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mos—fet 文章 進(jìn)入mos—fet技術(shù)社區
用Python自動(dòng)化雙脈沖測試
- 電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過(guò)渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車(chē)和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高，SiC技術(shù)正被應用于電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說(shuō)明的是，但雙脈沖測試也可應用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設備的可靠性，雙脈沖測試（DPT）已發(fā)展成為一種行業(yè)標準技術(shù)，用于測量開(kāi)啟、關(guān)閉和反向恢復期的一系列重要參數。雙脈沖測試系統包括示波
- 關(guān)鍵字： 寬禁帶 FET 測試
內置MOS全集成三相直流無(wú)刷電機BLDC驅動(dòng)芯片方案
- 引言全球高速無(wú)刷電機行業(yè)正在經(jīng)歷持續的增長(cháng)和發(fā)展。根據市場(chǎng)調研，亞洲市場(chǎng)占據了全球高速無(wú)刷電機行業(yè)的首位，市場(chǎng)規模占比達47%，并且預計未來(lái)增長(cháng)將主要集中在亞洲地區。特別是在我國，無(wú)刷電機技術(shù)已逐漸成熟，電機和驅動(dòng)器的價(jià)格均已下探到可以廣泛應用的程度，也就拓展了無(wú)刷電機的使用場(chǎng)景。而控制芯片作為無(wú)刷電機系統中的關(guān)鍵組件，通過(guò)接收轉子位置的反饋信號，精確控制電機的電流和電壓，實(shí)現電機的高效運轉和精確控制。目前直流無(wú)刷電機的控制主要分兩大類(lèi)：方波控制（梯形波控制）與正弦波控制，這兩類(lèi)控制方式的原理分別是什么呢
- 關(guān)鍵字： MOS 三相直流無(wú)刷電機 BLDC 驅動(dòng)芯片
一文了解SiC MOS的應用
- 作為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統電力轉換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統中，應用碳化硅MOSFET器件替代傳統硅IGBT器件，可以實(shí)現更低的開(kāi)關(guān)和導通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著(zhù)提升系統效率及功率密度，從而降低系統綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應用碳化硅MOSFET的主要應用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機、新能源汽車(chē)空調、新能
- 關(guān)鍵字： SiC MOS 碳化硅 MOSFET
從內部結構到電路應用，這篇文章把MOS管講透了。
- MOS管學(xué)名是場(chǎng)效應管，是金屬-氧化物-半導體型場(chǎng)效應管，屬于絕緣柵型，本文就結構構造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話(huà)詳細描述。其結構示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個(gè)窄長(cháng)條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導通后是電阻特性，因此它的一個(gè)重要參數就是導通電阻，選用mos管必須清楚這個(gè)參數是否符合需求。解釋2：n型上圖表示的是p型mos管，讀者可以依據此圖理解n型的，都是反過(guò)來(lái)即可，因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會(huì )導致導通，而p型的相反。解釋3：增強型相對于耗盡型
- 關(guān)鍵字： 模擬電路 MOS
GaN FET讓您實(shí)現高性能D類(lèi)音頻放大器
- D類(lèi)音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實(shí)現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實(shí)現優(yōu)越、緊湊型和高效的D類(lèi)音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時(shí)，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個(gè)PWM調制器和兩個(gè)半橋功率級子板，實(shí)現具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
- 關(guān)鍵字： GaN FET D類(lèi)音頻放大器
測試共源共柵氮化鎵 FET
- Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類(lèi)型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場(chǎng)，因為它可以提供常關(guān)操作并具有更寬的柵極驅動(dòng)電壓范圍。然而，電路設計人員發(fā)現該器件在實(shí)際電路中使用起來(lái)并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關(guān)斷時(shí)的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導通時(shí)的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 FET
EPC推出首款具有最低1mΩ導通電阻的GaN FET
- 全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導通電阻
- 關(guān)鍵字： EPC 1mΩ 導通電阻 GaN FET
適用于自主駕駛車(chē)輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機、倉庫自動(dòng)化和精準農業(yè)。在這些應用中，大多都有人類(lèi)參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會(huì )對眼睛造成傷害。為防止此類(lèi)傷害，汽車(chē) LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類(lèi)安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
- 關(guān)鍵字： 自主駕駛 LiDAR GaN FET
Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET，提升 750V 電動(dòng)汽車(chē)設計性能
- 中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車(chē)規標準的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車(chē)載充電器、DC/DC
- 關(guān)鍵字： Qorvo SiC FET 電動(dòng)汽車(chē)
徹底弄清MOS管 （NMOS為例
- 來(lái)自專(zhuān)欄芯片基礎課說(shuō)來(lái)慚愧，大二學(xué)了一遍模電數電，考研專(zhuān)業(yè)課又學(xué)了一遍模電數電，但拿到如下這張mos管結構圖，讓我立馬說(shuō)出：【這是什么型mos管，標準符號襯底的箭頭指向哪里，簡(jiǎn)化符號柵極有沒(méi)有小圓圈，襯底該接高接低，柵極高電平導通還是低電平導通，導通電流方向是什么】的答案，時(shí)不時(shí)還真有點(diǎn)卡殼。這真的不能怪我們，是真的太繞了，比如PMOS管柵極居然是低電平有效，簡(jiǎn)化圖上輸入帶圈，這真的太反人性了。今天就用一篇文章把這些關(guān)系徹底理順，開(kāi)始吧！首先，你應該已經(jīng)懂得：硅中參雜電子多的話(huà)，會(huì )在那里寫(xiě)個(gè)N，參雜空穴多
- 關(guān)鍵字： 模擬電路 MOS
EPC GaN FET可在數納秒內驅動(dòng)激光二極管，實(shí)現75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實(shí)現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動(dòng)器和通過(guò)車(chē)規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專(zhuān)為長(cháng)距離和
- 關(guān)鍵字： EPC GaN FET 激光二極管
MOS 管的死區損耗計算
- MOS 管在逆變電路，開(kāi)光電源電路中經(jīng)常是成對出現，習慣上稱(chēng)之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET 為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同時(shí)導通，就會(huì )導致電源短路，ＭOS 管會(huì )損壞，甚至時(shí)電源損壞，這種損壞是災難行動(dòng)，必須避免．由于MOS 的開(kāi)通和關(guān)斷都是有時(shí)沿的，為了避免上管和下管同時(shí)導通，造成短路現象，從而引入了死區的概念，也就是上下管同時(shí)關(guān)斷的區間，如圖Figure2 中的E 和 F.死區E---tDf: 上
- 關(guān)鍵字： MOS 管 逆變電路
超高壓MOS在變頻器上的應用
- 一、變頻器的定義及應用領(lǐng)域 變頻器的定義變頻器是應用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過(guò)改變電機工作電源頻率方式來(lái)控制交流電動(dòng)機的電力控制設備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動(dòng)單元、驅動(dòng)單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應用領(lǐng)域鋼鐵、軋鋼制線(xiàn)、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調整電機的功率，實(shí)現電機的變速運行，達到省電的目的。2、降低電力線(xiàn)路中電壓的波動(dòng)，避免一旦電壓發(fā)生異常而導致設備的跳閘或者出現異常運行的現象。3、減少對電網(wǎng)的沖擊，從而有效地減少無(wú)功損耗，增
- 關(guān)鍵字： RS瑞森半導體 MOS 變頻器
Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專(zhuān)有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設計人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專(zhuān)業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應管，采用CCP
- 關(guān)鍵字： Nexperia SMD CCPAK GaN FET
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