qlc nand 文章進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區

中國剛突破128層QLC閃存三星將首發(fā)160層閃存

上周中國的長(cháng)江存儲公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類(lèi)型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng )造了三個(gè)世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒(méi)閑著(zhù),三星正在開(kāi)發(fā)160堆棧的3D閃存。對3D閃存來(lái)說(shuō),堆棧層數越多,容量就越大,存儲密度就越高,這是3D閃存的核心競爭力,2020年全球將大規模量產(chǎn)100+層的3D閃存。不過(guò)每家的技術(shù)方案不同,東芝、西數的BiCS 5代3D閃存是112層的,美光、SK海力士有128層的,Intel的是144層,而且是浮柵極技術(shù)的,三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層
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美光發(fā)布全新容量和功能的5210 ION企業(yè)級SATA固態(tài)硬盤(pán)

新聞要點(diǎn)●? ?美光率先在業(yè)界推出面向數據中心的四層單元 (QLC) NAND 技術(shù)；●? ?基于 QLC 技術(shù)的美光5210 SATA SSD 正在引領(lǐng)數據中心從 HDD 過(guò)渡到 QLC SSD，憑借其全新容量和創(chuàng )新的工作負載洞察，滿(mǎn)足通用服務(wù)器和存儲的需求；●? ??強勁的客戶(hù)需求和 OEM 廠(chǎng)商驗證，推動(dòng)美光 QLC SSD 進(jìn)入市場(chǎng)。內存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司
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長(cháng)江存儲：128層3D NAND技術(shù)會(huì )按計劃在今年推出

據證券時(shí)報消息，長(cháng)江存儲CEO楊士寧在接受采訪(fǎng)時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì )有所波及。但目前長(cháng)江存儲已實(shí)現全員復工，從中長(cháng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì )影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì )按計劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長(cháng)江存儲市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示，接下來(lái)，長(cháng)江存儲將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L(cháng)江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長(cháng)江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總
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集邦咨詢(xún)：受新冠肺炎疫情擴大沖擊，NAND Flash均價(jià)可能提前于下半年反轉向下

根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，雖然新冠肺炎疫情延燒，使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱，但在NAND Flash領(lǐng)域，因為2020年全年供給位元產(chǎn)出年成長(cháng)收斂至三成，加上各大供應商資本支出保守，第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。
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華邦電進(jìn)軍車(chē)用、工業(yè)領(lǐng)域

存儲器大廠(chǎng)華邦電近日宣布，開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問(wèn)題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別，提供車(chē)用與工業(yè)應用領(lǐng)域穩健可靠的儲存存儲器。
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存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結束？

據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場(chǎng)。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類(lèi)型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場(chǎng)2017年的存儲器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規模均成長(cháng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導體市場(chǎng)規模比2016年成長(cháng)22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
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英特爾QLC 3D NAND固態(tài)盤(pán)產(chǎn)量破千萬(wàn)

2019年4月，英特爾推出了傲騰H10混合式固態(tài)盤(pán)。這款產(chǎn)品將英特爾傲騰技術(shù)的卓越響應速度和英特爾QLC 3D NAND技術(shù)的強大存儲容量融為一體，采用M.2規格。近日，英特爾非易失性存儲方案事業(yè)部宣布基于中國大連制造的QLC NAND裸片所生產(chǎn)的英特爾? QLC 3D NAND固態(tài)盤(pán)（SSD）已達1000萬(wàn)個(gè)。此項生產(chǎn)始于2018年底，這一新的里程碑也確立了QLC技術(shù)成為主流大容量硬盤(pán)技術(shù)的重要地位。英特爾客戶(hù)端SSD戰略規劃與產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)總監Dave Lundell表示：“很多公司都談?wù)撨^(guò)QLC技術(shù)，但只
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引領(lǐng)存儲新架構構建數據金字塔英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來(lái)

近日，以“數智·未來(lái)”為主題的2019中國數據與存儲峰會(huì )在北京成功舉辦。匯聚全球數據存儲領(lǐng)域知名的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶(hù)，本次峰會(huì )旨在幫助企業(yè)和社會(huì )提升數據智能水平，推動(dòng)全球存儲與數據產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì )并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補當前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過(guò)諸多用戶(hù)案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng )新引領(lǐng)存儲新架構，構建數據金字塔。英特爾公司中國區非易失性存儲事業(yè)部
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SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據guru3D的報道，隨著(zhù)NAND閃存技術(shù)的創(chuàng )新發(fā)展，固態(tài)硬盤(pán)TB內存時(shí)代即將到來(lái)，SK海力士現已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
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中國首款！長(cháng)江存儲啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團旗下長(cháng)江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲等主流市場(chǎng)應用需求。
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NAND Flash 2020年新戰場(chǎng)暗潮洶涌　各家布局蓄勢待發(fā)

受到東芝工廠(chǎng)停產(chǎn)及日韓貿易戰導致存儲器價(jià)格將反轉契機出現，NAND Flash價(jià)格調漲從7月開(kāi)始顯現，而國際大廠(chǎng)之間的技術(shù)競爭更是暗潮洶涌。
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日韓貿易戰與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢，長(cháng)期須關(guān)注原廠(chǎng)庫存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導體、智能手機與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲器產(chǎn)業(yè)下游模組廠(chǎng)出現提高報價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請流程延長(cháng)，短期結構性供需反轉的可能性低。日韓貿易戰的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲器價(jià)格將反轉，集邦咨詢(xún)分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續三個(gè)季度快速下滑，下游
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美光：3D QLC閃存出貨量猛增75％

SLC、MLC、TLC、QLC……不同閃存規格一路走下來(lái)，雖然容量越來(lái)越大，但是性能、壽命、可靠性卻是越來(lái)越弱，只能通過(guò)其他方式彌補。就像之前很多人抗拒TLC一樣，現在依然有很多人不接受QLC，但大勢不可逆轉。
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SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開(kāi)賣(mài)

SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計劃下半年開(kāi)始銷(xiāo)售。
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停電余威沖擊NAND Flash出貨　價(jià)格維持小跌

日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場(chǎng)傳出存儲器大廠(chǎng)東芝存儲器(TMC)當地營(yíng)運的5座 NAND Flash工廠(chǎng)的營(yíng)運中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說(shuō)明影響，但據傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶(hù)可能無(wú)法按照原定時(shí)程出貨。
關(guān)鍵字： ?威騰東芝存儲器 NAND Flash