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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
狼、羊、草過(guò)河與嵌入式固件更新
- 狼、羊、草過(guò)河問(wèn)題(也有叫狼、羊、白菜過(guò)河之類(lèi)的名字)是說(shuō)：有一人帶著(zhù)一只部分馴化的狼(強調部分馴化是說(shuō)明，人在場(chǎng)的情況下狼不會(huì )吃羊，不然要被指出邏輯漏洞了)、一只山羊和一些草來(lái)到河的左岸，欲乘一只很小的船過(guò)到河的右岸，每次人只能帶其中一個(gè)過(guò)河，當有人在時(shí)，狼、羊、草都不會(huì )有事;當無(wú)人在時(shí)，就不允許狼羊在一起，也不允許羊和草在一起，問(wèn)應如何過(guò)河?
- 關(guān)鍵字： 嵌入式 Flash RAM 緩沖區
三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內存什么的都要堆起來(lái)。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內部采用三星獨有的垂直單元結構，通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。 三星稱(chēng)，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫(xiě)入性能也可達到1xnm N
- 關(guān)鍵字： 三星 V-NAND
半導體廠(chǎng)擴產(chǎn) 力成進(jìn)補
- 不讓韓國三星專(zhuān)美于前，日本半導體大廠(chǎng)東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠(chǎng)，導入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠(chǎng)力成(6239)營(yíng)運挹注成長(cháng)動(dòng)能。 這是三星在上月宣布調高今年半導體資本支出后，東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋(píng)果中低價(jià)手機和大陸手機的強勁需求。 研究機構統計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
芯片制造設備行業(yè)2014年前景看好
- 據國外媒體報道，芯片廠(chǎng)商尚未打破增長(cháng)-衰退交替出現的規律。周一從芯片行業(yè)展會(huì )SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是，盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長(cháng)的預期落空，但明年的前景要光明得多。 SEMI(半導體設備暨材料協(xié)會(huì ))預計，2013年芯片制造設備營(yíng)收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預測，2014年芯片制造設備營(yíng)收將猛增21%。 當然，SEMI以往曾對芯片制造設備營(yíng)收作出過(guò)高的預期。1年前，SEMI曾預計2013年芯片制造設備營(yíng)收將增長(cháng)約1
- 關(guān)鍵字： 芯片制造 NAND
2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會(huì )變好
- 根據國外媒體的報道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現衰退，預計芯片制造設備的全年營(yíng)收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預計2013年芯片制造設備營(yíng)收會(huì )增長(cháng)10%。 這次衰退預計同樣出自SEMI，這表明此前他們對2013年的樂(lè )觀(guān)預計已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開(kāi)始，以NAND閃存為首的芯片廠(chǎng)商對芯片制造設備的訂單就已經(jīng)開(kāi)始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩定，主要是因為消費類(lèi)電子產(chǎn)品對芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動(dòng)的統治地位。 不過(guò)SEMI依然對2014年的發(fā)展
- 關(guān)鍵字： 芯片制造 NAND
中國廠(chǎng)商成全球芯片行業(yè)增長(cháng)新引擎
- 導語(yǔ)：路透社今天撰文指出，近年來(lái)高端手機市場(chǎng)的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋(píng)果公司的增長(cháng)也開(kāi)始放緩，但隨著(zhù)華為、聯(lián)想等中國移動(dòng)廠(chǎng)商的強勢崛起，以及中國移動(dòng)市場(chǎng)的火爆，中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長(cháng)的新引擎。 以下為文章全文： 重新掌握主動(dòng) 隨著(zhù)中國低端智能手機和平板電腦的需求激增，以及華為等中國移動(dòng)設備廠(chǎng)商的強勢崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠(chǎng)商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國，成為全球第一大智能手機市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
內存芯片商揚眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢(qián)了
- 7月5日消息，由于中國廉價(jià)平板、智能手機需求增長(cháng)，由于中國移動(dòng)設備商的出現，東芝、海力士等內存商終于擺脫了倒霉運，開(kāi)始收獲金錢(qián)了。 在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場(chǎng)增速沒(méi)過(guò)去那么快了，但是，這些設備渴望裝上更大的內存，也會(huì )刺激內存銷(xiāo)售的增長(cháng)。 兩種趨勢之下，加上2011年以來(lái)內存商縮減投資，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器)和NAND內存芯片價(jià)格已經(jīng)開(kāi)始回升，在廠(chǎng)商面前，內存制造商抬起頭來(lái)，它們有了更高的議價(jià)能力。 I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
- 關(guān)鍵字： 內存芯片 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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