EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
qlc nand
qlc nand 文章 進(jìn)入qlc nand技術(shù)社區
SK海力士90億美元接盤(pán)英特爾NAND業(yè)務(wù)，存儲芯片格局或生變
- 半導體并購再起。2020年以來(lái)，半導體的重磅收購不斷。英偉達擬收購ARM，AMD洽談收購賽靈思，半導體領(lǐng)域接連出現重大變數，金額屢創(chuàng )新高。今天新的主角又登場(chǎng)了 —— SK海力士與英特爾。SK海力士于20日發(fā)布公示官宣將以90億美元收購英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)。本次收購范圍包括英特爾的固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 業(yè)務(wù)、NAND閃存和晶元業(yè)務(wù)，以及位于大連專(zhuān)門(mén)制造3D NAND Flash的Fab68廠(chǎng)房。不過(guò)，英特爾將保留傲騰 (Optane) 的存儲業(yè)務(wù)。這是韓國公司有史以來(lái)最大規模的海外收購交易，超過(guò)三星在20
- 關(guān)鍵字： SK海力士 英特爾 NAND 存儲芯片
QLC SSD不好？只是價(jià)格還不夠理想而已！
- 說(shuō)到QLC SSD，就不得不提三星 860 QVO SSD。作為最早搭載QLC閃存顆粒的消費級SATA SSD，三星 860 QVO SSD剛發(fā)布的時(shí)候就因為其性能表現欠佳，而引發(fā)了不少用戶(hù)和媒體人的討論：QLC（4bit MLC）到底有沒(méi)有實(shí)際意義？它是不是大號U盤(pán)？等等。雖然剛開(kāi)始大家都視QLC SSD為洪水猛獸，紛紛對三星 860 QVO SSD持保留態(tài)度，但是隨著(zhù)其售價(jià)不斷的下探，主打的大容量和讀寫(xiě)性能的強勁，還是有不少玩家無(wú)法逃脫“真香定律”選擇入手，相比一開(kāi)始消費者的遲疑反應而言，無(wú)論
- 關(guān)鍵字： QLC SSD
群聯(lián)發(fā)布最高容量的QLC閃存硬盤(pán)：15.36TB、掀翻HDD
- HDD硬盤(pán)的出貨量不斷下滑，現在大容量方面也要遇到SSD的挑戰了——群聯(lián)今天宣布推出S12DC主控方案，搭配QLC閃存可以做到15.36TB容量，是QLC中最高記錄。群聯(lián)的S12DC方案不追求極致性能，基于此的SRE250硬盤(pán)使用的是SATA 6Gbpos接口，2.5寸、7mm厚度常規標準，容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面，連續讀取為530MB/s，連續寫(xiě)入為220MB/s，4K隨機讀取90K IOPS，4K隨機寫(xiě)入10K IOPS，功耗4.5W。這個(gè)QLC硬盤(pán)的性
- 關(guān)鍵字： QLC 閃存硬盤(pán)
長(cháng)江存儲128層QLC閃存首次公開(kāi)亮相
- Q3季度閃存價(jià)格又要跌10%，今年6大原廠(chǎng)將會(huì )把重點(diǎn)轉向128層堆棧的3D閃存生產(chǎn)上來(lái)。國產(chǎn)的長(cháng)江存儲也趕上來(lái)了，4月份推出了128層QLC閃存，在中國電子信息博覽會(huì )首次亮相。長(cháng)江存儲這次展示了64層、128層堆棧的閃存，其中64層TLC閃存是國內首個(gè)自研量產(chǎn)的64層閃存，基于Xtacking堆疊架構，單位面積的存儲密度是同類(lèi)產(chǎn)品中最大的。目前長(cháng)江存儲的量產(chǎn)主力就是64層TLC閃存，已經(jīng)隨光威、國科微、金泰克、七彩虹等廠(chǎng)商的SSD硬盤(pán)上市。長(cháng)江存儲展示的另一個(gè)重點(diǎn)是128層QLC閃存，這是今年4月13日才
- 關(guān)鍵字： 長(cháng)江存儲 128 QLC 閃存
第八屆中國電子信息博覽前瞻！這些亮點(diǎn)不容錯過(guò)！
- 寂半年之后，無(wú)論是業(yè)內人士還是廣大消費者，都渴望換換環(huán)境、出去走走，在深圳會(huì )展中心看一場(chǎng)科技盛宴再適合不過(guò)。8K智慧屏、5G芯片、機器人、新能源汽車(chē)，還有會(huì )跳舞的機器人，這些來(lái)自世界各地的炫酷黑科技和創(chuàng )新成果都將出現在CITE2020。相比以往，CITE2020不僅更側重世界科技創(chuàng )新合作，也更聚焦于時(shí)代風(fēng)口下的“科技”之爭，注重科技與生活的結合。對于即將到來(lái)的CITE2020，面對那些不勝枚舉的震撼現場(chǎng)，你準備好了嗎？搭建電子信息全產(chǎn)業(yè)鏈展示、交流平臺！作為中國電子信息產(chǎn)業(yè)的窗口和引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)向標,第八
- 關(guān)鍵字： CITE2020 CMO QLC
Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企業(yè)級NVMe?固態(tài)硬盤(pán)控制器
- 隨著(zhù)數據中心支持的人工智能（AI）和機器學(xué)習（ML）工作負載越來(lái)越多，市場(chǎng)需要具備更寬存儲帶寬和更高單機架存儲密度的云級別基礎設施。因此，市場(chǎng)的趨勢是按照如M.2和全球網(wǎng)絡(luò )存儲工業(yè)協(xié)會(huì )（SINA）新推出的企業(yè)和數據中心固態(tài)硬盤(pán)外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標準，采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲器高速（NVMe?）固態(tài)硬盤(pán)。這些固態(tài)硬盤(pán)要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)，能驅動(dòng)NAND閃存發(fā)揮最大潛力，同時(shí)保持這種企業(yè)級NVMe固態(tài)硬盤(pán)所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
- 關(guān)鍵字： QLC TLC AI ML SINA IOPS
研究機構預計全球NAND閃存銷(xiāo)售額今年增至560億美元 同比大增27%
- 據國外媒體報道，研究機構預計，銷(xiāo)售額在去年大幅下滑的NAND閃存，在今年將大幅增長(cháng)，同比增長(cháng)率將達到27.2%，銷(xiāo)售額將達到560.07億美元。從研究機構的預計來(lái)看，在集成電路的33個(gè)產(chǎn)品類(lèi)別中，NAND閃存今年銷(xiāo)售額的同比增長(cháng)率，將是最高的，是增長(cháng)最明顯的一類(lèi)。就預期的銷(xiāo)售金額而言，NAND閃存依舊會(huì )是集成電路中的第二大細分市場(chǎng)，僅次于DRAM，后者的銷(xiāo)售額預計為645.55億美元，較NAND閃存高85.48億美元。在研究機構的預計中，在全球集成電路市場(chǎng)，NAND閃存今年的銷(xiāo)售額將占到15.2%，僅次于
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統
- 近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規光學(xué)或其他電子束檢測平臺無(wú)法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時(shí)間（包括那些依賴(lài)于極端紫外線(xiàn)（EUV）光刻技術(shù)的芯片）。eSL10的研發(fā)是始于最基本的構架，針對研發(fā)生產(chǎn)存在多年的問(wèn)題而開(kāi)發(fā)出了多項突破性技術(shù)，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場(chǎng)上任何其他電子束系統都難以比擬的。KLA電子束部門(mén)總經(jīng)理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
游戲新機上市填補云端需求空缺 三季度NAND Flash價(jià)格波動(dòng)有限
- 根據TrendForce內存儲存研究(DRAMeXchange)調查，盡管消費性產(chǎn)品及智能型手機受到疫情沖擊導致需求下降，但云端服務(wù)、遠距教學(xué)的需求也同步催生，加上部份客戶(hù)因擔憂(yōu)供應鏈中斷而提前備貨，促使NAND Flash市場(chǎng)在2020年第一季與第二季呈現缺貨。整體而言，目前需求以SSD占最大宗，與手機、消費性較相關(guān)的eMMC、UFS及wafer市場(chǎng)較為冷卻。根據TrendForce分析師葉茂盛指出，當前為NAND Flash第三季議價(jià)的關(guān)鍵時(shí)刻，初步觀(guān)察因新款游戲機的年底上市計劃不變，首次轉進(jìn)SSD的
- 關(guān)鍵字： NAND Flash
國產(chǎn)128層QLC閃存問(wèn)世 武漢基地二期開(kāi)工
- 4年前的2016年，國家在武漢建設了國家存儲器基地項目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲器基地項目二期也在武漢東湖高新區未來(lái)科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項目投資高達240億美元，約合1697億元。在開(kāi)工儀式上，紫光集團、長(cháng)江存儲董事長(cháng)趙偉國介紹了項目有關(guān)情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開(kāi)工建設以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠(chǎng)，實(shí)現了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示，國家存儲器基地項目于2016年12月30日開(kāi)工，計劃分兩期建設3D NAND
- 關(guān)鍵字： 國產(chǎn) 128層 QLC 閃存
三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)
- 據國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬(wàn)億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區建NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)。三星電子生產(chǎn)線(xiàn)建設上月已經(jīng)開(kāi)始，預計2021年下半年開(kāi)始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應對隨著(zhù)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來(lái)的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產(chǎn)線(xiàn)，新產(chǎn)線(xiàn)專(zhuān)注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始建設，預計明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線(xiàn)，韓國將擁有7條
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
集邦咨詢(xún)：數據中心需求大增，NAND Flash營(yíng)收成長(cháng)8.3%
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(cháng)8.3%，達136億美元。延續去年第四季開(kāi)始的數據中心強勁采購力道，第一季Enterprise SSD仍是供不應求。此外，自年初起，各供應商當時(shí)的庫存水位多已恢復至正常，也帶動(dòng)主要產(chǎn)品合約價(jià)呈現上漲。隨后在農歷春節期間爆發(fā)新冠肺炎疫情，根據集邦咨詢(xún)當時(shí)的調查，服務(wù)器供應鏈的恢復狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機，也因此對于數據中心需求
- 關(guān)鍵字： NAND 三星 intel
集邦咨詢(xún)：數據中心需求大增，第一季NAND Flash營(yíng)收成長(cháng)8.3%
- 根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(cháng)8.3%，達136億美元。
- 關(guān)鍵字： 集邦咨詢(xún) 數據中心 NAND Flash
美光推出性能型和經(jīng)濟型客戶(hù)端 NVMe? SSD 新品， 搭載業(yè)界領(lǐng)先的容量和 QLC NAND 技術(shù)
- 新聞要點(diǎn)●? ?全新的性能型和經(jīng)濟型 SSD 的靈活選擇滿(mǎn)足了從輕薄筆記本到高性能工作站客戶(hù)端PC系統的存儲需求；●? ?M.2 外形規格的美光 2300 SSD 采用美光創(chuàng )新的 96 層 3D NAND 技術(shù)，具備行業(yè)領(lǐng)先的 2TB 容量[1]；●? ?美光 2210 SSD 兼具SSD 的性能和性?xún)r(jià)比；與機械硬盤(pán)相比，采用了美光 QLC 架構的 2210 SSD的功耗降低了 15 倍之多。內存和存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Techn
- 關(guān)鍵字： QLC SSD
qlc nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條qlc nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對qlc nand的理解，并與今后在此搜索qlc nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
qlc nand電路
qlc nand相關(guān)帖子
qlc nand資料下載
qlc nand專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473