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基于LT1641的雙路熱插拔電路設計
- 0 引言 很多大型數據系統中都會(huì )采用"背板+插件板"結構。這樣，在更換維護插件板時(shí)，通常都希望在不影響系統工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時(shí)，一般會(huì )產(chǎn)生很大的啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng)，這些現象將影響設備的正常工作，甚至導致整個(gè)系統的損害。當一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時(shí)，插件板上附加電容的充放電會(huì )給工作背板提供一個(gè)低阻抗，此時(shí)背板到插件板的高涌入電流可能會(huì )燒毀連接器和電路元件，或者暫時(shí)使背板陷落以導致系統重啟。這種現象就是熱插拔現象。 所謂熱插拔(Hot
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集成功率FET的鋰離子開(kāi)關(guān)充電器
- 當輸入至輸出的開(kāi)銷(xiāo)電壓(overhead voltage)和/或充電電流較高時(shí)，線(xiàn)性電池充電器的功耗相當大。以一般的便攜式DVD播放器(雙節鋰離子電池組、12V車(chē)載適配器、1.2A額定充電電流)為例，其線(xiàn)性充電器的平均功耗超過(guò)5W。 bq241xx系列開(kāi)關(guān)充電器是對過(guò)熱問(wèn)題的簡(jiǎn)便解決方案。內置功率FET能夠提供高達2A的充電電流。同步PWM控制器的工作頻率為1.1MHz，輸入電壓最高可達18V，非常適用于由單節、雙或三節電池組供電的系統。該系列開(kāi)關(guān)充電器具有的高電壓、高電流、高效率等優(yōu)異特性，并且
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AB類(lèi)功率放大器驅動(dòng)電路的研究與設計
- 1 AB類(lèi)功放驅動(dòng)電路設計目標 在實(shí)用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅動(dòng)負載。能夠向負載提供足夠信號功率的放大電路稱(chēng)為功率放大電路，簡(jiǎn)稱(chēng)功放。經(jīng)典功率放大器有4種類(lèi)型：A類(lèi)，AB類(lèi)，B類(lèi)和C類(lèi)，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類(lèi)經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導通角的函數關(guān)系如圖1所示。 A類(lèi)功率放大器的線(xiàn)性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導通角為360
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 驅動(dòng)電 放大器 MOS
飛兆推出業(yè)界最小的DrMOS FET加驅動(dòng)器多芯片模塊
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布推出全面優(yōu)化的集成式FET加驅動(dòng)器功率級解決方案FDMF6700，采用超緊湊型6mm x 6mm MLP封裝。對于空間極度受約束的應用，比如小外形尺寸的臺式電腦、媒體中心PC、超密集服務(wù)器、刀片服務(wù)器、先進(jìn)的游戲系統、圖形卡、網(wǎng)絡(luò )和電信設備，以及其它電路板空間有限的DC-DC應用，FDMF6700為設計人員提供別具吸引力的解決方案。 在個(gè)人電腦主板中，典型的降壓轉換器在每個(gè)相位可能包含：采用DPAK封裝的三個(gè)N溝道MOSFE
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 飛兆 DrMOS FET 模塊
功率P-FET控制器LTC4414
- LTC4414是一種功率P-EFT控制器，主要用于控制電源的通、斷及自動(dòng)切換，也可用作高端功率開(kāi)關(guān)。該器件主要特點(diǎn)：工作電壓范圍寬，為3.5～36V；電路簡(jiǎn)單，外圍元器件少；靜態(tài)電流小，典型值為30μA；能驅動(dòng)大電流P溝道功率MOSFET；有電池反極性保護及外接P-MOSFET的柵極箝位保護；可采用微控制器進(jìn)行控制或采用手動(dòng)控制；節省空間的8引腳MSOP封裝；工作溫度范圍-40℃～+125℃。 圖1 LTC4414的引腳排列 引腳排列及功能 LTC4414的引腳排列如圖1所示，各引腳
- 關(guān)鍵字： LTC4414 P-FET 電源技術(shù) 工業(yè)控制 模擬技術(shù) 工業(yè)控制
日立瑞薩開(kāi)發(fā)低功耗轉換存儲器單元
- 新型單元是一種用于嵌入式系統的下一代微控制器片上非易失存儲器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程，且只需100μA的編程電流。 日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉換存儲器單元的成功原型。這種非易失半導體存儲單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個(gè)單元的功耗降低了50％。此外，相對于現有的非易失存儲器，新的相位轉換單元在高速讀寫(xiě)能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
- 關(guān)鍵字： MOS 日立 瑞薩 存儲器
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