提高M(jìn)SP430G單片機的Flash擦寫(xiě)壽命的方法
在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據,由于成本原因,某些單片機在芯片內部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數據,MSP430G 系列處理器在芯片內部劃分出了256 字節的Flash 空間作為信息Flash,可用于存儲非易失性數據,但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫(xiě)壽命上存在一定差距,所以在實(shí)際應用中,這種應用方式并不能夠滿(mǎn)足所有客戶(hù)的需求。本應用筆記介紹了使用代碼區域Flash 來(lái)模擬EEPROM,通過(guò)一定的軟件處理算法,可以大大增加數據存儲周期的一種方法。本文給出了實(shí)現上述功能的軟件流程。
1. 嵌入式Flash 存儲介質(zhì)與EEPROM 的主要特性對比
電可擦除和編程只讀存儲器(EEPROM)是在絕大多數嵌入式應用中都會(huì )使用到的用于保存非易失性數據的關(guān)鍵器件,用于在程序運行期間保存數據。Flash 閃存(Flash Memory,簡(jiǎn)稱(chēng)為"Flash")是一種非易失性( Non-Volatile )存儲器,廣泛應用于各種嵌入式處理器中,用于存儲程序代碼。
由于硬件成本原因,在許多嵌入式處理器中并沒(méi)有集成EEPROM 模塊,通常我們可以采用在片內Flash 存儲器中保存非易失性數據的應用方式來(lái)達到使用要求。對一些普通的應用場(chǎng)合,這種使用方式可以滿(mǎn)足要求。
表一 EEPROM與Flash 對比分析
1.1 寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間
由于EEPROM 和Flash 的工作特性不同,所以寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間也不相同。Flash 具有更短的寫(xiě)訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間,所以更適用于對存儲速度有要求的場(chǎng)合。
1.2 寫(xiě)方法
外置EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM的最大不同之處在于寫(xiě)的方法。
EEPROM:對EEPROM 的寫(xiě)操作不需要額外的操作,只需要提供電源供給;但是一旦啟動(dòng)寫(xiě)操作流程后,寫(xiě)操作不能夠被打斷。所以需要外接電容器等措施來(lái)保證在芯片掉電時(shí)能夠維持供電,保證完成數據操作。
Flash 模擬EEPROM:當芯片上電后,寫(xiě)操作可以被電源掉電和芯片復位打斷。和EEPROM 相比,需要應用設計者增加相關(guān)的處理來(lái)應對可能存在的異常。
1.3 擦寫(xiě)時(shí)間
EEPROM和采用Flash 模擬EEPROM在擦除時(shí)間上存在很大的差異。
與Flash 不同,EEPROM 在進(jìn)行寫(xiě)操作之前不要擦除操作。由于Flash 需要幾個(gè)毫秒時(shí)間進(jìn)行擦除操作,所以如果在進(jìn)行擦除操作的過(guò)程中出現電源掉電的情況,需要軟件做相關(guān)的保護處理。為了設計一個(gè)健壯的Flash 存儲器的管理軟件,需要深入的了解和掌握Flash 存儲器的擦除過(guò)程特性。
2. 增加Flash 模擬EEPROM 擦寫(xiě)壽命的方法
可以根據用戶(hù)的需求采用不同的方法實(shí)現Flash 存儲器模擬EEPROM。
2.1 虛擬地址加數據方案
通常需要兩個(gè)頁(yè)以上的Flash 空間來(lái)模擬EEPROM。上電后,初始化代碼先查找出有效頁(yè),同時(shí)將另外一個(gè)頁(yè)初始化為擦除狀況,以提供字節寫(xiě)的能力,并用作備份和隨時(shí)準備執行寫(xiě)入操作。需要存儲EEPROM 的變量數據首先寫(xiě)入有效頁(yè),當有效頁(yè)寫(xiě)滿(mǎn)后,需將所有數據的最后狀態(tài)保存到備份頁(yè),并切換到備份頁(yè)進(jìn)行操作。每一頁(yè)的第一個(gè)字節通常用來(lái)指示該頁(yè)的狀態(tài)。
每個(gè)頁(yè)存在3 種可能狀態(tài):
擦除態(tài):該頁(yè)是空的。
已寫(xiě)滿(mǎn)數據狀態(tài):該頁(yè)已經(jīng)寫(xiě)滿(mǎn)數據,準備切換到下一個(gè)頁(yè)進(jìn)行操作。
有效頁(yè)狀態(tài):該頁(yè)包含著(zhù)有效數據并且標示狀態(tài)尚未改變,所有的有效數據全部拷貝到了已經(jīng)擦除的頁(yè)。
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