QLC在性能和壽命上都相差很大，從下面某原廠(chǎng)TLC和QLC在性能和壽命方面的一個(gè)對比可見(jiàn)一斑。（Table 1:某原廠(chǎng)TLC和QLC性能和壽命對比） 因此，QLC要應用在
- 關(guān)鍵字： 分區存儲 QLC 嵌入式存儲設備
西部數據宣布進(jìn)一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%
- IT之家 2 月 7 日消息，據韓媒 Business Korea 報道，在內存半導體行業(yè)持續低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場(chǎng)第四大公司西部數據宣布將進(jìn)一步縮減設備投資和生產(chǎn)。西部數據 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績(jì)電話(huà)會(huì )議上表示，2023 財年設備投資總額將達到 23 億美元（當前約 156.17 億元人民幣）。據IT之家了解，這一數字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
- 關(guān)鍵字： NAND 內存 西部數據
NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成
- 消費性固態(tài)硬盤(pán)（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(cháng)的要角，市調機構集邦預估，2022年消費性SSD在筆電的滲透率達92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導致消費性電子需求急凍，未來(lái)消費性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(cháng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報價(jià)相近，甚至
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設計與實(shí)現
- 在現代電子設備中，越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數據存儲，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設計方法，利用FPGA中RAM模塊，設計了狀態(tài)機電路，靈活地實(shí)現壞塊表的建立、儲存和管理，并且對該設計進(jìn)行測試驗證。
- 關(guān)鍵字： NAND FLASH FPGA 壞塊 壞塊檢測 202212
全球首款！美光232層NAND客戶(hù)端SSD正式出貨
- 12月15日，美光宣布，已開(kāi)始向PC OEM客戶(hù)出貨適用于主流筆記本電腦和臺式機的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤(pán)（SSD）。據官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶(hù)端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構，采用美光232層NAND技術(shù)，加強了散熱架構和低功耗設計。美光2550 SSD可在包括游戲、消費和商用客戶(hù)端等主流PC平臺上提升應用程序的運行速度和響應靈敏度。與競品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應用運行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內容創(chuàng )
- 關(guān)鍵字： 美光 232層 NAND SSD
韓國芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣(mài)：SK海力士、三星虧到家
- 作為韓國的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著(zhù)幾大財團的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據國外媒體報道，消費電子產(chǎn)品需求下滑，導致對芯片的需求下滑，尤其是存儲芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國關(guān)稅廳最新公布的數據顯示，在11月份的前20天，韓國芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國重要的出口產(chǎn)品還有智能手機等移動(dòng)設備，但這一類(lèi)產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標志性的一個(gè)現象是，全球智能手機老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬(wàn)部，這也
- 關(guān)鍵字： 三星 SK海力士 DRAM NAND
三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲密度高達1Tb
- 作為全球化的半導體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì )和2022年度三星內存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對更高密度、更大容量存儲的需求，推動(dòng)了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND 存儲密度
三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps
- IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒(méi)有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現宣布已經(jīng)開(kāi)始大規模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來(lái) 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過(guò) 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒(méi)有公開(kāi) IC 的大小和實(shí)際密度，不過(guò)他們稱(chēng)之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱(chēng)，與現有相同容量的閃存芯片相比，
- 關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 三星
存儲系統的數字安全技術(shù)
- NAND 閃存用于各種消費和工業(yè)產(chǎn)品，從筆記本電腦和手機到工業(yè)機器人、醫療設備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設備，如傳感器和控制器。 在我們日益互聯(lián)的世界中，這些應用程序中的所有脆弱點(diǎn)都需要足夠和強大的安全措施，包括數據存儲系統。 因此，在選擇或設計 NAND 閃存存儲系統時(shí)，必須確保存儲器的安全性滿(mǎn)足應用程序的要求。執行現代安全技術(shù)需要足夠的處理能力。 作為存儲系統的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強大以支持整個(gè)存儲系統所需的安全級別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見(jiàn)的硬件和軟件技術(shù)，有助于告知讀
- 關(guān)鍵字： 存儲系統 數字安全 海派世通 NAND
SK海力士：未研究過(guò)“轉移中國工廠(chǎng)設備”相關(guān)具體計劃
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠(chǎng)設備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠(chǎng)運營(yíng)作出澄清說(shuō)明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jì)發(fā)表會(huì )上，針對由于地緣政治問(wèn)題及多種因素導致中國工廠(chǎng)運營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì )考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠(chǎng)的設備轉移”等相關(guān)發(fā)言是針對可能性極低的極端情況作出的現場(chǎng)回復，SK海力士澄清并未研究過(guò)與此相關(guān)的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士與美國完成協(xié)商，確保在一年內不獲取許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應設備
- SK海力士于10月12日通過(guò)聲明表示，公司完成與美國商務(wù)部進(jìn)行協(xié)商，確保在接下來(lái)一年內不獲取個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)供應所需的半導體生產(chǎn)設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來(lái)一年內不獲取美方個(gè)別許可的前提下為中國工廠(chǎng)保障生產(chǎn)設備的供應，進(jìn)而維持在中國的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)。SK海力士表示：“公司與美方圓滿(mǎn)完成了就在中國持續生產(chǎn)半導體產(chǎn)品的協(xié)商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務(wù)部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠(chǎng)的運營(yíng)盡最大的努力?！泵绹虅?wù)部先前于10月7日發(fā)布稱(chēng)，將限制用于在中國生產(chǎn)18納米以下
- 關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM NAND
業(yè)界首發(fā)，美光232層NAND，開(kāi)啟存儲技術(shù)創(chuàng )新浪潮
- 如何開(kāi)發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存產(chǎn)品，這是美光研發(fā)工程師每天都要應對的挑戰。隨著(zhù)各國對數字化轉型和云遷移的重視，世界對存儲容量和性能的要求越來(lái)越大。美光正在迎接這一創(chuàng )新變局。這些變化體現在異構計算、邊緣計算、數據中心、金融系統實(shí)時(shí)大數據更新，以及移動(dòng)設備、消費電子、汽車(chē)信息娛樂(lè )系統帶來(lái)智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術(shù)為這些高性能存儲應用環(huán)境提供了可能。優(yōu)秀的架構，高效優(yōu)化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構，通過(guò)增加NAN
- 關(guān)鍵字： 美光 232層 NAND 存儲技術(shù)
集邦：第四季NAND Flash價(jià)格續跌15～20％
- 根據集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過(guò)于求，下半年起買(mǎi)方著(zhù)重去化庫存而大幅減少采購量，賣(mài)方開(kāi)出破盤(pán)價(jià)以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價(jià)格跌幅達30～35％，但各類(lèi)NAND Flash終端產(chǎn)品仍疲弱，原廠(chǎng)庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價(jià)格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價(jià)格大跌，多數原廠(chǎng)的NAND Flash產(chǎn)品銷(xiāo)售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營(yíng)陷入虧損的壓力下，對于采取減產(chǎn)以降低虧
- 關(guān)鍵字： 集邦 NAND Flash
庫存難減 DRAM價(jià)Q4恐再跌13～18％
- 市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產(chǎn)品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買(mǎi)方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場(chǎng)上已有「第三、四季合并議價(jià)」或「先談量再議價(jià)」的情形，導致第四季DRAM價(jià)格續跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠(chǎng)仍將著(zhù)重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營(yíng)業(yè)利益仍佳的前提下，未有實(shí)際減產(chǎn)情形，故位產(chǎn)出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來(lái)
- 關(guān)鍵字： 集邦 DRAM NAND
qlc nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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