EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
臺內存大廠(chǎng)揮軍日本 直闖工控和車(chē)用市場(chǎng)
- 征戰海外展覽的臺灣內存大廠(chǎng)，終于在日本找到了機會(huì )。
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND Flash
六大NAND Flash廠(chǎng)商：東芝最“吸金”
- 2014第三季度 NAND Flash廠(chǎng)商營(yíng)收排名出爐，其中東芝最為亮眼，原因是因為它最漲勢最猛。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 東芝 三星
美光咬蘋(píng)果大單 力成同樂(lè )
- 蘋(píng)果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機后，今年底或明年初，將緊接推出Apple Watch智能手表，目前正展開(kāi)一波拉貨，力成最大客戶(hù)美光傳出大啖蘋(píng)果Apple Watch存儲器絕大部分訂單，力成受惠度看漲，也激勵今天股價(jià)逆勢上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤(pán)間的狹幅震蕩。 據了解，Apple Watch采用512MB LPDDR3，內建4GB或8GB容量的NAND Flash，美光包辦絕大部分的訂單，而在下游后段封測代工制程方面，目前多半由力成與華東共同負責，由于測試時(shí)
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 iPhone 6 NAND Flash
臺IC設計前3季 聯(lián)發(fā)科穩居每股獲利王 敦泰群聯(lián)位居二三名
- IC設計第3季財報全數公布完畢，累計前3季，聯(lián)發(fā)科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元，穩居IC設計每股盈余獲利王，也是稅后凈利獲利王，其次是觸控IC廠(chǎng)F-敦泰(5280-TW)，前3季每股稅后盈余為13.67元，排名第二，第三名則是FLASH控制晶片廠(chǎng)群聯(lián)(8299-TW)，前3季每股盈余為13.34元，排名第三。 根據公開(kāi)資訊站資料顯示，聯(lián)發(fā)科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩居IC設計之冠，表現亮眼，顯示行動(dòng)裝置需求持續升溫，第3季旺季效應加持發(fā)威下，相關(guān)廠(chǎng)商營(yíng)運表現都相當亮眼，聯(lián)發(fā)科第
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)發(fā)科 觸控IC FLASH
Spansion：eMMC填補市場(chǎng)需求和閃存發(fā)展缺口
- 昨天，Spansion舉行媒體發(fā)布會(huì )，推出面向消費電子、通信和工業(yè)嵌入式系統的工業(yè)級eMMC閃存產(chǎn)品，并向記者介紹了eMMC閃存的市場(chǎng)定位和需求情況。 與其他Spansion產(chǎn)品一樣，這次發(fā)布的eMMC閃存主要是針對嵌入式客戶(hù)設計的，這類(lèi)客戶(hù)通常對于工作溫度范圍、數據保護和支持工具有嚴格的測試和要求，這樣讓OEM能夠更容易地據此設計自己的產(chǎn)品。 據Spansion公司NAND閃存產(chǎn)品營(yíng)銷(xiāo)及業(yè)務(wù)拓展總監Touhid Raza介紹，eMMC是一種在行業(yè)使用比較普遍的存儲器標準，而Spansio
- 關(guān)鍵字： Spansion eMMC NAND
下游需求高企 2014年中國內存芯片市場(chǎng)將占全球兩成
- TrendForce最新研究報告顯示，隨著(zhù)中國市場(chǎng)近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開(kāi)放，GDP成長(cháng)率呈現高度的成長(cháng)，所伴隨而來(lái)的就是驚人的消費潛力，無(wú)論是PC、智能型手機與平板市場(chǎng)都把中國市場(chǎng)列入第一戰區。TrendForce旗下權威內存研究機構DRAMeXchange最新數據顯示，以2Gb顆粒來(lái)?yè)Q算，2014年中國市場(chǎng)在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達47.89億與70.36億，分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。 從DRAM市場(chǎng)來(lái)觀(guān)察，PC-DRAM在中國市場(chǎng)的消化量已經(jīng)來(lái)到15%，內需市場(chǎng)的強勁
- 關(guān)鍵字： 內存 DRAM Flash
基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設計與實(shí)現
- 引言 FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區別，使用FLASH時(shí)必須根據其自身特性，對存儲系統進(jìn)行特殊設計，以保證系統的性能達到最優(yōu)。 FLASH的特點(diǎn) FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory)，根據結構的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
- 關(guān)鍵字： FLASH NAND
全球半導體市況良好 韓廠(chǎng)火熱、日廠(chǎng)躊躇
- 全球半導體市場(chǎng)第3季，以870億美元創(chuàng )下史上最高營(yíng)收紀錄，景氣持續樂(lè )觀(guān)。其中亞太地區比前年增加12.0%成長(cháng)最多，南韓業(yè)者營(yíng)收屢創(chuàng )新高，然而日本地區卻出現成長(cháng)衰退跡象。 據Digital Times報導，日前美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SIA)宣布，第3季半導體產(chǎn)業(yè)全球營(yíng)收，與前年同期相比成長(cháng)8.0%，以870億美元創(chuàng )下史上單季最高紀錄。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半導體貿易統計組織(WSTS)在7月預測的年度成長(cháng)值6.5%。 SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半導
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM NAND
Spansion 推出面向消費電子、通信和工業(yè)嵌入式系統的工業(yè)級e.MMC 存儲產(chǎn)品
- 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng )新廠(chǎng)商Spansion公司今日宣布推出面向消費、通信和工業(yè)設備市場(chǎng)的工業(yè)級e.MMC NAND閃存系列。Spansion的e.MMC NAND閃存提供8GB和16GB存儲密度，工作溫度范圍為-40度到+85度，可滿(mǎn)足上述市場(chǎng)對可靠、更高密度存儲日益增長(cháng)的需求。最新推出的Spansione.MMC閃存系列完善了Spansion領(lǐng)先業(yè)界的并行和串行NOR閃存以及面向嵌入式應用的SLC NAND閃存產(chǎn)品組合。 Spansione.MMC閃存采用高密度的MLC NA
- 關(guān)鍵字： Spansion NAND MMC
OEM需求拉貨動(dòng)能增溫，第三季NAND Flash品牌營(yíng)收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋(píng)果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，eMMC/eMCP與SSD的成長(cháng)力道均高于上半年，NAND Flash價(jià)格表現也相對穩健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營(yíng)收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，有助于各家業(yè)者成本結構的改善，而隨著(zhù)蘋(píng)果第四季iPhone表現持續亮眼以及新產(chǎn)品的問(wèn)世，整體N
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD iPhone6
LED產(chǎn)業(yè)推動(dòng)中國半導體時(shí)代的來(lái)臨
- 過(guò)去媒體與業(yè)界常講最尖端、先進(jìn)的半導體技術(shù)不會(huì )到中國投資，某些國家的政府對于輸出特定半導體技術(shù)到中國投資都有設定限制，因此過(guò)去國際半導體廠(chǎng)在中國投資半導體相關(guān)事業(yè)，以芯片封裝測試廠(chǎng)、8 寸以下晶圓廠(chǎng)為主。不過(guò)，這個(gè)局面在中國市場(chǎng)打開(kāi)，中國政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來(lái)買(mǎi)技術(shù)、買(mǎi)設備與外資合作建立中國半導體產(chǎn)業(yè)的新局后，有了重大改變。 英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國手機芯片廠(chǎng)展訊聯(lián)合宣布，以 15 億美元入股紫光集團，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內存事
- 關(guān)鍵字： AMD Spansion NAND
中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程
- 中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶(hù)生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠(chǎng)。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿(mǎn)足特殊存儲器無(wú)晶圓廠(chǎng)客戶(hù)對高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續增長(cháng)的需求，使中芯國際占據該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 NAND 閃存是近年來(lái)發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領(lǐng)域?？蛻?hù)也可利用此技術(shù)帶動(dòng)串行外設接
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 NAND
iPhone 6推升智能手機NAND搭載容量
- TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調查報告顯示，蘋(píng)果(Apple) 9月份推出大螢幕尺寸的 iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷(xiāo)，帶動(dòng) 2014全年 iPhone 銷(xiāo)售量提升至1.88支，年成長(cháng)率高達22%，成功扭轉過(guò)去一年來(lái)iPhone趨緩的銷(xiāo)售動(dòng)能，重新站穩高階智慧型手機領(lǐng)導廠(chǎng)商的地位;值得注意的是，蘋(píng)果這次的改變除了將螢幕尺寸從一直堅守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲存容量與價(jià)格上也開(kāi)始展現更積極的策略。 DRAMeXchange
- 關(guān)鍵字： 智能手機 NAND
提高M(jìn)SP430G 系列單片機的Flash 擦寫(xiě)壽命方法
- 在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數據，MSP430G 系列處理器在芯片內部劃分出了256 字節的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲非易失性數據，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫(xiě)壽命上存在一定差距，所以在實(shí)際應用中，這種應用方式并不能夠滿(mǎn)足所有客戶(hù)的需求。本應
- 關(guān)鍵字： MSP430 Flash EEPROM
FLASH和反熔絲類(lèi)型的FPGA你了解多少
- 由于航天應用對可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開(kāi)發(fā)最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時(shí)，撞擊的能量會(huì )改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數據，使系統運行到無(wú)法預知的狀態(tài)，從而引起整個(gè)系統失效。這在航天設備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎的FPGA與以SRAM為基礎的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢，可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應商。它提供了多種服務(wù)，包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開(kāi)發(fā)工具和設計服務(wù)，定位
- 關(guān)鍵字： FPGA FLASH 反熔絲
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
nand flash電路
nand flash相關(guān)帖子
nand flash資料下載
nand flash專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473