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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
半導體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)
- 智慧之石 作為電子工業(yè)發(fā)展基礎的電子器件，已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代：1.?電子管時(shí)代――1905～1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947～1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958～…(到2014年已有56年)?！ ‰娮庸艿陌l(fā)明拉開(kāi)了電子時(shí)代的序幕，為當時(shí)蓬勃發(fā)展的無(wú)線(xiàn)電報事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時(shí)間里，推動(dòng)了收音機、電視機、雷達、計算機的發(fā)明和應用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開(kāi)始廣播，也是30年代最早開(kāi)始電視廣播的國家之一
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM PC 201404
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM。在電子設備中，常見(jiàn)的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號，即可保持數據不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數據總線(xiàn)的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
2013年第四季NAND品牌供應商營(yíng)收下滑4.5%
- 全球市場(chǎng)研究機構TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對于 2013年第四季終端裝置出貨過(guò)于樂(lè )觀(guān)，導致產(chǎn)出成長(cháng)高于后續實(shí)際需求而讓市況呈現供過(guò)于求，以及SK海力士(Hynix)火災影響 NAND 產(chǎn)能調配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應商營(yíng)收較第三季下滑4.5%，來(lái)到61億6,800萬(wàn)美元。 2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷(xiāo)較2012年改善不少，因此第四季營(yíng)收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
布局存儲器封測 臺廠(chǎng)競爭卡位
- 存儲器大廠(chǎng)美光擴大委外封裝合作，東芝新廠(chǎng)可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠(chǎng)積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。 展望今年，國際存儲器大廠(chǎng)集中資源開(kāi)發(fā)前端制程，包括動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠(chǎng)考量自身發(fā)展，積極與國際大廠(chǎng)洽商合作。 美光(Micron)去年以20億美元買(mǎi)下日本存儲器大廠(chǎng)爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。 為進(jìn)一步集成DRAM封測業(yè)務(wù)，去年下半年美光著(zhù)手洽商DRAM后段封測
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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