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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
新蘋(píng)效應 NAND下月涌急單
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠(chǎng)群聯(lián) (8299)董事長(cháng)潘健成表示，智慧手機市場(chǎng)本季需求不振，主要是受到市場(chǎng)上迷漫觀(guān)望氣氛影響，直到蘋(píng)果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規格之后，其它手機品牌廠(chǎng)出現搶零組件熱潮。 他說(shuō)，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。 潘健成表示，先前消費者期待iPhone 6上市，導致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷(xiāo)售不佳;其它品牌的Android系統也在第2季出現清庫存的情況，上游供應商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
- 關(guān)鍵字： NAND 控制晶片
東芝四日市新廠(chǎng)動(dòng)土2015年起量產(chǎn)3D NAND
- 核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠(chǎng)，主持采用更高精度制程NAND Flash廠(chǎng)、第五工廠(chǎng)第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠(chǎng)、第二工廠(chǎng)新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場(chǎng)的積極作為。 東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠(chǎng)，主持采用更高精度制程NAND Flash廠(chǎng)、第五工廠(chǎng)第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠(chǎng)、第二工廠(chǎng)新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場(chǎng)的積極作為。 由于智能型手
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
中芯國際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了
- 雖然規模和技術(shù)遠遠不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現在他們準備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶(hù)推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。 NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤(pán)以及消費電子上所用的存儲器多數都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
- 關(guān)鍵字： 中芯國際 NAND
東芝在閃存峰會(huì )上展示最新NAND和存儲產(chǎn)品
- 東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(huì )(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。閃存峰會(huì )是全球最大的閃存討論會(huì )，于8月5至7日在美國加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會(huì )議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。 閃存峰會(huì )的展覽環(huán)節在會(huì )議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號展位布展。 主要展品 ??? 1、企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)(eSSD)： ??? 企業(yè)級讀密集型
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 固態(tài)硬盤(pán)
一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法，并完成了設計和仿真。 關(guān)鍵詞：微控制器 在線(xiàn)仿真 開(kāi)發(fā)系統 Flash SRAM 由于市場(chǎng)對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應用的領(lǐng)域也不斷擴展， 因此往往需要對最初的設計進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優(yōu)點(diǎn)就在于可進(jìn)行高達上萬(wàn)次的擦寫(xiě)操作，順應了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，Flash MCU市場(chǎng)價(jià)格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對于F
- 關(guān)鍵字： MCU Flash 仿真器
匯聚中國移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統領(lǐng)導廠(chǎng)商 第二屆閃迪年度客戶(hù)研討會(huì )圓滿(mǎn)舉行
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司今日宣布，來(lái)自移動(dòng)設備、平板電腦和消費類(lèi)電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統的300多位領(lǐng)導廠(chǎng)商本周齊聚中國深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì )。本次活動(dòng)于8月26日舉行，囊括了中國及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應商的代表)，共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)的新技術(shù)、新應用、新趨勢和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì )邀請了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導者擔任演講嘉賓
- 關(guān)鍵字： 閃迪 智能手機 NAND
終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩健增長(cháng)
- TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，由于智能手機、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩健增長(cháng)，固態(tài)硬盤(pán)在筆記本電腦以及服務(wù)器與數據中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應用也將逐漸導入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規模將提升至266億美元，年增長(cháng)9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2014年NANDFlash需求位增長(cháng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開(kāi)始導入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(cháng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢觀(guān)察的重
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置
基于A(yíng)RM7軟中斷程序的設計
- 摘要：本文以ARM7內核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時(shí)，采用SWI軟中斷的方法實(shí)現同時(shí)寫(xiě)片外FLASH的例子，詳細講述ARM7內核的MCU如何設計SWI軟中斷程序的流程、方法和應用原理。 1 背景描述 筆者在設計一項目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內核，帶512K字節的片內FLASH，98k字節的片內RAM，支持片外LOCAL BUS總線(xiàn)，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關(guān)鍵字： ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
三星、東芝競擴產(chǎn)NAND Flash報價(jià)恐跌三成
- 全球NANDFlash(儲存型快閃記憶體)供給成長(cháng)持續大于需求，預估NANDFlash今年底報價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續至2018年。 市調機構IHSiSuppli最新報告預測，NANDFlash今年底報價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠低于去年的0.71美元，預估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復合成長(cháng)率為負的28%。 NANDFlash產(chǎn)出過(guò)多是導致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計算，IHSiSuppl估計，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
上海海爾：向通用MCU進(jìn)發(fā)
- 今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機產(chǎn)品，有其自主知識產(chǎn)權內核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數從10pin至80pin。豐富的資源為客戶(hù)的方案設計提供了多樣選擇。 專(zhuān)注于專(zhuān)用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么? 處于從專(zhuān)用向通用MCU升級的開(kāi)端 MCU(單片機，微控制器)一般有通用和專(zhuān)用兩類(lèi)。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機，而日本、
- 關(guān)鍵字： 海爾 MCU Flash 201408
Spansion全新閃存設備不懼熱力來(lái)襲
- 并非所有的嵌入式應用都“生而平等”。在設計者們繼續尋求途徑改善用戶(hù)體驗和性能等方面的過(guò)程中，一個(gè)必須考慮的重要因素是嵌入式應用的運行環(huán)境。從北極地區冰冷刺骨的戶(hù)外天線(xiàn)，到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機，嵌入式應用所需支持的環(huán)境千差萬(wàn)別。嵌入式系統及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運作，還必須保持其交流和直流參數以及其它規格要求。如果在極端溫度范圍內無(wú)法滿(mǎn)足所有規格要求，必須做出得失權衡，就必須記錄下這一信息，并在設計過(guò)程中進(jìn)行共享。在汽車(chē)、消費、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò )或通信應用中，
- 關(guān)鍵字： Spansion NAND FL1-K
Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開(kāi)創(chuàng )性L(fǎng)DPC技術(shù)支持TLC NAND閃存
- 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導廠(chǎng)商美滿(mǎn)電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯、低密度奇偶校驗(LDPC)技術(shù)，使消費類(lèi)及企業(yè)級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著(zhù)降低了存儲系統的總體成本，功耗更低，并提供無(wú)與倫比的性能?！ arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng )始人
- 關(guān)鍵字： Marvell 控制器 NAND
半導體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)
- 科研投資 日本資深專(zhuān)業(yè)人士泉谷涉還說(shuō)：2012年日本國內半導體產(chǎn)值約5萬(wàn)億日元，占GDP的5%，但它對應用半導體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過(guò)IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來(lái)計算，半導體產(chǎn)生的經(jīng)濟效益約為100萬(wàn)億日元 ，兩者之比達到1：20，如此給力，誰(shuí)不動(dòng)心?!但是，半導體業(yè)又一向被稱(chēng)為“食金蟲(chóng)”產(chǎn)業(yè)，沒(méi)有國家的大力支持，沒(méi)有生產(chǎn)設備和科研經(jīng)費的巨大投入，那是美夢(mèng)難圓的。 半導體設備投資也是引導世界經(jīng)濟增長(cháng)的要素之一，它每年投資計劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設備、材料公司的股
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND IC 201405
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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