三星半導體設備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠(chǎng)

　　韓國時(shí)報(Korea Times)15 日報導，三星電子明年將投資半導體設備 13.5 兆韓圜，或相當于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。

　　全球記憶體晶片市場(chǎng)目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠(chǎng)市占率合計來(lái)到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩定與市場(chǎng)供需平衡。

　　據報導，三星看準儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場(chǎng)需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開(kāi)設新廠(chǎng)房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩，三星也可能增加投資南韓國內的 17 線(xiàn)廠(chǎng)。

　　在邏輯晶片方面，報導還指出，三星的 14 奈米 FinFET 制程技術(shù)已贏(yíng)得蘋(píng)果下一代 A9 處理器大部分訂單，并且將臺積電打入第二線(xiàn)供應商。南韓《電子時(shí)報 (ETNews)》12 日引述業(yè)界消息也作出同樣的報導。