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nand flash
nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
ARM編程中Flash ROM驅動(dòng)示例
- Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個(gè)blocks,4M空間,每個(gè)block 64K,第一個(gè)64K由8個(gè)8*8 ...
- 關(guān)鍵字： ARM編程 Flash ROM驅動(dòng)
Marvell擴大固態(tài)硬盤(pán)控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場(chǎng)份額
- 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導廠(chǎng)商美滿(mǎn)電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續加速實(shí)現全球消費者和企業(yè)的“美滿(mǎn)互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網(wǎng)絡(luò )、計算、移動(dòng)和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據著(zhù)獨一無(wú)二的領(lǐng)導地位。
- 關(guān)鍵字： Marvell 固態(tài)硬盤(pán) NAND
2014年Flash LED市場(chǎng)走勢將呈現M型化
- FlashLED在智慧型手機的滲透率已達100%，看準Flash商機，LED業(yè)者積極投入Flash市場(chǎng)。2013年FlashLED的規格以驅動(dòng)電流1000mA、500mA與350mA為主流，業(yè)內人士認為，2014年FlashLED市場(chǎng)將呈現M型化發(fā)展，高階規格以驅動(dòng)電流1000mA所主導，而低階則會(huì )以驅動(dòng)電流350mA為主。 LEDFlash具有高穩定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅動(dòng)、不需要充電與壽命較長(cháng)等特性，FlashLED已成為智慧型手機標配，以2013年FlashLED市況來(lái)看，主流規
- 關(guān)鍵字： Flash LED
可管理NAND：適用于移動(dòng)設備的嵌入式大容量存儲
- 與多年前相比，現在的移動(dòng)消費電子裝置結構復雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂(lè )、照片和視頻內容。讓人欣慰的是，存儲...
- 關(guān)鍵字： NAND 移動(dòng)設備 大容量存儲
國際廠(chǎng)競搶Flash LED新高地 明年恐見(jiàn)殺價(jià)潮
- LED產(chǎn)品價(jià)格不斷下滑，壓縮各廠(chǎng)獲利空間，廠(chǎng)商除靠壓低生產(chǎn)成本外，也持續開(kāi)發(fā)高毛利產(chǎn)品領(lǐng)域以求生存，因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠(chǎng)欲競逐的市場(chǎng)，除國際大廠(chǎng)PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，臺廠(chǎng)有億光、新世紀、光寶科等業(yè)者，但近期市場(chǎng)傳出，韓廠(chǎng)三星將走出過(guò)去堅守的4139封裝規格，計劃加入主流的2016規格戰局。隨著(zhù)市場(chǎng)競爭者越來(lái)越多，估計FlashLED明年將會(huì )見(jiàn)到一波價(jià)格下殺潮。 消費者對于智慧型手機要求越來(lái)越高，除處理效能要接近電腦外，就連照相功能也向
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10月快閃存儲器NAND供過(guò)于求 合約價(jià)看漲
- 市調機構集邦科技預期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過(guò)于求情況可望趨緩，10月合約價(jià)看漲。 集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無(wú)錫廠(chǎng)發(fā)生火災意外，不僅帶動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價(jià)格飆漲，同時(shí)激勵9月NANDFlash合約價(jià)上漲3%至6%。 集邦科技指出，盡管NANDFlash市場(chǎng)銷(xiāo)售并無(wú)好轉跡象，不過(guò)，海力士無(wú)錫廠(chǎng)復工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預期第4季NANDFlash市場(chǎng)供過(guò)于求情況可望趨緩。 集邦預期，近期1至2個(gè)月
- 關(guān)鍵字： 快閃存儲器 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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