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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
創(chuàng )客作品：自制足球游戲解說(shuō)員
- 有時(shí)，在小型開(kāi)發(fā)板上分模塊地測試代碼，要比自己在大腦里想出整個(gè)完整的多模塊應用更切實(shí)際。你要做的只是現在就著(zhù)手，一行一行地編寫(xiě)代碼。 周末我們打算在電子棋盤(pán)游戲系統上開(kāi)發(fā)幾款游戲。我們要做的是將思路轉化成實(shí)際的一款游戲，而非只是模糊的設計理念或想法。 最終我們打算做一款虛擬足球游戲。假設您是玩家，請問(wèn)您是否更希望比賽時(shí)有同步的現場(chǎng)解說(shuō)呢?當您控制球場(chǎng)上的角色，嘗試攔截、搶球但球卻不小心漏掉時(shí)，此時(shí)若恰好出現評論員或解說(shuō)員的聲音，您是否會(huì )更有身臨其境之感? 我們堅信這款游戲定會(huì )很受歡迎
- 關(guān)鍵字： 電子解說(shuō)員 AS3 Flash mp3 Audacity
Flash的下一站藍海在哪里？
- 物物相聯(lián)，萬(wàn)物智能的時(shí)代漸行漸近，越來(lái)越多的設備都將擁有“智慧”，除了處理器、傳感器之外，Flash存儲器也是不可或缺的核心部件之一。 物聯(lián)網(wǎng)或帶動(dòng)Flash新需求 物聯(lián)網(wǎng)的場(chǎng)景很美好，但其中涉及太多的跨品牌、跨平臺、跨設備之間的無(wú)線(xiàn)通訊。只有不斷的在通信技術(shù)領(lǐng)域全面而迅速的發(fā)展，才能打造出智慧城市，從而實(shí)現物聯(lián)網(wǎng)中的互聯(lián)互通。 NOR Flash應用的另一大重要場(chǎng)景就是網(wǎng)絡(luò )通信設備。 大量的網(wǎng)絡(luò )通信產(chǎn)品需要升級換代，以作為搶占客廳入口的路由器為例，因智
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) Flash 處理器
高交會(huì )上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向
- 全球市場(chǎng)研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數據表明，東芝2014年會(huì )計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運表現最亮眼，位出貨量季成長(cháng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(cháng)23.7%。 東芝電子(中國)有限公司董事長(cháng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì )電子展上也透露，2014年?yáng)|芝在中國的閃存生意非常好，在高交會(huì )電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來(lái)閃存的發(fā)展趨勢。
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 閃存 3D 201501
基于Flash和JTAG接口的FPGA多配置系統
- 引言 針對需要切換多個(gè)FPGA配置碼流的場(chǎng)合， Xilinx公司提出了一種名為System ACE的解決方案，它利用CF(Compact Flash)存儲卡來(lái)替代配置用PROM，用專(zhuān)門(mén)的ACE控制芯片完成CF卡的讀寫(xiě)，上位機軟件生成專(zhuān)用的ACE文件并下載到CF存儲卡中，上電后通過(guò)ACE控制芯片實(shí)現不同配置碼流間的切換[1]。 System ACE的解決方案需要購買(mǎi)CF存儲卡和專(zhuān)用的ACE控制芯片，增加了系統搭建成本和耗費了更多空間，而且該方案只能實(shí)現最多8個(gè)配置文件的切換，在面對更多個(gè)配置
- 關(guān)鍵字： Flash JTAG FPGA
Spansion面向嵌入式市場(chǎng)推出新型工業(yè)級e.MMC NAND閃存產(chǎn)品
- 不久前，Spansion宣布面向嵌入式系統的全新工業(yè)級e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知，Spansion于2012年推出了立足嵌入式應用的SLC NAND產(chǎn)品。至此，我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個(gè)強大的客戶(hù)群，而且我們還發(fā)現，這些客戶(hù)對嵌入式集中規模存儲解決方案的需求也越來(lái)越大。對于那些不僅僅是要購買(mǎi)一款“現成”產(chǎn)品的嵌入式客戶(hù)而言，Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個(gè)完美的選擇。 作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
- 關(guān)鍵字： Spansion NAND
海力士前高層加入慧榮 SSD大戰鳴槍
- 固態(tài)硬碟(SSD)戰火正熱，持續成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn)，NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導體大廠(chǎng)，使出渾身解數綁樁，傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密，雙方合作內嵌式存儲器eMMC業(yè)務(wù)外，有機會(huì )延伸至SSD產(chǎn)品線(xiàn)上，2015年更是關(guān)鍵年，慧榮內部極度重視SSD產(chǎn)品線(xiàn)，立下通吃NAND Flash大廠(chǎng)和存儲器模組兩大族群的目標，看好公司營(yíng)運
- 關(guān)鍵字： SSD NAND Flash SK海力士
NAND閃存將被RRAM顛覆？存儲器市場(chǎng)暗潮涌動(dòng)
- NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲的霸主，不過(guò)它也存在諸多問(wèn)題，尤其是壽命隨著(zhù)工藝的先進(jìn)化而不斷縮短，TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑，因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲技術(shù)勢在必行。 從FRAM到相變式存儲器，新選手不斷涌現，但目前還未能挑戰NAND的地位。直到最近，名為電阻式RAM的新貴出現了，它最被看好，三星、閃迪等巨頭都在投入，不過(guò)，走在最前列的是一家美國創(chuàng )業(yè)公司Crossbar。 RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級別，Crossba
- 關(guān)鍵字： NAND 三星 閃迪
DRAM樂(lè )觀(guān) NAND有隱憂(yōu)
- 記憶體市況今年將不同調;動(dòng)態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂(yōu)。 DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠(chǎng)去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺塑集團旗下DRAM廠(chǎng)南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過(guò)1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng )歷史新高紀錄。 NAND Flash市場(chǎng)競爭、變化相對激烈，且難以預料;去年下半
- 關(guān)鍵字： DRAM 三星 海力士 NAND Flash
東芝擴充海外內存芯片廠(chǎng)，會(huì )是中國嗎
- 據國外媒體報道，東芝首席執行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財年決定在何處新建一座內存芯片工廠(chǎng)，并且在選擇建廠(chǎng)地址時(shí)會(huì )考慮海外地區。 東芝在不到4個(gè)月前在四日市新開(kāi)了一座NAND閃存芯片加工廠(chǎng)，田中久雄在接受采訪(fǎng)時(shí)稱(chēng)，需求超過(guò)了產(chǎn)能，公司必須擴大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機和其他電子產(chǎn)品。 田中久雄稱(chēng)：“三星已經(jīng)在中國西安市建廠(chǎng)，海力士也在中國建了一座生產(chǎn)廠(chǎng)。”當被問(wèn)及中國是否會(huì )是海外建廠(chǎng)的最佳地區時(shí)，他補充說(shuō)
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
美光聯(lián)手華邦電：推NOR Flash搶攻物聯(lián)網(wǎng)應用商機
- 美國存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)宣布，與存儲器廠(chǎng)商華邦電擬進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)新一代超高速序列式編碼型快閃存儲器(Serial NOR Flash)，搶攻汽車(chē)電子、穿戴裝置，以及智慧家庭等物聯(lián)網(wǎng)應用商機，預計2015年1月就會(huì )開(kāi)始送樣認證1GB芯片。 ? 據了解，美光日前宣布與華邦電結盟，雙方將開(kāi)發(fā)新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash產(chǎn)品線(xiàn);雙方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash，比NAND Flash速度更快，且比現有序列式NOR Fla
- 關(guān)鍵字： 美光 NOR Flash 物聯(lián)網(wǎng)
慧榮科技推出業(yè)界首款車(chē)載IVI級單封裝SSD解決方案
- 在設計及推廣用于固態(tài)存儲設備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專(zhuān)為車(chē)載信息娛樂(lè )(IVI)系統設計的汽車(chē)級PATA及SATA FerriSSD解決方案。 FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應用在車(chē)載IVI系統等嵌入式應用中的SATA及PATA硬盤(pán)驅動(dòng)器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，FerriSSD解決方案與傳統的硬盤(pán)驅動(dòng)器相比不僅運行速度更
- 關(guān)鍵字： 慧榮科技 NAND BGA
NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤(pán)、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機械硬盤(pán)有了較大幅度的提升，但縱觀(guān)整個(gè)計算架構，閃存仍舊是計算系統中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫(xiě)入壽命上都還不盡如人意，并且隨著(zhù)工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來(lái)越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。 日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設備大會(huì ))上就公布了其最新的可變電阻式存儲
- 關(guān)鍵字： NAND MLC TLC
研調：12月上旬NAND Flash合約價(jià)跌幅2%內
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠(chǎng)商在第三季季底財報結算壓力過(guò)后，不再采取積極價(jià)格戰，使得原廠(chǎng)間戰火稍緩。另一方面，因模組廠(chǎng)預期此波價(jià)格跌勢將持續，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進(jìn)行采購談判，以爭取更優(yōu)惠的價(jià)格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價(jià)呈持平或僅微幅下跌0-2%。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節備貨動(dòng)能正式結束后，受到季節性因素影響，預期明(2015)年第一季全球智慧型手機
- 關(guān)鍵字： NAND Flash eMMC
三星半導體設備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠(chǎng)
- 韓國時(shí)報(Korea Times)15 日報導，三星電子明年將投資半導體設備 13.5 兆韓圜，或相當于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。 全球記憶體晶片市場(chǎng)目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠(chǎng)市占率合計來(lái)到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩定與市場(chǎng)供需平衡。 據報導，三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場(chǎng)需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開(kāi)設新廠(chǎng)房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩，
- 關(guān)鍵字： 三星 SK 海力士 美光 NAND
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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