布局存儲器封測 臺廠(chǎng)競爭卡位

　　存儲器大廠(chǎng)美光擴大委外封裝合作，東芝新廠(chǎng)可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠(chǎng)積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。

　　展望今年，國際存儲器大廠(chǎng)集中資源開(kāi)發(fā)前端制程，包括動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠(chǎng)考量自身發(fā)展，積極與國際大廠(chǎng)洽商合作。

　　美光(Micron)去年以20億美元買(mǎi)下日本存儲器大廠(chǎng)爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。

　　為進(jìn)一步集成DRAM封測業(yè)務(wù)，去年下半年美光著(zhù)手洽商DRAM后段封測伙伴，計畫(huà)在中國大陸西安建立標準型DRAM(CommodityDRAM)封裝產(chǎn)線(xiàn)，配合美光原先在西安設立的DRAM測試廠(chǎng)。

　　產(chǎn)業(yè)人士指出，美光在西安計畫(huà)新設DRAM封裝產(chǎn)線(xiàn)，除了業(yè)務(wù)集成外，也希望穩定自身DRAM封裝與測試產(chǎn)線(xiàn)于同一定點(diǎn)。從市場(chǎng)考量，西安持續提供招商優(yōu)惠，美光也可就近供應中國大陸市場(chǎng)需求。

　　產(chǎn)業(yè)人士表示，美光計畫(huà)擴大委外DRAM后段封裝，以專(zhuān)注開(kāi)發(fā)前端存儲器高階制程，今年集成DRAM后段封測業(yè)務(wù)，腳步會(huì )加快。

　　法人透露，美光已陸續與日月光、力成、華東、南茂和矽品等封測臺廠(chǎng)，洽商在西安合作DRAM封裝產(chǎn)線(xiàn)事宜。

　　產(chǎn)業(yè)人士指出，日月光計畫(huà)重回存儲器封測領(lǐng)域，擴大營(yíng)收規模，日月光與美光雙方合作意愿頗高，不排除日月光與美光今年合作DRAM封裝的可能性。

　　不過(guò)法人表示，美光DRAM封裝合作對象尚未定案，目前仍在洽談中。

　　從封裝設備角度來(lái)看，產(chǎn)業(yè)人士表示，邏輯芯片和存儲器之間封裝設備大同小異，DRAM封裝產(chǎn)線(xiàn)也多采用打線(xiàn)封裝，彼此可相互支持，加上日月光先前也曾透過(guò)日月鴻切入存儲器封測領(lǐng)域，日月光若重回存儲器封裝領(lǐng)域，預估封裝設備機臺支出不大。

　　若日月光布局DRAM存儲器封裝，對南茂、力成和華東存儲器封測臺廠(chǎng)將形成激烈競爭壓力。

　　觀(guān)察美光DRAM封裝委外比重，法人預估，其中大約4成到5成由美光自力完成，約2成多委外由南茂封裝，約1成多到2成由力成封裝。

　　特定封測臺廠(chǎng)也曾仔細考慮與美光合作存儲器測試的可能性，測試毛利率較高，而在DRAM后段封裝，臺廠(chǎng)沒(méi)有太多主動(dòng)空間。

　　其它封測臺廠(chǎng)考量西安設廠(chǎng)環(huán)境、距離與自身發(fā)展規劃，對與美光合作DRAM封裝態(tài)度相對觀(guān)望，但持續關(guān)注美光委外DRAM后段封裝的發(fā)展態(tài)勢。

　　另一方面，東芝(Toshiba)和晟碟(SanDisk)合資興建的NAND型快閃存儲器(NANDFlash)新廠(chǎng)，預估今年可開(kāi)始量產(chǎn)采用先進(jìn)細微化技術(shù)的高性能NANDFlash產(chǎn)品。

　　法人表示，目前東芝NAND型快閃存儲器主要委由力成和艾克爾(Amkor)封測。東芝新廠(chǎng)和既有NAND型快閃存儲器封測委外訂單，包括力成、華東和南茂等，今年積極布局，競爭勢必相當激烈。

　　產(chǎn)業(yè)人士指出，美光也規劃逐步委外釋出位于新加坡NAND型快閃存儲器封測廠(chǎng)的測試業(yè)務(wù)。目前美光NAND型快閃存儲器測試，除了美光自己測試外，部分也委由力成。若美光計畫(huà)擴大釋出測試訂單，力成以及華東也將積極切入。

　　整體觀(guān)察，國際存儲器大廠(chǎng)今年集中火力開(kāi)發(fā)前端制程，進(jìn)一步集成封測業(yè)務(wù)，擴大后段封測委外，封測臺廠(chǎng)正積極布局，密切觀(guān)察局勢發(fā)展。今年臺廠(chǎng)在存儲器封測領(lǐng)域，競爭卡位態(tài)勢將較以往更加激烈。