FPGA中Flash驅動(dòng)模塊的設計及驗證

　　隨著(zhù)FPGA的功能日益強大和完善，FPGA在項目中的應用也越來(lái)越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線(xiàn)接口的Flash驅動(dòng)模塊的設計，其接口基本符合Avalon總線(xiàn)的規范要求，并且通過(guò)實(shí)際的讀寫(xiě)操作驗證。

　　Flash器件的基本知識及控制流程

　　Flash是一種由大容量浮柵(floating gate)結構的MOS管存儲單元加上讀寫(xiě)控制電路構成的半導體存儲器，其應用非常廣泛，按組織結構類(lèi)型分為NOR和NAND類(lèi)型，其中NAND flash因為容量更大而應用更為廣泛，如固態(tài)硬盤(pán)(SSD)就是屬于NAND類(lèi)型的Flash存儲器，其編程及讀取的單位為page;擦除是為扇區Sector或整個(gè)Bulk擦除。因為flash器件內置了電荷泵單元，所以其供電與傳統的EEPROM需要雙電源供電相比，只需要單電源供電即可。存儲的數據由浮柵的電子電荷決定，浮柵上沒(méi)有電荷時(shí)為“1”，當浮柵上存有電子電荷時(shí)為“0”。