<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>
首頁(yè)　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì )展　 EETV　 百科 　 問(wèn)答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> vdmos

SJ-MOS與VDMOS動(dòng)態(tài)性能比較

  • 引言：為了打破傳統的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結構，稱(chēng)為...
  • 關(guān)鍵字： SJ-MOS  VDMOS  

基于A(yíng)rrhenius模型快速評價(jià)功率VDMOS可靠性

  • 0 引言　　垂直導電雙擴散場(chǎng)（VDMOS）效應晶體管是新一代集成化半導體電力器件的代表［1］。與功率晶體管相比，具有輸入阻抗高、熱穩定性高、開(kāi)關(guān)速度快、驅動(dòng)電流小、動(dòng)態(tài)損耗小、失真小等優(yōu)點(diǎn)。因此VDMOS廣泛應用在
  • 關(guān)鍵字： Arrhenius  VDMOS  模型  可靠性    

大功率VDMOS(200V)的設計研究

  • 功率MOS場(chǎng)效應晶體管是新一代電力電子開(kāi)關(guān)器件，在微電子工藝基礎上實(shí)現電力設備高功率大電流的要求。自從垂直導電雙擴散VDMOS(VerticalDou-ble-diff used Metal Oxide Semiconductor)新結構誕生以來(lái)，電力MOSFET得到
  • 關(guān)鍵字： 研究  設計  200V  VDMOS  大功率  

大功率VDMOS(200 V)的設計研究

  • 摘要：介紹了大功率VDMOS(200 V)的設計方法。對設計參數進(jìn)行了理論分析，并使用仿真工具時(shí)設計參數進(jìn)行了驗證和優(yōu)化。設計中主要考慮了漏源電壓和導通電阻等參數指標，通過(guò)器件和工藝的仿真，確定了該器件合理的參數
  • 關(guān)鍵字： 研究  設計  VDMOS  大功率  

功率直流無(wú)刷電機的控制器VDMOS正確使用

  • 在電動(dòng)自行車(chē)里，直流無(wú)刷電機的逆變器由六個(gè)功率VDMOS管和六個(gè)續流二極管組成，六個(gè)續流二極管分別寄生在這六個(gè)VDMOS管里，因而從控制器外面看只有六個(gè)VDMOS管。這六個(gè)VDMOS管通過(guò)大電流，它們的輸出直接是定子的繞
  • 關(guān)鍵字： 正確  使用  VDMOS  控制器  直流  電機  功率  

VDMOS器件損傷的DC／DC轉換器輻射預兆單元設計

  • 航天用DC／DC轉換器工作在太空輻射環(huán)境下，輻射損傷是其主要失效機理。DC／DC轉換器的可靠性關(guān)系到整個(gè)航天器的可靠性，國內外廣泛研究了DC／DC轉換器輻射損傷失效機理、失效模式和抗輻射篩選與加固措施。隨著(zhù)
  • 關(guān)鍵字： DC  預兆  單元  設計  輻射  轉換器  器件  損傷  VDMOS  DC／DC轉換器  

一種減少VDMOS寄生電容的新結構

  • 分析影響VDMOS開(kāi)關(guān)特性的各部分電容結構及參數，為了減少寄生電容，提高開(kāi)關(guān)速度，在此提出一種減少VDMOS寄生電容的新型結構。該方法是部分去除傳統VDMOS的neck區多晶硅條，并利用多晶硅作掩模注入P型區，改變VDMOS柵下耗盡區形狀，減小寄生電容。在此增加了neck區寬度，并增加了P阱注入。利用TCAD工具模擬，結果表明：這種新型結構與傳統VDMOS相比，能有效減小器件的寄生電容，減少柵電荷量，提高開(kāi)關(guān)時(shí)間，提高器件的動(dòng)態(tài)性能。
  • 關(guān)鍵字： VDMOS  寄生電容    

DC／DC輻照損傷與VDMOS器件1／f噪聲相關(guān)性研究

  • 通過(guò)對DC／DC轉換器低頻噪聲測試技術(shù)以及在y輻照前后電性能與1/f噪聲特性變化的對比分析，發(fā)現使用低頻噪聲表征DC／DC轉換器的可靠性是對傳統電參數表征方法的一種有效補充。對DC／DC轉換器輻照損傷與其內部VDMOS器件1/f噪聲相關(guān)性進(jìn)行了研究，討論了引起DC／DC轉換器輻照失效的原因。
  • 關(guān)鍵字： DC  相關(guān)性  研究  噪聲  VDMOS  輻照  損傷  器件  轉換器  
共9條 1/1 1

vdmos介紹

　　垂直雙擴散金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管 　　VDMOS兼有雙極晶體管和普通MOS器件的優(yōu)點(diǎn)，無(wú)論是開(kāi)關(guān) 　　應用還是線(xiàn)形應用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要 　　應用于電機調速、逆變器、不間斷電源、電子開(kāi)關(guān)、高保真音 　　響、汽車(chē)電器和電子鎮流器等。 　　特征: 　　接近無(wú)限大的靜態(tài)輸入阻抗特性，非?？斓拈_(kāi)關(guān)時(shí)間，導通 　　電阻正溫度系數，近似常數的跨導， 高 [ 查看詳細 ]

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì )員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
国产精品自在自线亚洲|国产精品无圣光一区二区|国产日产欧洲无码视频|久久久一本精品99久久K精品66|欧美人与动牲交片免费播放
<dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"></dfn><small id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></small><small id="yhprb"></small><small id="yhprb"></small> <delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><s id="yhprb"><noframes id="yhprb"><small id="yhprb"><dfn id="yhprb"></dfn></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><small id="yhprb"></small><dfn id="yhprb"><delect id="yhprb"></delect></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn> <small id="yhprb"></small><delect id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></delect><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"><strike id="yhprb"></strike></s></dfn><dfn id="yhprb"><s id="yhprb"></s></dfn>