高交會(huì )上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

　　全球市場(chǎng)研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange的數據表明，東芝2014年會(huì )計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運表現最亮眼，位出貨量季成長(cháng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(cháng)23.7%。

　　東芝電子(中國)有限公司董事長(cháng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì )電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好，在高交會(huì )電子展上展示的存儲技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來(lái)閃存的發(fā)展趨勢。

　　NAND集成趨勢不可擋

　　移動(dòng)設備用存儲產(chǎn)品引導著(zhù)NAND的發(fā)展趨勢，而更高程度的集成勢不可擋。東芝上半年已經(jīng)發(fā)布了15nm 128Gb的MLC產(chǎn)品，集成度進(jìn)一步提升。該產(chǎn)品可以向客戶(hù)級SSD、企業(yè)級SSD以及消費類(lèi)產(chǎn)品等廣泛的應用提供支持。東芝的超高性能UFS v2.0的存儲器樣品也已推出，繼續引領(lǐng)存儲技術(shù)潮流。

　　除了在移動(dòng)設備、數字電視、數字攝像、工業(yè)中的廣泛應用，東芝還把e•MMCTM產(chǎn)品擴展到了汽車(chē)中。在車(chē)載信息娛樂(lè )系統中，東芝導航卡完全具有與標準SD存儲卡相同的功能特性，如“塊管理”、ECC糾錯以及損耗均衡等。

　　除了MLC和MMC產(chǎn)品，東芝還率先提供24nm工藝的SLC NAND和BENAND產(chǎn)品，在該工藝下，可靠性和成本優(yōu)勢提升，用戶(hù)可以降低BOM成本并獲得可持續的長(cháng)期支持。

　　引領(lǐng)下一代UFS產(chǎn)品市場(chǎng)

　　憑借技術(shù)實(shí)力，東芝走在下一代UFS市場(chǎng)的前沿。

　　閃存的速度非?？?，臺式電腦和筆記本電腦上最新的閃存存儲裝置使用適當的接口后讀寫(xiě)速度可以達到每秒約500MB。為了提升智能手機、平板電腦、電子書(shū)閱讀器等移動(dòng)設備的讀取和寫(xiě)入速度，2013年電子設備工程聯(lián)合委員會(huì )(Joint Electron Device Engineering Council，簡(jiǎn)稱(chēng)JEDEC)發(fā)布了第二代通用閃存存儲標準UFS 2.0，該標準下的閃存讀寫(xiě)速度可以高達每秒1400MB，這相當于在兩秒鐘內讀寫(xiě)兩個(gè)CD光盤(pán)的數據，不僅相比e•MMCTM有巨大的優(yōu)勢，它甚至能夠讓電腦上使用的閃存存儲介質(zhì)固態(tài)硬盤(pán)也相形見(jiàn)絀，因而，業(yè)界認為該標準會(huì )在2015年成為移動(dòng)設備的主流標準。

　　東芝展示了超高性能UFS v2.0的存儲器樣品，新的產(chǎn)品可以實(shí)現讀寫(xiě)速度上的大幅提升，連續讀取速度可以達到650MB/s，連續寫(xiě)入速度可以達到180MB/s?？磥?lái)東芝已經(jīng)為未來(lái)發(fā)力準備好了。

　　走向3D結構的閃存

　　近些年，閃存速度/容量的提升及成本的降低主要依靠制造工藝的進(jìn)步。但麻煩的是，隨著(zhù)工藝的進(jìn)步，對于存儲芯片來(lái)說(shuō)，發(fā)生了更為要命的問(wèn)題：工藝越先進(jìn)閃存芯片性能反而越差。因為在相同的空間內要針對更多單元做充放電的動(dòng)作，電荷干擾很?chē)乐?，完成數據讀寫(xiě)的延時(shí)就變大，數據處理時(shí)的錯誤率也在上升。

　　田中基仁表示，2014年?yáng)|芝已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)15nm工藝NAND閃存。但在提升閃存的性能和降低成本上，15nm已經(jīng)是極限，下一代存儲技術(shù)將會(huì )向3D架構發(fā)展。在3D時(shí)代，閃存的架構就顯得格外重要。目前，東芝除了正在繼續開(kāi)發(fā)基于浮動(dòng)柵架構的先進(jìn)制程工藝外，同時(shí)也在通過(guò)研發(fā)3D結構的存儲單元(BiCS)，進(jìn)一步加速芯片的大容量化。