EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
qlc nand
qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區
拆機證實(shí)，國行蘋(píng)果 iPhone 14 / Pro 系列已采用長(cháng)江存儲國產(chǎn) NAND 閃存
- IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋(píng)果召開(kāi)新品發(fā)布會(huì )，正式發(fā)布了 iPhone 14 系列手機，起價(jià) 5999 元。在此之前，韓媒消息稱(chēng)中國廠(chǎng)商長(cháng)江存儲已經(jīng)進(jìn)入蘋(píng)果供應鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續蘋(píng)果也承認正考慮從長(cháng)江存儲采購 NAND 芯片，但僅會(huì )用于在中國銷(xiāo)售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋(píng)果高度依賴(lài)三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠(chǎng)商。因此，市場(chǎng)觀(guān)察人士認為，蘋(píng)果與長(cháng)江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應商進(jìn)一步
- 關(guān)鍵字： iPhone 14 NAND 長(cháng)江存儲
NAND半壁江山 三星與海力士拿下全球閃存市場(chǎng)52.9%份額
- 根據市場(chǎng)研究機構TrendForce最近發(fā)布的報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場(chǎng)份額。根據數據顯示，2022年二季度三星電子NAND銷(xiāo)售額為59.8億美元，環(huán)比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購的完成，2022年二季度銷(xiāo)售額位36.15億美元，環(huán)比增長(cháng)12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠(chǎng)商，兩家韓國廠(chǎng)商已經(jīng)那拿下了全球NAND市場(chǎng)52.9%的份額。
- 關(guān)鍵字： NAND 內存
FORESEE中國大陸首發(fā)512Mb SPI NAND Flash
- 江波龍（股票代碼：301308）近期發(fā)布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發(fā)，能夠極大地幫助客戶(hù)降低整機系統成本，并提升終端的產(chǎn)品競爭力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產(chǎn)，在智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)模塊、安防監控、網(wǎng)絡(luò )通訊等領(lǐng)域得到廣泛應用。加量減價(jià)，降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據系統存儲容量需求的不同，客
- 關(guān)鍵字： 江波龍 NAND
三星電子236層NAND閃存預計年內開(kāi)始生產(chǎn)
- 據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會(huì )在年內開(kāi)始生產(chǎn)236層NAND閃存。此外，它還計劃在本月開(kāi)設一個(gè)新的研發(fā)中心，負責更先進(jìn)NAND閃存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產(chǎn)的NAND閃存，最高是176層，在236層的產(chǎn)品量產(chǎn)之后，三星電子NAND閃存的層數就將創(chuàng )下新高。從韓國媒體的報道來(lái)看，三星電子對即將量產(chǎn)的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，在NAND閃存市場(chǎng)，三星電子的市場(chǎng)份額占了35%，為全球最高。將層數增加60層后，他們計劃憑借生產(chǎn)技術(shù)、價(jià)格及
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
業(yè)界首發(fā)，不二選擇：美光推出全球首款232層NAND
- 半導體行業(yè)十分有趣，同時(shí)也充滿(mǎn)挑戰。俗話(huà)說(shuō)，“打江山難，守江山更難”，這句話(huà)形容半導體行業(yè)十分貼切。我們需要頂住重重壓力，不斷突破物理、化學(xué)、制造和創(chuàng )新的極限，以推動(dòng)邏輯、內存、存儲等計算器件的發(fā)展。如何開(kāi)發(fā)出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時(shí)容量更大的閃存技術(shù)是我們每天都要應對的挑戰。美光憑借3D NAND新技術(shù)與率先推出的新產(chǎn)品再攀高峰，借此機會(huì )讓我們回顧美光取得的輝煌成就。 美光一直以來(lái)被公認為3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導廠(chǎng)商，之前我們推出了業(yè)內首款176層替換柵極NAND技術(shù)，再次
- 關(guān)鍵字： 美光 232層 NAND
集邦：明年DRAM需求位成長(cháng)8.3％創(chuàng )新低 NAND跌價(jià)帶動(dòng)搭載容量成長(cháng)
- 根據集邦科技指出，2023年DRAM市場(chǎng)需求位成長(cháng)僅8.3％，是歷年來(lái)首度低于10％，遠低于供給位成長(cháng)約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過(guò)于求的情勢下仍相當嚴峻，價(jià)格恐將持續下滑。至于NAND Flash仍是供過(guò)于求，但價(jià)格下跌應有助于搭載容量提升。從各類(lèi)應用來(lái)看，高通膨持續沖擊消費市場(chǎng)需求，故優(yōu)先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問(wèn)題，品牌超額下訂，加上通路銷(xiāo)售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進(jìn)一步走弱。標準型PC DRAM方面，
- 關(guān)鍵字： 集邦 DRAM NAND
美光出貨全球首款232層NAND，進(jìn)一步鞏固技術(shù)領(lǐng)先地位
- Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布已量產(chǎn)全球首款 232 層 NAND。它采用了業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng )新技術(shù)，從而為存儲解決方案帶來(lái)前所未有的性能。與前幾代 NAND 相比，該產(chǎn)品擁有業(yè)界最高的面密度和更高的容量及能效，能為客戶(hù)端及云端等數據密集型應用提供卓越支持。???美光技術(shù)與產(chǎn)品執行副總裁 Scott DeBoer 表示：“美光 232 層 NAND 率先在生產(chǎn)中將 3D NAND堆疊層數擴展到超過(guò) 200 層，
- 關(guān)鍵字： 美光 232層 NAND
SSD價(jià)格還將要大降價(jià)：NAND供應過(guò)剩
- 芯研所7月22日消息，TrendForce集邦咨詢(xún)表示，需求未見(jiàn)好轉，NAND Flash產(chǎn)出及制程轉進(jìn)持續，下半年市場(chǎng)供過(guò)于求加劇，包含筆記本、電視與智能手機等消費性電子下半年旺季不旺已成市場(chǎng)共識，物料庫存水位持續攀升成為供應鏈風(fēng)險。因渠道庫存去化緩慢，客戶(hù)拉貨態(tài)度保守，造成庫存問(wèn)題漫溢至上游供應端，賣(mài)方承受的拋貨壓力與日俱增。芯研所采編TrendForce集邦咨詢(xún)預估，由于供需失衡急速惡化，第三季NAND Flash價(jià)格跌幅將擴大至8~13%，且跌勢恐將延續至第四季。按照供應鏈的說(shuō)法，雖然仍
- 關(guān)鍵字： NAND SSD 存儲
鎧俠為實(shí)現超高容量SSD，正試驗7bit/cell超高密度的3D NAND Flash
- NAND Flash制造商一直試圖通過(guò)增加每個(gè)單元存儲的位數來(lái)提高其存儲設備的存儲密度，據外媒報導，近日鎧俠表示，公司一直在試驗在一個(gè)單元中存儲更多比特數的NAND Flash閃存。據報道，近日鎧俠表示，已設法在每個(gè)單元中存儲7 Bits (7 bpc)，盡管是在實(shí)驗室和低溫的條件下。 為了使存儲密度更高，存儲電壓狀態(tài)的數量將隨著(zhù)每個(gè)單元存儲Bits的增加呈指數增長(cháng)。例如，要存儲4位，單元必須保持16個(gè)電壓電平 (2^4)，但使用6位，該數字會(huì )增長(cháng)到64(2^6)。而鎧俠實(shí)現的每個(gè)單元
- 關(guān)鍵字： SSD NAND Flash 鎧俠
潛力無(wú)限的汽車(chē)存儲芯片
- 隨著(zhù)智能化、電動(dòng)化浪潮的推進(jìn)，汽車(chē)芯片的含量成倍提升，電動(dòng)車(chē)半導體含量約為燃油車(chē)2倍，智能車(chē)為8-10倍。需求增量端2020年全球約需要439億顆汽車(chē)芯片，2035年增長(cháng)為1285億顆。價(jià)值增量端，2020年汽車(chē)芯片價(jià)值量為339億美元，2035年為893億美元?？梢?jiàn)芯片將成為汽車(chē)新利潤增長(cháng)點(diǎn)，有望成為引領(lǐng)半導體發(fā)展新驅動(dòng)力?！ ∑?chē)芯片從應用環(huán)節可以分為5類(lèi)：主控芯片、存儲芯片、功率芯片、模擬芯片、傳感器芯片等，以存儲芯片為例，2022年全球汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模約52億美元，國內汽車(chē)存儲芯片市場(chǎng)規模
- 關(guān)鍵字： 北京君正 兆易創(chuàng )新 DRAM NAND
盈利能力大增，估值較低的存儲龍頭被看好？
- 5月30日兆易創(chuàng )新宣布，公司Flash產(chǎn)品累計出貨量已超過(guò)190億顆，年出貨量超過(guò)28億顆，目前兆易創(chuàng )新在NOR Flash領(lǐng)域已成為中國第一，全球第三，2020年兆易創(chuàng )新NOR Flash產(chǎn)品市場(chǎng)份額達到17.8%。除了NOR Flash存儲芯片，兆易創(chuàng )新業(yè)務(wù)還包括DRAM存儲芯片以及存儲器和MCU，在過(guò)去一段時(shí)間行業(yè)普遍缺芯的背景下，兆易創(chuàng )新的營(yíng)收與凈利潤均實(shí)現大幅增長(cháng)，2021年和2022年一季度公司營(yíng)收分別增長(cháng)89.25%和165.33%，歸母凈利潤分別增長(cháng)39.25%和127.65%。目前芯片行
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng )新 NAND Flash
中國DRAM和NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)業(yè)能趕超韓國嗎?
- 近日，韓國進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟研究所（OERI）推算，韓國和中國在存儲芯片領(lǐng)域的技術(shù)差距為：DRAM的差距約為 5年，NAND 的差距約為2年。該研究院分析，中國DRAM制造企業(yè)長(cháng)鑫存儲2022年將推進(jìn)第二代10nm（1y或16nm至17nm）DRAM的量產(chǎn)。三星電子等韓國企業(yè)計劃在今年年末或明年批量生產(chǎn)第5代10nm(1b或12nm-13nm）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距為2年-2年半，兩國之間的技術(shù)差距超過(guò)5年。據該研究院推測，在NAND閃存領(lǐng)域，中國與韓國的技術(shù)差距約為2年。中國存儲芯片企業(yè)長(cháng)江存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
長(cháng)江存儲推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲升級
- 近日，長(cháng)江存儲科技有限責任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(cháng)江存儲”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(cháng)江存儲為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿(mǎn)足AIoT、機器學(xué)習、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應用對存儲容量和讀寫(xiě)性能的嚴苛需求。UC023的上市標志著(zhù)長(cháng)江存儲嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機、平板電腦等高端旗艦機型提供更加豐富靈活的存儲芯片選擇。長(cháng)江存儲高級副總裁陳軼表示 ：“隨著(zhù)5G通信、大數據、AIoT的加速
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 3D NAND
中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場(chǎng)規模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場(chǎng)規模約占56%，NAND Flash市場(chǎng)規模約占41%（IC Insights數據）。另外，根據CFM 閃存市場(chǎng)預計，2021年全球存儲市場(chǎng)規模將達1620億美元，增長(cháng)29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個(gè)調研機構的數據相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場(chǎng)主要被韓國、歐美以及
- 關(guān)鍵字： 存儲芯片 DRAM NAND Flash
長(cháng)江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年，長(cháng)江存儲無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(cháng)江存儲有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長(cháng)江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規格
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 3D NAND
qlc nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
qlc nand電路
qlc nand相關(guān)帖子
qlc nand資料下載
qlc nand專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473