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新電源模塊如何解決關(guān)鍵設計問(wèn)題

  • 新型靈活應用的高密度電源模塊現在能夠以易于使用的集成封裝提供先進(jìn)的電熱性能。系統性能的提升促進(jìn)了對更高功率電源的要求,以及由于需要快速實(shí)現收入的壓力迫使設計人員縮短開(kāi)發(fā)周期,從而對全功能、快速實(shí)現電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問(wèn)題,并提供系統設計人員所需的靈活性和性能,幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
  • 關(guān)鍵字: 新電源  FET  ISL8225  

移動(dòng)電源方案技術(shù)深度剖析連載一:小米10400

  •   引言:  鑒于目前網(wǎng)絡(luò )上移動(dòng)電源方案知識甚少,而移動(dòng)電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案,從今開(kāi)始特在移動(dòng)電源網(wǎng)開(kāi)設移動(dòng)電源方案技術(shù)篇連載,對目前市面主流品牌,暢銷(xiāo)產(chǎn)品等移動(dòng)電源方案一一深度剖析,與移動(dòng)電源設計師和技術(shù)迷們一起分享!我們首款產(chǎn)品就選目前最熱門(mén)的小米10400mAh移動(dòng)電源吧?! ≌模骸 ∫苿?dòng)電源網(wǎng)獨家撰稿,轉載請保留出處鏈接?! 〈蠹液?我是來(lái)福,移動(dòng)電源資深技術(shù)愛(ài)好者,鑒于目前網(wǎng)絡(luò )上移動(dòng)電源方案知識甚少,而移動(dòng)電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案,從今開(kāi)始特在移動(dòng)電源網(wǎng)開(kāi)設移動(dòng)電源方案技術(shù)篇連載,
  • 關(guān)鍵字: 小米  10400  BQ24195  ABOV  MOS  

Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負載開(kāi)關(guān)

  •   2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術(shù)的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負載開(kāi)關(guān)每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術(shù)來(lái)實(shí)現低導通電阻、外形尺寸最小同時(shí)可靠性提高?! LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
  • 關(guān)鍵字: Silego  FET  SLG59M1527V  

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構成零件-2

  • 在上一個(gè)帖子當中我們見(jiàn)到了MOS管。下面我們來(lái)看一看用它完成的一個(gè)最簡(jiǎn)單的設計。
  • 關(guān)鍵字: MOS  CMOS  反相器  電路  NMOS  

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構成零件-1

  • 在下面的兩個(gè)帖子當中,我將簡(jiǎn)短地介紹構成CPU的零件,一種晶體管。我將展示如何完成最簡(jiǎn)單的設計,這相當于IC設計中的Hello world,并且略微提到Hello world的幾種變體。
  • 關(guān)鍵字: CPU  IC設計  單晶硅  MOS    

研究人員以硼/氮共摻雜實(shí)現石墨烯能隙

  •   韓國蔚山科技大學(xué)(UNIST)的研究人員們宣稱(chēng)開(kāi)發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法,從而可實(shí)現基于石墨烯的場(chǎng)效電晶體(FET)制造與設計。   由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡(jiǎn)單溶劑熱反應,大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管,即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。   石墨烯自2004年經(jīng)由實(shí)驗發(fā)現后,已經(jīng)開(kāi)發(fā)出各種方法來(lái)制造基于石墨烯的FET,包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶,以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
  • 關(guān)鍵字: 石墨烯  FET  

汽車(chē)啟動(dòng)/停止系統電源方案

  • 為了限制油耗,一些汽車(chē)制造商在其新一代車(chē)型中應用了“啟動(dòng)/停止”(Start/Stop)功能。當汽車(chē)停下來(lái)時(shí),這些創(chuàng )新的新系統關(guān)閉發(fā)動(dòng)機;而當駕駛人的腳從剎車(chē)踏板移向油門(mén)踏板時(shí),就自動(dòng)重新啟動(dòng)發(fā)動(dòng)機。這就幫助降低市區駕車(chē)及停停走走式的交通繁忙期時(shí)的油耗。
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  二極管  PCB  穩壓器  P-FET  

如何針對反向轉換器的FET關(guān)斷電壓而進(jìn)行緩沖

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
  • 關(guān)鍵字: 反向轉換器  FET  關(guān)斷電壓  緩沖  漏極電感  

經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級

  • 經(jīng)典FET輸入甲類(lèi)前級本電路是參照《無(wú)線(xiàn)電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級純A類(lèi)分立件前級放大 ...
  • 關(guān)鍵字: FET  甲類(lèi)前級  

車(chē)載筆記本電源的設計制作

  • 此電源有兩種,輸入電壓不同分為12V和24V兩種,輸出電壓均為19V。一、12V轉19V電路電路如上圖,此電路屬升壓型...
  • 關(guān)鍵字: 車(chē)載筆記本  MOS  IC器件  

eGaN FET與硅功率器件比拼之六:隔離型PoE-PSE轉換器

  • 隔離型磚式轉換器被廣泛應用于電信系統,為網(wǎng)絡(luò )設備供電,這些轉換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
  • 關(guān)鍵字: eGaN  FET  硅功率器  轉換器  

正確的同步降壓FET時(shí)序設計

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間,存在兩個(gè)過(guò)渡階...
  • 關(guān)鍵字: 同步降壓  FET  時(shí)序設計  

SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較

  • 引言:為了打破傳統的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約,半導體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結構,稱(chēng)為...
  • 關(guān)鍵字: SJ-MOS  VDMOS  

電源設計小貼士46:正確地同步降壓FET時(shí)序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間,存在兩個(gè)過(guò)渡階段:低...
  • 關(guān)鍵字: FET    MOSFET    電源設計小貼士    德州儀器  

電源設計:正確地同步降壓 FET 時(shí)序

  • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間,存在兩個(gè)過(guò)渡階段:低...
  • 關(guān)鍵字: 電源設計  同步降壓  FET  時(shí)序  
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