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MOS—FET甲乙類(lèi)功率放大器

MOS管驅動(dòng)電路綜述連載（三）

  • 相對通用的電路電路圖如下：圖1用于NMOS的驅動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅動(dòng)電路這里只針對NMOS...
  • 關(guān)鍵字： MOS  驅動(dòng)電路  

MOS管驅動(dòng)電路綜述連載（二）

  • 現在的MOS驅動(dòng)，有幾個(gè)特別的應用1、低壓應用當使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于...
  • 關(guān)鍵字： MOS  

MOS管驅動(dòng)電路綜述連載（一）

  • 在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
  • 關(guān)鍵字： MOS  

TI 小貼士：圖例理FET知識

  • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言，ADC廠(chǎng)商們將一種單音、滿(mǎn)量程模擬...
  • 關(guān)鍵字： FET  

手把手教你讀懂FET選取合適器件

  • 現在；一臺臺電源，幾乎都能發(fā)現FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西，或用來(lái)逆變；或用來(lái)整流；或就當個(gè)開(kāi)關(guān)...
  • 關(guān)鍵字： FET  

MOSFET分析：選擇一款節能、高效的MOSFET

  • 前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規范。新規范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機功耗要求。...
  • 關(guān)鍵字： mos  

MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗

  • 本文詳細分析計算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知...
  • 關(guān)鍵字： mos/開(kāi)關(guān)損耗  

CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場(chǎng)效應管

  • 　　CISSOID，在高溫半導體方案的領(lǐng)導者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號P-FET場(chǎng)效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器. 　　
  • 關(guān)鍵字： CISSOID  P-FET  

開(kāi)關(guān)電源設計之MOS管反峰及RCD吸收回路

  • 對于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話(huà)題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
  • 關(guān)鍵字： 吸收  回路  RCD  管反峰  設計  MOS  開(kāi)關(guān)電源  

如何對反向轉換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

  • 　　圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì )使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因
  • 關(guān)鍵字： 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉換器  FET  如何  

MOS-FET開(kāi)關(guān)電路

  • MOS-FET雖然與JFET結構不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單，如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對應圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
  • 關(guān)鍵字： MOS-FET  開(kāi)關(guān)電路    

J-FET開(kāi)關(guān)電路工作原理

  • 1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí)，VGS=0，J-FET導通，傳輸信號至VO；當VC比V1足夠負，VD導通而J-FET截止，VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
  • 關(guān)鍵字： J-FET  開(kāi)關(guān)電路  工作原理    

采用C-MOS與非門(mén)的發(fā)光二極管脈沖驅動(dòng)電路

  • 電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來(lái)光。電
  • 關(guān)鍵字： 驅動(dòng)  電路  脈沖  發(fā)光二極管  C-MOS  與非門(mén)  采用  

與萬(wàn)用表結合使用的FET VP、VOO檢驗器

  • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠(chǎng)已分了幾種等級，但一個(gè)等級內仍有差別，如果在組裝電路之前測量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測量時(shí)，
  • 關(guān)鍵字： VOO  檢驗  VP  FET  結合  使用  萬(wàn)用表  
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mos—fet介紹

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