美光聯(lián)手華邦電:推NOR Flash搶攻物聯(lián)網(wǎng)應用商機
美國存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)宣布,與存儲器廠(chǎng)商華邦電擬進(jìn)一步合作開(kāi)發(fā)新一代超高速序列式編碼型快閃存儲器(Serial NOR Flash),搶攻汽車(chē)電子、穿戴裝置,以及智慧家庭等物聯(lián)網(wǎng)應用商機,預計2015年1月就會(huì )開(kāi)始送樣認證1GB芯片。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/267467.htm

?
據了解,美光日前宣布與華邦電結盟,雙方將開(kāi)發(fā)新一代Twin-Quad的超高速序列式NOR Flash產(chǎn)品線(xiàn);雙方所合作的Twin-Quad序列式NOR Flash,比NAND Flash速度更快,且比現有序列式NOR Flash具更好的效能。美光已于12月推出256MB及512MB容量芯片,預計于明年1月進(jìn)一步推出1GB芯片并進(jìn)行送樣。

物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)文章:物聯(lián)網(wǎng)是什么
存儲器相關(guān)文章:存儲器原理
評論